12. Биполярный транзистор (бт). Основные параметры и характеристики.

1) Принцип действия биполярного транзистора заключается в том, что пн переход расположен настолько близко друг к другу, что происходит их взяимное смещение.

2) В биполярном транзисторе имеется три слоя:

• Эмитор – слой с сильной электронной проводимостью

• База – слой с дырочной проводимостью

• Коллектор – слой со слабой электронной проводимостью.

К слоям приматывают внешнее напряжение так, что эмиторный переход в прямом направлении, а коллекторный – в обратном.

Но так как пн переход расположен близко, ток переходов попавший из эмитора в базу доходит и до коллекторного перехода. У хороших транзисторов потери тока составляют доли процентов.

3) Токи в БТ.

• Верхний ток – ток электронов из эмитора в коллектор. В эмиторе электронов много, поэтому ток большой. Попав в базу электроны продолжают движение за счёт диффузии. Но их концентрация около коллекторноо перехода будет мала, потому что там электроны сразу втягиваются в коллектор.

• Дрейфовый – он вызывается тем, что напряжение к базе прикладывается сбоку => размер базы больше.

• Электроны, которые встретились в базе с дырками и рекомбинировали. (это малый ток)

• Диффузионный – ток дырок и базы в эмиторе.

4) Управляют транзистором, прикладывая некоторое напряжение к эмиторному переходу.

Выходной ток не зависит от напряжения на коллекторе, если оно больше нуля.

13. Бт. Схема с общим эммитером.

1) Принцип действия биполярного транзистора заключается в том, что пн переход расположен настолько близко друг к другу, что происходит их взяимное смещение.

2) В биполярном транзисторе имеется три слоя:

• Эмитор – слой с сильной электронной проводимостью

• База – слой с дырочной проводимостью

• Коллектор – слой со слабой электронной проводимостью.

3) Схема с общим эмитором. Характеристики транзистора в этом режиме будут отличаться от характеристик в режиме с общей базой. В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, имеет место усиление не только по напряжению, но и по току. Входными параметрами для схемы с общим эмиттером будут ток базы, и напряжение на коллекторе, а выходными характеристиками будут ток коллектора и напряжение на эмиттере.

14. Бт. Схема с общим коллектором.

1) Принцип действия биполярного транзистора заключается в том, что пн переход расположен настолько близко друг к другу, что происходит их взяимное смещение.

2) В биполярном транзисторе имеется три слоя:

• Эмитор – слой с сильной электронной проводимостью

• База – слой с дырочной проводимостью

• Коллектор – слой со слабой электронной проводимостью.

3) Схема с общим коллектором.

Схема называется эмитерным повторителем, так как напряжение на эмиттере по полярности совподает с напряжением на входе и близко к нему по значению.

Выходное сопротивление эмиттерного повторителя зависит от сопротивления генератора и мало, когда сопротивление генератора мало. Малое выходное сопротивление эмиттерного повторителя является его, в действительности, ценным свойством. Благодаря этому свойству его выходное сопротивление эквивалентно генератору напряжения, которое мало изменяется при изменении сопротивления нагрузки.