24. Емкость запорного слоя Шотки
Сопротивление области контакта повышено в следствии обеднения => возникает барьерная емкость. По формуле плоского конденсатора
На единицу площади:
При приложении к контакту внешнего напряжения ее сб может возрастать или снижаться в зависимости от того, приложено обратное или прямое U.
Это явление используется в варикапах
Это уравнение прямой линии
В
координатах
,
Как правило к контакту прикладывают обратное U (иначе его сопротивление падает).
Это вольт-фарадная характеристика перехода.
3. Заполнение энерг. Зон эл. И деление тел на металы, диэл., полупров.
Если
-
то матер-л диэлектрик
если
- полупроводник
Например:
Si
:
Ge
:
В п/п тепловой энергии достаточно для перехода в ЗП.
Для металлов (щелочных)
ВЗ заполнена э-ми наполовину вслед. з-та Паули. Остальные эл-ны могут уч-ть в процессе эл-ми. При приложении эл. поля эл-ны получают доп. E.
Для 2-валентных электронов металлов ВЗ зап-на вся.
Зонную энергет-ю диаг-му полупроводника будем рисовать не всю, а часть.
Путевод:
1. Классификация твердых тел по электрофизическим свойствам. Классическая электронная теория проводимости
2. Основы зонной теории твердого тела.
3, Заполнение энерг. зон эл. и деление тел на металы, диэл., полупров.
4. Понятие эффективной массы электрона.
5.Собственный полупроводник и примесная проводимость
6. Плотность электронных состояний.
7. Функция Ферми-Дирака
8. Концентрация эл-ов и дырок в зонах.
9. Концентрация носителей заряда в невырожденном проводнике.
10. Концентрация носителей заряда в вырожденном полупроводнике
11. Степень заполнения примесных уровней. Уравнение электронейтральности
12. Температурная зависимость концентрации плотности заряда в полупроводниках
13. Температурная зависимость электропроводимости п/п-ов.
14. Квазиуровень Ферми.
15.Время жизни неравновесных носителей заряда. Межзонная рекомбинация
16. Фотопроводимость полупроводников. Эффект Дембера
17.Уравнение непрерывности
18. Дрейфовые и диффузионные токи
19. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда в случае монополярной проводимости
20.Диффузия и дрейф неосновных избыточных носителей заряда
21. Полупроводник во внешнем электрическом поле.
22. Контакт метал-полупроводник. Омический контакт
23.Выпрямление тока в контакте метал-полупровадник. Диоды Шотки
25. Контакт электронного и дырочного полупроводников
26. Толщина слоя объемного заряда p/n перехода.
27. Выпрямление тока в р-n переходе.
28, ВАХ тонкого р-н перехода
29. Барьерная и диффузионная емкости p-n-перехода.
30. Контакт вырожденных электронного и дырочного полупроводников.
31. Фотоэффект на p-n-переходе
32. Гетеропереход
33. Принцип действия Б.Т. Физические параметры Б.Т.
34. Распределение носителей в базе транзистора. Модуляция ширины базы.
35. Физические принципы полевогоранзистора с управляющим p-n -переходом (ПТУП).
36. Эффект поля. МДП-транзисторы
37. Четырехслойные р-н-р-н структуры.
понятие
дрейфовой скорости
Закон
Ома
-
эффективная масса
- ф-я Ф-Д
– Эффективная
плотность состояний в ЗП
-
концентрации
-
соотношение Эйнштейна
-
для вырожденных п\п.
-
у-е ЭН в общ. Виде.
Для п/п-ка n-типа
Для п\п-ка р-типа:
-
температурная зав-сть n
при слабой ионизации п\п
-
температурная зав-сть n
при истощении примеси п\п
температура
истощения
-
уравнение Фурье для соб. n/п
-
температура собств проводимости
-
температурная зав-сть n
при собственной проводимости
– постоянная
времени рекомбинации (время жизни
неравновесных носителей заряда в п/п-ке)
-
мгновенное время жизни неравновесных
электронов при квадратичной рекомбинации.
-
плотность тока
связь
коэф диффузии с подвижностью
изменение n- избыточных электронов с расстоянием
уравнение
Пуассона
– Дебаевская
длина экранирования
ширина
объемного зарада п-н перехода
барьерная
емкость
плотность
тока в контакте
- уравнения Ферми в полупроводниках п и р – типа.
-
высота потенц барьера
-
высота потенц барьера если примесь вся
ионизирована
концентрация
неосновных дырок
-
концентрация не основных электронов.
ВАХ
п-н – перехода