2. Описание лабораторного макета.

Лабораторный макет (рис.24) позволяет исследовать транзисторные ПЧ по схемам с отдельным и совмещенным гетеродином. Переключение соответствующих схем производится с помощью переключателя . В положении "1" переключателя BI транзистор работает в усилительном режиме. Нагрузкой является трехконтурный фильтр сосредоточенной избирательности (ФСИ), настроенный на промежуточную частоту 465 кГц. Входной сигнал подается на входные гнезда "Вх.1" от высокочастотного генератора или и поступает на базу транзистора . С помощью переменного резистора можно регулировать постоянную составляющую тока эмиттера транзистора , величина которой контролируется с помощью миллиамперметра. Миллиамперметр размещен в правом верхнем углу лабораторного стенда и имеет пределы измерения "0,1", "I", "10" и "30 мА".

Выходные гнезда "Вых.1" и "Вых.2" предназначены для измерения напряжения на базе транзистора и на выходе ФСИ.

В положении - "2"' переключателя BI транзистор работает в режиме преобразования частоты. Роль отдельного гетеродина в этом случае выполняет второй высокочастотный генератор Г4-18 (Г4-42), который подключается к гнездам "Вх.2". Напряжение гетеродина через конденсатор подается на эмиттер транзистора. При исследовании схемы с совмещенным гетеродином переключатель устанавливается в положение “3”. Совмещенный гетеродин выполнен по схеме индуктивной трехточки. Напряжение сигнала посредством индуктивной связи поступает во входной контур 2, и далее на базу . Перестройка входного контура и гетеродина (4, ) осуществляется с помощью сдвоенного конденсатора переменной емкости (КПЕ) . Катушка 3 выполняет функции катушки связи. Переключатель позволяет исследовать погрешность сопряжения настроек входного и гетеродинного контуров. В положении “2” переключателя ко входному контуру подключается конденсатор , емкость которого можно изменять независимо от блока КПЕ с помощью ручки, выведенной на лицевую сторону макета (двуручечная настройка). В положении “3” переключателя по контуру гетеродина подключается емкость , срывающая колебания гетеродина, что позволяет исследовать резонансную характеристику входной цепи и её сопряжение с контуром гетеродина.

В работе используются два генератора сигналов высокочастотных (ГС) (), милливольтметр (МВ) , осциллограф .

Рис. 24.

3.Порядок проведения работы.

3.1. Исследование каскада в усилительном режиме.

3.1.1. Включить лабораторную установку и контрольно-измерительные приборы: генератор , милливольтметр, осциллограф. Переключатель поставить в положение “1”. Установить на выходе генератора модулированное напряжение с частотой 465 кГц. Величина напряжения сигнала – 3 мВ, глубина модуляции – . Подключить ко входу “Вх.1”, МВ - “Вых.3”. Потенциометр установить в крайне правое положение, потенциометром отрегулировать эмиттерный ток транзистора , установив его равным . Подстроить частоту генератора по максимальному показанию милливольтметра и определить частоту настройки ФСИ (промежуточную частоту f_пч).

3.1.2. Просмотреть и зарисовать осциллограммы напряжений на “Вых.2” и “Вых.3”.

3.1.3. Определить коэффициент усиления каскада на транзисторе по показаниям милливольтметра, подключаемого к гнездам “Вых.3” и “Вых.2”. Зная входное напряжение , равное выходному напряжению генератора, определить коэффициент усиления каскада с ФСИ.

3.1.4. Снять амплитудно-частотную характеристику каскада, изменяя частоту генератора и одновременно измеряя напряжение на выходе макета (“Вых.3”). частоту сигнала необходимо изменять от значений, при которых величина выходного напряжения будет равна , до , где – величина выходного напряжения на резонансной частоте. Частота сигнала изменяется в обе стороны от резонансной частоты. Частотную характеристик удобно снимать, предварительно пронормировав её по напряжению . Для этого на резонансной частоте с помощью аттенюатора на “Вых.3” устанавливается напряжение . Построить график амплитудно-частотной характеристики. Определить полосу пропускания на уровне 0,1 и на уровне 0,7. Рассчитать коэффициент прямоугольности:

.

3.1.5. Подстроить частоту по максимальному показанию милливольтметра. Изменяя потенциалом ток эмиттера транзистора в пределах от 0,1 до 2,0 мА, снять зависимость выходного напряжения от тока эмиттера . Построить график.