Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
79
Добавлен:
21.02.2014
Размер:
330.17 Кб
Скачать

3.3 Данные в eeprom

EEPROM PIC16C84 рассчитан на ограниченное число циклов стирания/записи. Чтобы записать в программную память, кристалл должен быть переведен в специальный режим при котором на выводе /MCLR подается напряжение программирования Vрrg, а питание Vdd должно находиться в пределах 4.5 В ...5.5В. PIC16C84 непригоден для применений, в которых часто модифицируется программа. Запись в программную память осуществляется побитно, последовательно с использованием только двух выводов. Паспортное значение количества записей в программную память PIC16C84 равно 100(min) и 1000 (tiр), практически же микросхемы выдерживают несколько тысяч перезаписей. Число перезаписей памяти данных (64 байта) достанет 1000000.

При записи в память EEPROM, необходимо сначала записать требуемый адрес в EEADR регистр и данные в EEDATA регистр. Затем выполнить специальную последовательность команд, производящую непосредственную запись:

movlv 55h

movwf EECON2

movlv AAh

movwf EECON2

bsf EECON1,WR ;установить WR бит, начать запись.

Таблица 6 - Управляющие регистры для EEPROM

Название

Функция

Адрес

Значение после включения

EEDATA

EEPROM регистр данных

08h

XXXX XXXX

EEADR

EEPROM регистр адреса

09h

XXXX XXXX

EECON1

EEPROM 1 управляющий регистр

88h

0000 X000

EECON2

EEPROM 2 управляющий регистр

89h

-

3.4 Контроллер прямого доступа к памяти КР580ВТ57

БИС программируемого контроллера прямого доступа к памяти КР580ВТ57 предназначен для организации высоко­скоростного обмена данными между па­мятью и внешними устройствами, выпол­няемого по инициативе внешнего устрой­ства.

Рисунок 10 – Структурная схема контроллера прямого доступа к памяти КР580ВТ57

Упрощенная структурная схема КПДП приведена на рисунке 10. В состав БИС входят: двунаправленный двустабильный буфер данных (ВD), предназна­ченный для обмена информацией между МП и КПДП; схема управления чте­нием/записью (RWCU), адресующая вну­тренние регистры КПДП и управляющая обменом по шине D(7-0); блок управле­ния (СU) и обеспечивающий последовательность операций; блок управления при­оритетами (РСU), обеспечивающий определенный порядок обслуживания запро­сов внешних устройств; четыре канала прямого доступа (СН0 – СН3), каждый из которых содержит регистр адреса ячейки памяти, с которой производится обмен, и счетчик циклов обмена, два старших разряда которого отведены для задания операций обмена.

Схема под­ключения КПДП к системной шине с использованием буферного регистра К589ИР12 показана на рисунке 11.

Рисунок 11 – Схема под­ключения КПДП к системной шине с использованием буферного регистра К589ИР12

Основные электрические параметры микросхемы КР580ВТ57 при температуре окружающей среды + 25 + 10°С приве­дены ниже:

Выходное напряжение логического нуля UOL, В < 0,45

Выходное напряжение логической единицы UOH, В > 2,4

Ток потребления IСС, мА < 100

Ток утечки на входах IIL, мкА < 1,5

Ток утечки на управляемых выводах IОL, мкА –1,5...1

Таблица 7– Описание выводов контроллера прямого доступа к памяти

Обозначение

Обозначение (рус)

Функциональное назначение выводов

Тип вывода

Состояние

D(7–0)

Д(7–0)

Входы/выходы данных для обмена с МП

Вход /выход

H-1,L-0

Чтение ввода /вывода

Чтение ввода/вывода – двунаправленный тристабильный вход /выход; вх. сигнал L – чтение

Вход /выход

L-1, H-0, z

Запись ввода /вывода

Запись ввода/вывода — двунаправленный тристабильный вход/выход; входной сигнал L- разрешает программирование КПДП

Вход /выход

L-1, H-0, z

CLK

синхро

Вход тактовых импульсов

Вход

H-1,L-0

RESET

сброс

Вход установки 0

Вход

H-1,L-0

A(3-0)

A(3-0)

Двунаправленные тристабильные ад. выводы

H-1,L-0

КС

Выбор микросхемы

L-1,H-0

A(7-4)

A(7-4)

Тристабильные адресные выходы

Выход

H-1,L-0

READY

Готов

Готовность – входной сигнал Н- готовность к обмену

Вход

H-1 H-1

HRQ

ЗЗ

Запрос захвата – выходной сигнал Н- запрос о доступе КПДП

Выход

H-1,L-0

HLDA

ПЗ

Подтверждение захвата – входной сигнал Н- доступа к СШ

Вход

H-1,L-0

Чтение из памяти

Чтение из памяти – тристабильный выход; чтение из ячейки памяти

Выход

L-1, H-0, z

Запись в память

Запись в память – тристабильный выход; L- запись в ячейку

Выход

L-1, H-0, z

1

2

3

4

5

Продолжение таблицы 7

1

2

3

4

5

Обозначение

Обозначение (рус)

Функциональное назначение выводов

Тип вывода

Состояние

ADSTB

Ад строба

Строб адреса – сигнал Н- нахождение D(7 – 0) старшего байта адреса

Выход

H-1,L-0

TC

КС

Конец счета – сигнал Н- выполнение последнего цикла

Выход

H-1,L-0

MARK

Маркер

Маркер — сигнал Н-ур. выполнить число циклов обмена, кратное 128

Вход

H-1,L-0

DRQ3-DRQ0

СН3-СН0

Запросы ПДП каналов СН3-0; сигнал Н – УКазывает на запрос от ВУ

Вход

H-1,L-0

DACK3-DACK0

СН3-СН0

Подтверждение запросов ПДП каналов СН3-СН0

Ввыход

L-1,H-0

UСС

Uп

Напряжение питания ( + 5 В)

Вход

GND

ОБЩ

Напряжение питания (0 В)

Вход