Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
81
Добавлен:
21.02.2014
Размер:
1.13 Mб
Скачать

3.2 Модуль пзу

Для расширения памяти программ микроконтроллера в соответствии с заданием выберем К541РЕ1.

Технические характеристики ОЗУ КР565РУ6 представлены в таблице 4.

Таблица 4 – Основные электрические параметры микросхемы К541РЕ1

Название параметра

Значение параметра

1

2

Ток потребления в статическом режиме

Icc<100мА

Напряжение в статическом режиме

Ucc=5±0,5 В

Выходное напряжение низкого уровня при IOL=8мА

UOL<0,45В

Ток утечки на выходе

IOH<40мкА

Входное напряжение низкого уровня при I1L=0,4мА

U1L<0,5В

Продолжение таблицы 4

1

2

Время выбора адреса

tAA>100 нс

Время выборки разрешения

tCS>70 нс

Время восстановления

tOFF<70 нс

Время цикла

tС>150нс

Входная емкость

CI<3пФ

Выходная емкость

CO<6пФ

Емкость нагрузки

CL<200пФ

Условное обозначение микросхемы К541РЕ1 приведено на рисунке 9.

Микросхема ПЗУ типа К541РЕ1 представляет собой ПЗУ с емкостью 16384 бит для хранения и считывания информации в объеме 2048 8-разрядных слов.

Входные и выходные уровни напряжения совместимы с ТТЛ интегральными схемами. Микросхема К541РЕ1 имеет выходы с открытым коллектором. программирование ПЗУ осуществляется с помощью фотошаблона технологического слоя диэлектрика. Накопитель представляет собой набор диэлектрических окон с развязывающими элементами. Наличие и отсутствие этих окон определяет хранимую информацию в накопителе.

Рисунок 9 – Микросхема К541РЕ1

Структурная схема микросхемы К541РЕ1 представлена на рисунке 10.

Рисунок 10 – Структурная схема микросхемы К541РЕ1

3.3 Многорежимный буферный регистр к589ир12

Для подключения дополнительных микросхем ПЗУ и ОЗУ выберем многорежимный буферный регистр (МБР) К589ИР12.

Корпус микросхемы пластмассовый прямоугольный типа 239.24-2.

Основные параметры микросхемы приведены в таблице 5.

Таблица 5 – Основные параметры микросхемы К589ИР12

Название параметра

Значение параметра

Напряжение источника питания

5 В ± 5%

Диапазон рабочих температур

-10 ... +70 °С

Предельное напряжение источника питания (кратковременно в течение 5 мс), не более

7 В

Предельное напряжение источника питания, не более

6 В

Предельное напряжение на выходе (закрытой ИС), не более

5,25 В

Предельное входное напряжение, не более

5,5 В

Предельный ток на входе, не менее

-5 мА

Условное обозначение микросхемы К589ИР12 представлена на рисунке 11.

Рисунок 11 – Условное обозначение БИС К589ИР12

Структурная схема многорежимного буферного регистра приведена на рисунке12.

Рисунок 12 – Структурная схема БИС К589ИР12

МБР предназначен для буферизации данных, временного и электрического со­гласования параллельных шин, выполне­ния функций прерывающих каналов вво­да/вывода информации.

В ее состав входят: триггер запроса прерывания (Г), 8-разрядный парал­лельный регистр (RG); выходной буфер данных; логические схемы для выработки сигналов управления.

Описание выводов МБР приведено в таблице 6.

Таблица 6 – Назначение выводов

Обозначение вывода

Номер контакта

Назначение вывода

D1-D8

22; 20; 18; 16; 9; 7; 5; 3

8-разрядная парал­лельная входная ши­на данных

Q1-Q8

21; 19; 17; 15; 10; 8; 6; 4

8-разрядная парал­лельная выходная шина данных

EW

11

Вход строба

MD

2

Вход выбора режима

CS1, CS2

1; 13

Входы выбора кристалла

CLR

14

Вход установки нуля

INP

23

Выход запроса прерывания

UCC

24

Напряжение пита­ния ( + 5 В)

GND

12

Напряжение пита­ния (0 В)

Запись данных в RG из шины D1(7 — 0) происходит положительным по­тенциалом на входе С, описываемым выражением .

Чтение информации в шину DO (7 — 0) производится высоким потенциалом сиг­нала . Сигнал за­проса прерывания вырабатывается низ­ким потенциалом при комбинации сигналов , где Q -данные на прямом плече триггера Г.

Установка триггера производится по низкому потенциалу асинхронно при комбинации сигналов . Сброс триггера про­изводится отрицательным фронтом сиг­нала на входе STB.

Соседние файлы в папке микроЭВМ – К1816ВЕ48--