
- •Московский авиационный институт
- •К.Г. Климачев, л.И. Пономарёв, а.В. Шаталов
- •Учебное пособие Москва
- •Содержание
- •Глава 1. Проблема электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств
- •§ 1.1. История и причины возникновения проблемы эмс рэс
- •§ 1.2. Эмс рэс и непреднамеренные помехи
- •§ 1.3. Каналы воздействия одной рэс на другую
- •Глава 2. Характеристики элементов и устройств радиолэектронных систем с позиций эмс
- •§ 2.1. Основное и нежелательное излучения
- •§ 2.2. Частотная избирательность радиоприёмных устройств в широкой полосе частот
- •§ 2.3. Параметры антенных устройств, используемые при анализе эмс рэс
- •Глава 3. Иерархическая структура и математические модели эмс рэс
- •Глава 4. Основы внутриаппаратурной эмс рэс
- •§ 4.1. Характеристики эмс гибридных интегральных схем свч и и микроэлектронных устройств эвм
- •Глава 5. Способы обеспечения внутриаппаратурной эмс рэс
- •§ 5.1. Методы экранирования рэа и эва
- •Поглощение эмв зависит от коэффициента затухания
- •§ 5.2. Методы рациональной компоновки элементов рэа и эва с целью уменьшения взаимных помех
- •§ 5.3. Методы фильтрации помех
§ 1.3. Каналы воздействия одной рэс на другую
Пусть имеются две РЭС, расположенные рядом (рис.1.2).
Можно выделить четыре канала воздействия первой РЭС на вторую.
1. Приём антенной А2 излучения антенны А1.
2. Приём элементами конструкции РЭС2 излучения антенны А1.
Эти два канала основные, они действуют в ближней зоне (R / λ1 <1); в промежуточной зоне (R / λ1 ≈ 1); в дальней зоне (R / λ1 >> 1).
3. Приём корпусом РЭС2 излучения корпуса РЭС1 (проявляется в ближней и промежуточной зонах).
4. Канал, обусловленный гальванической связью между РЭС (проявляется в ближней и промежуточной зонах).
5. Канал 5 образуется за счёт связи по цепям общего источника питания.
Глава 2. Характеристики элементов и устройств радиолэектронных систем с позиций эмс
При анализе ЭМС РЭС необходимо знать характеристики отдельных устройств РЭС, влияние на ЭМС. Рассмотрит полные РЭС, действующие в непосредственной близости друг от друга (рис.2.1).
На рисунке использованы следующие обозначения: сплошные линии - радиотрассы полезного сигнала, пунктир - радиотрассы распространения мешающего сигнала.
Так как в общем случае ƒ10 ≠ ƒ20 , то очевидно, что для определения уровня взаимных помех недостаточно обладать информацией о характеристиках передающего, приёмного устройств и антенн только в рабочей полосе частот для каждой РЭС. Требуется знание характеристик и параметров радиотрассы в очень широкой полосе частот. В этом заключается принципиальное отличие в уровне знаний параметров отдельных устройств РЭС при расчете самой РЭС и при расчете её ЭМС.
Перейдём к описанию основных параметров передающих и приёмных устройств.
§ 2.1. Основное и нежелательное излучения
Любое реальное радиопередающее устройство, наряду с формированием колебаний в отведённой для его работы полосе частот, из-за технического несовершенства генерирует колебания и в других участках частотного диапазона.
Поэтому все колебания на выходе передатчика подразделяют на основные и нежелательные [5].
Основным излучением называется излучение передатчика в необходимой полосе частот 2∆ƒн , под которой понимается минимальная полоса частот, достаточная для передачи сигнала с требуемой скоростью и качеством.
Нежелательное излучение делится на внеполосное, шумовое и побочное.
Внеполосное излучение - это нежелательное излучение в полосе частот, непосредственно примыкающей к необходимой полосе частот, и являющееся результатом несовершенства модуляции и особенностей спектральных свойств модуляционных сигналов. Если их отбросить, то изменений в точности передачи информации почти но произойдет.
Внеполосное излучение характеризуется шириной занимаемой полосы частот, за пределами которой излучается не более заданной части средней мощности излучения.
Шумовое излучение - обусловлено собственными шумами генератора передатчика и паразитной модуляцией последнего, шумовыми процессами в других каскадах. Уровень шумового излучения на 60…80 дБ ниже уровня основного излучения. Ширина спектра в десятки раз шире необходимой полосы частот.
Побочное излучение образуется в результате взаимодействия информационных сигналов с нелинейными элементами в радиопередатчиках.
К ним относятся:
а) Излучение на гармониках основной частоты.
б) Излучение на субгармониках основной частоты.
в) Комбинационные излучения.
г) Интермодуляционные излучения.
д) Паразитные излучения.
Для описания перечисленных выше излучений вводится специальная характеристика - спектральная плотность интенсивности колебаний на выходе передатчика W(f). Типичный вид этой функции приведён на рис.2.2.
Обозначения на рисунке: 1 - основное излучение, 2 - нежелательное излучение, 3 - паразитное излучение, 4 - комбинационное излучение, 5 - излучение на гармониках, 6 - излучение на субгармониках, 7 - внеполосное излучение.
Функцию W(f) иногда для краткости называют спектром мощности или энергетическим спектром, так как она характеризует распределение мощности по спектру. Зная энергетический спектр W(f) можно определить полную мощность на выходе передатчика
P
=
Рассмотрим подробнее побочные излучения.
Излучение на гармониках - обусловлено нелинейными режимами работы усилителей и генераторов.
Типичные значения относительного уровня гармоники с номером n для различных типов передатчиков приведены в табл.2.1.
Таблица 2.1.
Тип передатчика |
Относительный уровень(дБ) min/max |
||||
n = 2 |
n = 3 |
n = 4 |
n = 5 |
n = 6 |
|
Магнетрон |
57/103 |
45/100 |
62/93 |
81/96 |
|
Клистрон |
38/119 |
57/105 |
56/101 |
72/97 |
|
Триод(тетрод) |
74/93 |
72/81 |
93/108 |
93/113 |
100/100 |
Излучение на субгармониках - побочное излучение на частотах ƒ0/m в целое число раз меньшее частоты основного излучения. Оно возникает в передатчиках, в которых используется умножение частоты.
Паразитное излучение - возникает в результате самовозбуждения передатчика из-за паразитных связей в генераторных и усилительных приборах и каскадах. Их частоты случайны и не связаны с основной частотой.
Интермодуляционное излучение - возникает как результат взаимодействия на нелинейном элементе передатчика собственного колебания и внешнего электромагнитного поля другого передатчика (особенно если они рядом). Частоты этих излучений определяются по формуле
fинт = | ± m1 f1 ± m2 f2 | ; ( m1 , m2 = 1, 2, ...) (2.1)
Комбинационное излучение - образуется в результате воздействия на нелинейные элементы передатчика основной частоты и её гармоник (особенно в передатчиках с синтезатором частоты). Частоты этих излучений определяются по формуле(2.2)
fкомб = | ± m1 f1 ± m2 f2 ± m3 f3 | (2.2)
При практических расчётах ЭМС кривая спектральной плотности обычно аппроксимируется кусочной системой простейших функций.
P(f) = P(fo) + A lg( f / fo) + B , (2.3)
где P(fo) - средний уровень мощности основного излучения на рабочей частоте (дБ·мВт); A - коэффициент описывающий спад побочных излучений по мере отстройки от основной частоты (дБ/декада); B - коэффициент постоянного ослабления побочного излучения по отношению к основному (дБ).
Значения А и B можно определить экспериментально, или найти в справочнике.
В заключении приведём общесоюзные нормы на величину мощности побочных излучений. Они установлены до частот 960 МГц [6].
Диапазон основных частот передатчика |
Нормы на допустимые уровни побочных излучений |
ниже 40 МГц |
на 40 дБ ниже мощности основного излучения при Pосн ≤ 500 Вт не более 50 мВт при Pосн > 500 Вт |
30…235 МГц |
на 40 дБ ниже Pосн (но не более 25 мкВт) при Pосн ≤ 25 Вт на 60 дБ ниже Pосн при Pосн > 25 Вт |
235…960 МГц |
на 60 дБ ниже Pосн при 25 Вт ≤ Pосн ≤ 25 кВт не более 20 мВт при Pосн > 20 кВт |
235…470 МГц |
не более 20 мкВт при Pосн ≤ 25 Вт |
470…960 МГц |
В передатчике мощностью Pосн ≤ 25 Вт должны быть приняты меры по максимальному снижению уровня побочных излучений. |