Федеральное агентство по образованию
РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИМЕНИ ИММАНУИЛА КАНТА
Факультет биоэкологии
Кафедра химии
Допустить к защите
Зав. кафедрой химии декан факультета биоэкологии
д-р хим. наук, профессор д-р биол. наук, профессор
___________ Фунтиков В.А. _____________ Дедков В.П.
«___» ___________2009 г. «___» ___________2009 г.
ДИПЛОМНАЯ РАБОТА
Название дипломной работы
по специальности 020101 – химия
студента(ки) V(VI) курса
очной (очно-заочной) формы обучения
Сидорова(вой) Е.А. ________
«___» ___________ 2009 г.
Научный руководитель:
научн. степень, звание
________ Исаев(а) А.П.
«___» ___________ 2009 г.
Рецензент:
научн. степень, должность, организация
_______ Мюллер В.А.
«___» ___________ 2009 г.
Калининград
2009
Приложение 2
Федеральное агентство по образованию
РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИМЕНИ ИММАНУИЛА КАНТА
Факультет биоэкологии
Кафедра химии
КУРСОВАЯ РАБОТА
Название дипломной работы
по специальности 020101 – химия
студента(ки) III, IV(V) курса
очной (очно-заочной) формы обучения
Сидорова(вой) Е.А. ________
«___» ___________ 2009 г.
Научный руководитель:
научн. степень, звание
________ Исаев(а) А.П.
«___» ___________ 2009 г.
Калининград
2009
Приложение 3
Федеральное агентство по образованию
РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИМЕНИ ИММАНУИЛА КАНТА
Факультет биоэкологии
Кафедра химии
Допущен(а) к защите
Зав. каф. химии
д.х.н., проф. Фунтиков В.А.
_______________ 2009 г.
КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА
Название квалификационной работы
по педагогике (специальность 020101 – химия)
студента(ки) III, IV(V) курса
очной (очно-заочной) формы обучения
Сидорова(вой) Е.А. ________
«___» ___________ 2009 г.
Научный руководитель:
научн. степень, звание
________ Исаев(а) А.П.
«___» ___________ 2009 г.
Калининград
2009
Приложение 4
Оформление рисунков в курсовой и дипломной работах (пример 1)
Рис.1.1. Схематичный график температурной зависимости магнитной восприимчивости () стеклующихся расплавов в области перехода полупроводник-металл (а) и предполагаемая диаграмма состояния псевдобинарной системы полупроводник(S)-металл(M) (б). Линия АВС соответствует реально наблюдаемым состояниям расплава в области перехода полупроводник-металл (П-М). Тb - температура начала перехода П-М; Tt - температура, при которой величина d/dT максимальна; Тf - температура конца перехода П-М; М - линия монотектического равновесия; Е - линия эвтектического равновесия; L1 - ковалентно-увязанная жидкая фаза; L2 - металлическая жидкая фаза; Qs - ковалентно-увязанная кристаллическая фаза; Qm - металлическая кристаллическая фаза. Иллюстрации приведены для случая Тm < Тb, где Тm - температура плавления простого вещества, химического соединения или температура ликвидуса для промежуточного сплава.
Приложение 5