Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
М у по ПОЛУпроводникам 2009.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
07.11.2018
Размер:
2.19 Mб
Скачать

Обработка результатов

Отчет формируется в любом текстовом редакторе.

Часть I «Исследование диодных структур» содержит:

- схемы диодных включений транзисторов с указанием их типов;

- графики ВАХ полупроводниковых диодов при различных температурах;

-сравнительные таблицы электрических параметров полупроводниковых диодов при различных температурах (см. табл. 4 и 5), используя полученные в ходе лабораторной таблицы значений токов и напряжений. Для сравнения выберите 10 – 15 значений во всем измеряемом диапазоне.

Табл. 4

Сравнительная таблица значений тока и напряжения полупроводниковых диодов в прямом включении электрического поля при различных температурах

Прямая ветвь ВАХ

Iпр, мА

Uпр, В

T1= , °С

T2= , °С

Кремневый диод (указать тип)

Германиевый диод (указать тип)

Кремневый диод (указать тип)

Германиевый диод (указать тип)

Табл. 5

Сравнительная таблица значений тока и напряжения полупроводниковых диодов в обратном включении электрического поля при различных температурах

Обратная ветвь ВАХ

Uобр, В

Iобр, мкА

T1= , °С

T2= , °С

Кремневый диод (указать тип)

Германиевый диод (указать тип)

Кремневый диод (указать тип)

Германиевый диод (указать тип)

- значения напряжений отпирания и пробоя диодов с указанием их на увеличенных ВАХ соответственно прямой и обратной ветвей;

- расчет сопротивления прямой и обратной ветви при различных температурах и фиксированных значениях напряжений соответственно прямого и обратного включений, а также график зависимости прямого и обратного сопротивлений от температуры.

В выводах пояснить принцип действия полупроводникового диода, опираясь на его ВАХ, охарактеризовать напряжения отпирания и пробоя. По полученным данным сделать выводы об изменении свойств полупроводнико-вых материалов в зависимости от температуры и сравнить их с теоретическими данными.

Часть II «Исследование транзисторных структур» содержит:

- схемы измерения входных и выходных характеристик транзистора с указанием его типа;

- серии входных ВАХ транзистора при различных значениях напряжения коллектор-эмиттер и температурах;

- сравнительные таблицы входных ВАХ транзистора при двух различных значениях UКЭ и температуры (см. табл. 6) с использованием полученных в ходе лабораторной таблицы значений токов и напряжений. Для сравнения выберите 10 – 15 значений во всем измеряемом диапазоне.

Табл. 6

Сравнительная таблица входных ВАХ транзистора (указать тип) при различных температурах

Входные ВАХ

Iб, А

UБЭ, В

Т1= , °С

Т2= , °С

UКЭ= , В

UКЭ= , В

UКЭ= , В

UКЭ= , В

- серии выходных ВАХ транзистора при различных значениях тока базы и температурах;

- сравнительные таблицы выходных ВАХ транзистора при двух различных значениях Iб и температуры (см. табл. 7) с использованием полученных в ходе лабораторной таблицы значений токов и напряжений. Для сравнения выберите 10 – 15 значений во всем измеряемом диапазоне.

Табл. 7

Сравнительная таблица выходных ВАХ транзистора (указать тип) при различных температурах

Выходные ВАХ

UКЭ, В

Iк, А

Т1= , °С

Т2= , °С

Iб = , А

Iб = , А

Iб = , А

Iб = , А

В выводах пояснить принцип действия полупроводникового транзистора, опираясь на его входные и выходные ВАХ, а также выявить, как изменяются электрические свойства транзистора при его нагреве.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.