Порядок виконання роботи.

1. Ввімкнути універсальний місток (омметр) і виміряти опір металевого провідника і напівпровідника при кімнатній температурі.

2. Ввімкнути в електричну мережу термостат. Через виконати не менше 10 вимірювань опору зразків.

3. Результати записати в таблицю.

Номер досліду	Температура			Опір провідника, R, Ом	Опір напівпровідника
			, К-1		R, Ом	ln R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

4. Згідно даних досліду побудувати графіки залежності:

а) опору провідника від температури ;

б) від для напівпровідника.

5. Згідно графіка знайти провідника і напівпровідника при і .

6. Знайти чисельне значення температурного коефіцієнта опору і енергії активації . Для розрахунку використати формулу

.

Контрольні запитання.

1. В чому полягає відмінність між напівпровідниками, діелектриками і провідниками з точки зору зонної теорії?

2. Як пояснити, що з підвищенням температури опір металу зростає, а напівпровідника зменшується?

3. Який фізичний зміст енергії активації напівпровідника?

Варіант	1	2	3	4	5	6	7	8	9	0
Номер задачі	671	672	673	674	675	676	677	678	679	680

[1], [2]

Лабораторна робота №56

ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ Р-N ПЕРЕХОДУ

Мета роботи: а) ознайомитись з фізичними властивостями р-n переходу; б) побудувати пряму і зворотну вольтамперні характеристики; в) визначити залежність опору діода від прикладеної напруги в прямому і зворотному напрямках.

Обладнання: напівпровідниковий діод Д, змонтований на шасі (рис.3), джерело постійного струму з ЕРС: і (можливе використання джерела живлення УИП-5), вольтметри: а) з верхньою межею вимірювання в 5-10 В, б) з верхньою межею в 300 В, міліамперметр багатомежний , мікроамперметр багатомежний, низькоомний і високоомний реостати, перемикач К, з’єднувальні провідники.

Напівпровідниковий діод являє собою замкнений в герметичну оболонку спай напівпровідникових кристалів з електронною (n-типу) і дірковою (р-типу) провідностями. В практиці розповсюджені германієві і кремнієві діоди, а також селенові випрямлячі.