3.5. Динамические параметры транзистора

Инерционность транзистора при быстрых изменениях входных токов обусловлена пролетом инжектированных носителей через базу, а также перезарядом барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов . Относительная роль этих факторов зависит от ширины базы, режима транзистора и сопротивления внешних цепей.

Рассмотрим сначала процессы в базе, пренебрегая влиянием емкостей. Роль последних будет рассмотрена позже. Кроме того, при анализе переходных процессов всегда пренебрегают сопротивлением коллекторного перехода .

Процессы в базе при включении ОБ. Пусть транзистор включен по схеме ОБ и пусть сначала эмиттерный ток равен нулю, а на коллектор подано постоянное обратное напряжение. При этом в цепи коллектора протекает ничтожный ток термогенерации, которым можно пренебречь. Транзистор, как говорят, находится в режиме отсечки. В некоторый момент времени зададим скачком эмиттерный ток (рис. 3.6). Для простоты положим , т.е. пренебрежем электронной составляющей эмиттерного тока. Инжектированные дырки распространяются вглубь базы постепенно. Они достигают коллектора только через время , которое называется временем задержки. После этого коллекторный ток начинает нарастать, но нарастает тоже постепенно, потому что скорость диффузии — величина средняя. У отдельных носителей скорости существенно различаются, так что носители, попавшие в базу одновременно, доходят до коллектора за разное время. В результате фронт коллекторного тока оказывается плавным и имеет конечную длительность .

При постоянном токе эмиттера функцию удобно записать в виде , где — переходная характеристика коэффициента . Именно она является предметом анализа переходных процессов в схеме ОБ. Параметром, определяющим длительность этих процессов, является постоянная времени . О ней подробно сказано ниже. В интервале , когда коллекторный ток еще отсутствует, ток базы равен току эмиттера . Затем, по мере нарастания коллекторного тока, ток базы уменьшается до установившегося значения . Получается характерный выброс базового тока.

Одновременно с током коллектора нарастают избыточные заряды в базе. В качестве 1-го приближения (оно практически оправдано) примем, что коллекторный ток и избыточные заряды нарастают по экспоненциальному закону с постоянной времени . Моделью такого переходного процесса является процесс заряда конденсатора в простейшей RС-цепочке под действием ступеньки тока (рис. 3.19). Установившееся значение заряда в такой цепочке имеет следующий вид:

где — постоянная времени.

Такую же форму имеет выражение (2-47) для установившихся избыточных зарядов в базе: , где . Величину называют средним временем диффузии.

Отсюда следует полезный вывод: постоянную времени можно получить, поделив установившееся значение избыточного заряда на заданный ток эмиттера . Таким образом, приняв экспоненциальное приближение для переходных характеристик, получаем .

Операторное изображение для коэффициента запишется в форме

(3.14)

т.е. переходная характеристика коэффициента передачи тока имеет вид:

(3.15)

Частотные характеристики коэффициента получим, заменяя в выражениях (5.50) или (5.52) оператор на :

, (3.16)

где — угловая граничная частота.

В справочниках часто приводят значение граничной частоты усиления по току в схеме с ОБ . Это частота, на которой модуль коэффициента передачи уменьшается до значения 0,7, где - коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах.

Следует иметь в виду, что комплексная величина может использоваться только в малосигнальной эквивалентной схеме (рис. 3.13), т.е. при анализе переменных составляющих. Полные токи в транзисторе не могут быть синусоидальными из-за выпрямляющих свойств p-n-перехода.

Влияние барьерных емкостей. Начнем с влияния емкости эмиттерного перехода (рис. 3.13). Поскольку барьерная емкость обусловлена изменениями ширины перехода, т.е. перемещениями основных носителей, ток перезаряда этой емкости не имеет отношения к инжекции и не входит в состав коллекторного тока. Следовательно, та часть тока эмиттера, которая ответвляется в барьерную емкость, приводит к уменьшению коэффициента инжекции.

Распределение тока эмиттера между барьерной емкостью и переходом зависит от соотношения сопротивлений этих двух цепей. Ограничимся переменными составляющими. Тогда за сопротивление перехода следует принять величину , а за сопротивление емкости ее операторный импеданс . Запишем часть тока , которая ответвляется в p-n-переход:

.

Именно эта величина подразумевалась в определении коэффициента инжекции под током . Заменяя ток на , нетрудно получить

, (3.17)

где

(3.18)

— постоянная времени эмиттерного перехода, она же — постоянная времени коэффициента инжекции.

Если = 25 Ом и = 1 пФ, то =0,025 нс. В этом случае обычно , так что постоянную времени можно не учитывать или учитывать в виде дополнительной задержки. Однако с уменьшением тока сопротивление растет и величина становится сравнимой с . Поэтому в микрорежиме с определенным приближением можно считать

. (3.19)

Тем самым роль эмиттерной барьерной емкости сводится к увеличению постоянной времени .

Теперь рассмотрим роль коллекторной барьерной емкости (рис. 3.13). Если осуществить на выходе короткое замыкание и по-прежнему пренебречь сопротивлением , то емкость окажется соединенной параллельно с сопротивлением . Постоянная времени такой цепочки называется постоянной времени базы:

. (3.20)

Например, если = 100 Ом и =1пФ, то =0,1 нс. Ток распределяется между внешней цепью (куда вошло сопротивление ) и емкостью . Следовательно, на высоких частотах внешний ток будет всегда меньше, чем . В частности, если положить , то именно постоянная времени базы ограничивает предельное быстродействие транзистора.

Если в цепь коллектора включено сопротивление , то в предыдущих рассуждениях нужно заменить сопротивление на . Обычно , поэтому инерционность токораспределения в коллекторной цепи будет определяться не постоянной времени , а постоянной времени . Несмотря на то, что величина не является параметром транзистора, (она зависит от внешнего элемента ), ее удобно рассматривать как составную часть параметра . Для этого введем понятие эквивалентной постоянной времени , которую по аналогии с (3.19) определим в виде суммы

. (3.21)

Если (что часто бывает), то величина практически не зависит от процессов в базе.