3 Разработка подсистемы памяти

Подсистема памяти разрабатываемой системы включает в себя модуль ОЗУ и модуль ПЗУ, доступ к которым осуществляется по системной магистрали.

3.1 Описание микросхемы кр537ру8

Оперативные ЗУ предназначены для хранения переменной информации и имеют практически одинаковое быстродействие при считывании и записи. МС статической ОЗУ КР537РУ8 характеризуется: по технологии изготовления – КМДП, по режиму доступа – Т, емкость составляет 2Кх8 бит.

Основные электрические параметры.

Напряжение питания U_CC, B 4,75 - 5,25.

Ток потребления динамический I_CCAV, мА менее 20.

Ток потребления хранения I_CCS, мкА менее 1000.

Ток потребления в режиме хранения от

резервного источника питания I_CCB, мкА менее 200.

Выходное напряжение высокого уровня U_OH, В более 2,4.

Высокое напряжение низкого уровня U_OL, В менее 0,4.

Ток утечки на входе I_LI, мкА менее 5.

Ток утечки на выходе I_LO, мкА менее 5.

Выходной ток низкого уровня I_OL, мА менее 2.

Входная емкость С_1, пФ менее 8.

Выходная емкость С_0, пФ менее 10.

Предельная емкость нагрузки, пФ менее 1000.

Время цикла считывания (записи) t_CR(CW), нс более 300. Время выборки разрешения t_AС, нс 270.

Длительность сигнала CS t_CS, нс 220.

Длительность сигнала WE t_W, нс 80 – 120.

Время сдвига CS относительно адреса t_CSA, нс более 50.

Время сдвига WE относительно DI t_WS, нс более 20.

Время сдвига CS относительно WE t_CSW, нс более 20.

Время сохранения адреса после CS t_{CHA ,} нс более 60.

Время сохранения WE после CS t_CHW, нс более 30.

Структуру МС КР537РУ8 рассмотрим на рисунке 9.

Рисунок 9 - Структура микросхемы КР537РУ8

Организация одноразрядная и словарная с числом разрядов в слове четыре, восемь и шестнадцать. Для КМДП - микросхем характерен самый низкий уровень потребляемой мощности. Многие из них способны сохранять записанную информа­цию при пониженном до 2-3 В напряжении питания, что позволяет реализо­вать энергонезависимые ОЗУ с встроенным низковольтным источником пита­ния.

Данная МС содержит матрицу запоминающих элементов 2048*8, представляющую собой накопитель ёмкостью 16384 бит (16 Кбит), дешифраторы адреса строк (DCK) и столбцов (DCS), блок управления СИ, адресные и выходные формирователи и разрядные усилители записи-считывания. Режим работы устанавливается с помощью сигналов CS1, CS2, W/R.

Обозначение выводов МС КР537РУ8 представлено на рисунке 10, назначение выводов микросхемы – в таблице 2.

Рисунок 10 - Цоколевка микросхемы КР537РУ8

Таблица 2 - Назначение выводов микросхемы КР537РУ8

Номера контактов	Обозначение	Назначение	Тип сигнала	Состояние
1-8	А0 - А7	Порты адреса	вх	1, 0, z
9 - 11, 13 - 17	D0 - D7	Входы-выходы порта D	вх/вых	1, 0, z
12	OV	"Земля" (Общий вывод И.П.)
18	CS1	Сигнал выбора микросхемы 1	вх	0
19	A10	Порты адреса	вх/вых	1, 0, z
20	CS2	Сигнал выбора микросхемы 2	вх	0
21	W/R	Сигнал записи	вых	0
22-23	A8, A9	Порты адреса	вх	1, 0, z
24	5 V	Питание + 5В

МС КР537РУ8 имеет встроенные входные регистры - «защелки», срабатывающие от перепада сигнала CS. Наличие входных регистров придает МС ряд особенностей, прежде всего в режимах управления.

Истинность представленной МС рассмотрена в таблице 3.

Таблица 3 – Истинность микросхемы КР537РУ8

CS1vCS2	WR/RD	А0…А10	DIO0…DIO7	Режим работы
1	Х	X	Z	Хранение
0	0	А	D0…D7	Запись
0	1	А	D0…D7	Считывание

Статический режим КР537РУ8 характеризуется напряжением питания 5 В, близкими значе­ниями уровней выходных сигналов, сравнительно небольшими выходными то­ками, наличием выходов с тремя состояниями, значительной предельной ем­костью нагрузки.

Большой недостаток оперативной памяти состоит в том, что информация, записанная в нее, исчезает при выключении источника питания. Поэтому часто используется дополнительный источник питания, который питает при выключении источника питания только микросхемы памяти. МС КР537РУ8, является энергонезависимой оперативной памятью, содержимое которой может легко перезаписываться, но не пропадает при выключении питания, как в ПЗУ.

Схема энергонезависимой памяти (рисунок 11) довольно проста, хотя и имеет ряд неочевидных особенностей.

Рисунок 11 - Энергонезависимая оперативная память

Управляющие сигналы памяти – WR и – CS имеют активный низкий уровень, а при выключении питания все входные сигналы памяти, естественно, станут нулевыми. Это приведет к искажению записанной в память информации. Поэтому необходимо обеспечить, чтобы при выключении питания сигналы на входах –WR и –CS были пассивными, то есть имели уровень логической единицы. Для этого обычно используются логические элементы с выходами ОК, нагрузочные резисторы которых присоединяются не к пропадающему напряжению питания памяти U_ип, а к сохраняющемуся напряжению питания памяти U_пам. Для получения напряжения U_пам используется простая схема на двух диодах, которая передает на выход U_пам напряжение источника питания U_ип (если питание включено) или напряжение от гальванической батареи 3 – 4,5 В (если питание выключено).

Для большей гарантии от пропадания информации во время переходных процессов (при постепенном нарастании U_ип и при постепенном его уменьшении) необходимо управлять прохождением сигналов WR и CS на память с помощью управляющего сигнала "Сброс". Этот сигнал равен нулю при напряжения U_ип менее 4,7– 4,8 В и равен единице при нормальном напряжении U_ип = 5 В (временная диаграмма приведена на рисунке). В результате такого решения память отключается от остальной схемы при недостаточном напряжении питания (сигналы -WR и –CS равны единице) и подключается к остальной схеме при нормальном напряжении питания.