Порядок виконання роботи

1. Ознайомитися з лабораторною установкою.

2. Скласти електричну схему згідно з схемою 1 для дослідження механічної характеристики трифазного асинхронного двигуна.

3. Дослідити співвідношення між струмами та напругами при мінливому навантаженні на валу двигуна в межах 0...1,2 Нсм, експериментальні дані занести в табл. 1

4. За даними табл. 1 обчислити: корисну потужність двигуна: підводжувану до нього потужність:

5. ККД двигуна:

6. коефіцієнт потужності:

7. Ковзання:

8. Результати обчислень занести в табл.1.

9. За даними табл.1 побудувати механічну характеристику двигуна M = f(s).

10. Скласти звіт.

Таблиця 1

№ досліду	Експериментальні дані						Результати обчислень
	М,Н*см	Uф,В	Iф,А	Рф. Вт	n2,хв.-1	P2,Вт		P1=3Pф,Вт	η%	COS φ	S,%

Контрольні запитання та завдання

1. Які конструкція та принцип дії трифазного асинхронного двигуна?

2. Що необхідно зробити для того, щоб змінити напрямок обертання трифазного асинхронного двигуна?

3. Які переваги та недоліки трифазних асинхронних двигунів?

4. Як змінити частоту обертання ротора трифазного асинхронного двигуна?

5. Що називається ковзанням і в яких одиницях воно виражається?

6. Що можна сказати про пускові струми трифазних асинхронних двигунів з короткозамкненим і фазним роторами?

7. Чому пусковий струм трифазного асинхронного двигуна більший, ніж номінальний?

8. Що називається механічною характеристикою трифазного асинхронного двигуна?

9. Що називається перевантажувальною здатністю трифазного асинхронного двигуна та як вона визначається?

Схема 1. Для дослідження механічної характеристики трифазного асинхронного двигуна.

Лабораторна робота № 8 Тема: Дослідження напівпровідникового діода.

Мета роботи - зняти дослідним шляхом вольт-амперну характеристику германієвого або кремнієвого діода, а також вивчити цоколівки напівпровідникових діодів.

Теоретичні відомості

Напівпровідниковим діодом називається прилад, який складається з двох структур р та п і призначений для випрямлення змінного струму. Напівпровідник струк тури п дістають, додаючи в основний елемент (кремній або германій) невелику кількість домішки (п'ятивалентний елемент - миш'як або сурму), що дає змогу здобути велику кількість вільних електронів.. Щоб дістати недоста­чу електронів (дірок), у напівпровідники додають домішку індію або галію, що спричинює збіль шення кількості дірок і зменшення кількості електронів. Таким чином в одному напівпровіднику вдається створити дві області з різною електропровідністю (р та п). На межі між двома структурами різної електропровідності утворюється електронно-дірковий перехід - замикаючий або запірний, що має однобічну провідність. Якщо до напівпровідника прикласти зовнішню напругу (рис. 1, а) так, щоб негативний полюс джерела живлення GB був приєднаний до структури п, а позитивний - до структури р, то основні носії заряду (електрони зі структури п, а дірки - зі структури р) переміщатимуться до запірного шару й переходитимуть через нього. При цьому запірний шар зменшується і через нього проходить великий прямий струм І_пр (рис. 1, б). Якщо поміняти місцями полюси джерела живлення (рис. 1, в), то основні носії заряду будуть відтягуватися від запірного шару й він ростиме. Його опір збільшуєть­ся, а зворотний струм І_зв, який проходить, зменшується (рис. 1, г). Звідси можна зробити висновок, що струм через запірний шар проходить тільки в одному напрямку. Промисловістю випускається велика кількість різноманітних напівпровідникових приладів.. Для того щоб відрізнити їх один від одного

а) б)

в)

ці прилади кодують, використову­ючи буквено-цифровий код.

Перший елемент означає напівпровідниковий матеріал (буква або цифра):

Г або 1 - германій;

К або 2 - крем­ній;

А або 3 - сполуки галію;

И або 4 - сполуки індію

Другий елемент (буква) вказує тип напівпровідникових діодів:

Д - діоди випрямні та імпульсні;

Ц - випрямні стовпи та блоки;

В - варикапи;

И - тунельні діоди;

А - надвисокочастотні діоди;

С - стабілітрони та стабістори;

Г - генератори шуму;

Л - випромінюючі оптоелектронні прилади;

О - оптопари;

Н - діодні тиристори;

У - тріодні тиристори.

Третій елемент (цифра) визначає якісні можливості приладу. Кожний тип приладу утворює кілька підкласів:

діоди - дев'ять підкласів;

випрямні стовпи та блоки -чотири підкласи;

варикапи - два підкласи;

тунельні діоди - чотири підкласи;

надвисокочастотні діоди - вісім підкласів;

стабілітрони та стабістори -дев'ять підкласів;

генератори шуму - два підкласи;

оптопари - чотири підкласи;

діодні тиристори - два підкласи.

Випромінюючі оптоелектронні прилади поділяються на джерела інфрачервоного випромінювання та прилади візуального подання інформації; тріодні тиристори -на незапірні, запірні та симетричні.

Четвертий елемент означає порядковий номер розробки (від 01 до 99).

П'ятий елемент (буква) встановлює класифікацію приладу, що виготовлений за єдиною технологією. Як класифікаційна літера використовуються букви російського алфавіту, а як додаткові елементи - символи, що складаються із цифр (1...9) і букв.

Приклади позначень напівпровідникових діодів:

КД202А - кремнієвий випрямний діод, струм випрямлення не більше 10 А, номер розробки 2, група А.

АИ201И - арсенідогалієвий тунельний генераторний діод, номер розробки І, група И.

АЛ307А - арсенідогалієвий випромінюючий діод, номер розробки 7, група А.