Окно измерений

При нажатии кнопкиоткрывается окно осциллографа (рис. 20).

Для запуска измерения необходимо нажать кнопку «Обновлять», а при снятии тем­пературных измерений нажать кнопку «Термостат». При нажатии вкладки «Настройки» в окне «Осциллограф» открывается окно настроек текущего измерения, где отображается текущий режим измерения и устанавливается время обновления измерения (рис.21). Если частота процессора невелика, можно увеличить время обновления (например, 3 с). В этом случае ПЭВМ будет успевать обрабатывать измерительную информацию и характе­ристики на экране не будут искажены.

Рис. 20. Окно «Осциллограф»

Рис. 21.Окно «Настройки»

Меню настройки

Меню настройки содержит две вкладки:

- Параметры;

- Термостат.

При нажатии вкладки «Параметры» открывается окно (рис. 22), содержащее вкладки:

- установки - содержит сведения об IP - адресе сервера и порта;

- образцы - содержит сведения об образцах, установленных в термокамере изме­рительного блока.

При нажатии вкладки «Термостат» в меню «Настройки» открывается окно настроек па­раметров термостат (рис. 23):

- установка начальной температуры измерений;

- установка конечной температуры измерений;

- установка шага измерения температуры.

Рис. 22. Окно «Параметры»

Рис.23. Окно «Термостат»

Порядок выполнения работы

1. Включить ПК, подать напряжение на измерительный блок с помощью тумблера (загорится сигнальная лампа «Сеть»). Прибор должен быть включен до запуска программы. Запустить программу «Биполярные структуры».

2. Замерить начальную температуру транзисторных структур.

3. Снять ВАХ и записать таблицу значений тока и напряжения указанных преподавателем диодных структур транзисторов.

При этом необходимо задать максимальные значения обратного и прямого напряжений для управляемого источника напряжения (УИН) и предельные значения измеряемого обратного и прямого токов.

Максимальный предел изменения прямого тока – 50мА, которое достигается при прямом смещении кремниевых структур на 0,7 – 1В и 0,4 – 0,7В для германиевых.

Обратный ток для кремниевых переходов составляет десятые – сотые доли микроампер, а у германиевых - единицы - сотни микроампер. На ВАХ диодов должно наблюдаться явление электрического пробоя.

4. Снять входные ВАХ и записать таблицу значений тока и напряжения исследуемого транзистора при двух различных значениях напряжения коллектор - эмиттер U_КЭ. Значение напряжения коллектор - эмиттер записать.

В данной лабораторной работе реализована возможность регистрации входных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером. При этом снимается зависимость напряжения база – эмиттер U_БЭ от тока базы I_Б при постоянном напряжении коллектор-эмиттер U_КЭ.

С помощью управляемого источника тока (УИТ) изменяется ток базы транзистора всегда в диапазоне от нуля до 1мА, а U_БЭ измеряется электронным вольтметром. Можно снять семейство входных характеристик при различных значениях напряжения U_КЭ (от нуля до 5В), задаваемых при помощи УИН.

6. Снять выходные ВАХ и записать таблицу значений тока и напряжения исследуемого транзистора при двух различных значениях тока базы I_Б. Значение тока базы записать.

В данной лабораторной работе реализована возможность регистрации выходных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером. При этом снимается зависимость тока коллектора I_К от напряжения коллектор – эмиттер U_КЭ при постоянном токе базы I_Б.

С помощью УИН изменяется U_КЭ транзистора в диапазоне от нуля до заданного предельного значения, при этом измеряется I_К. Можно снять семейство выходных характеристик при различных значениях I_Б (от нуля до 1 мА), задаваемых УИТ. Выбор необходимых значений I_Б осуществляется путем перемещения движка регулятора тока базы. Правильно выбирайте предел измерения по току коллектора. При смене значения I_Б, как правило, необходимо нажать кнопку «Авто».

7. Повторить работу по пунктам 3-6 при заданных преподавателем температурах.