- •Исследование свойств и характеристик полупроводниковых структур
- •Даются описание лабораторных установок, порядок выполнения работы, задания и краткие сведения из теории.
- •Редактор э.Б. Абросимова
- •Цель работы
- •Классификация полупроводниковых материалов
- •Электропроводимость полупроводников Собственная проводимость полупроводников
- •Примесная проводимость полупроводников
- •Простые полупроводниковые материалы Германий
- •Кремний
- •Электронно-дырочный переход при воздействии внешнего электрического поля
- •Переход металл - полупроводник
- •Невыпрямляющий (омический) переход
- •Выпрямляющий переход
- •Полупроводниковые приборы Полупроводниковые диоды
- •Биполярный транзистор
- •Диодные включения транзисторов
- •Содержание работы
- •Описание лабораторной установки
- •Описание програмного интерфейса Основное меню
- •Панель инструментов
- •Окно измерений
- •Меню настройки
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Часть I «Исследование диодных структур» содержит:
- •Часть II «Исследование транзисторных структур» содержит:
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
Обработка результатов
Отчет формируется в любом текстовом редакторе.
Часть I «Исследование диодных структур» содержит:
- схемы диодных включений транзисторов с указанием их типов;
- графики ВАХ полупроводниковых диодов при различных температурах;
-сравнительные таблицы электрических параметров полупроводниковых диодов при различных температурах (см. табл. 4 и 5), используя полученные в ходе лабораторной таблицы значений токов и напряжений. Для сравнения выберите 10 – 15 значений во всем измеряемом диапазоне.
Табл. 4
Сравнительная таблица значений тока и напряжения полупроводниковых диодов в прямом включении электрического поля при различных температурах
Прямая ветвь ВАХ |
||||
Iпр, мА |
Uпр, В |
|||
T1= , °С |
T2= , °С |
|||
Кремневый диод (указать тип) |
Германиевый диод (указать тип) |
Кремневый диод (указать тип) |
Германиевый диод (указать тип) |
|
|
|
|
|
|
Табл. 5
Сравнительная таблица значений тока и напряжения полупроводниковых диодов в обратном включении электрического поля при различных температурах
Обратная ветвь ВАХ |
||||
Uобр, В |
Iобр, мкА |
|||
T1= , °С |
T2= , °С |
|||
Кремневый диод (указать тип) |
Германиевый диод (указать тип) |
Кремневый диод (указать тип) |
Германиевый диод (указать тип) |
|
|
|
|
|
|
- значения напряжений отпирания и пробоя диодов с указанием их на увеличенных ВАХ соответственно прямой и обратной ветвей;
- расчет сопротивления прямой и обратной ветви при различных температурах и фиксированных значениях напряжений соответственно прямого и обратного включений, а также график зависимости прямого и обратного сопротивлений от температуры.
В выводах пояснить принцип действия полупроводникового диода, опираясь на его ВАХ, охарактеризовать напряжения отпирания и пробоя. По полученным данным сделать выводы об изменении свойств полупроводнико-вых материалов в зависимости от температуры и сравнить их с теоретическими данными.
Часть II «Исследование транзисторных структур» содержит:
- схемы измерения входных и выходных характеристик транзистора с указанием его типа;
- серии входных ВАХ транзистора при различных значениях напряжения коллектор-эмиттер и температурах;
- сравнительные таблицы входных ВАХ транзистора при двух различных значениях UКЭ и температуры (см. табл. 6) с использованием полученных в ходе лабораторной таблицы значений токов и напряжений. Для сравнения выберите 10 – 15 значений во всем измеряемом диапазоне.
Табл. 6
Сравнительная таблица входных ВАХ транзистора (указать тип) при различных температурах
Входные ВАХ |
||||
Iб, А |
UБЭ, В |
|||
Т1= , °С |
Т2= , °С |
|||
UКЭ= , В |
UКЭ= , В |
UКЭ= , В |
UКЭ= , В |
|
|
|
|
|
|
- серии выходных ВАХ транзистора при различных значениях тока базы и температурах;
- сравнительные таблицы выходных ВАХ транзистора при двух различных значениях Iб и температуры (см. табл. 7) с использованием полученных в ходе лабораторной таблицы значений токов и напряжений. Для сравнения выберите 10 – 15 значений во всем измеряемом диапазоне.
Табл. 7
Сравнительная таблица выходных ВАХ транзистора (указать тип) при различных температурах
Выходные ВАХ |
||||
UКЭ, В |
Iк, А |
|||
Т1= , °С |
Т2= , °С |
|||
Iб = , А |
Iб = , А |
Iб = , А |
Iб = , А |
|
|
|
|
|
|
В выводах пояснить принцип действия полупроводникового транзистора, опираясь на его входные и выходные ВАХ, а также выявить, как изменяются электрические свойства транзистора при его нагреве.