Полученный результат в Tecplot sv

Без сетки Увеличенная область канала	С сеткой

Вывод: В ходе этой работе освоили методики сквозного моделирования ВАХ и электрофизических параметров кремниевых полупроводниковых структур на основе последовательного использования вычислительных потоков, содержащих приложения SProcess и SDevice с последующим анализом данных в графических оболочках.

Получены первые навыки в SSE (приложение отвечает за постройку структуру), а так же были изучены способы изменения шага сетки для более лучшего просчёта (в данном случаи канальную область).