- •Вопрос 1.
- •Вопрос 2.
- •Вопрос 3.
- •Вопрос 4.
- •Вопрос 5.
- •Вопрос 6.
- •Вопрос 7.
- •Вопрос 8.
- •Вопрос 9.
- •Вопрос 10.
- •Вопрос 11.
- •Вопрос 12.
- •Вопрос 13.
- •Вопрос 14.
- •Вопрос 15.
- •Вопрос 16.
- •Вопрос 17.
- •Вопрос 18.
- •Вопрос 19.
- •Вопрос 20.
- •Вопрос 21.
- •Вопрос 22.
- •Вопрос 23.
- •Вопрос 24.
- •Вопрос 25.
- •Вопрос 26.
- •Вопрос 27.
- •Вопрос 28.
- •Вопрос 29.
- •Вопрос 30.
- •Вопрос 31.
- •Вопрос 32.
- •Вопрос 33.
- •Вопрос 34.
- •Вопрос 35.
- •Вопрос 36.
- •Вопрос 37.
- •Вопрос 38.
- •Вопрос 39.
- •Вопрос 40.
- •Вопрос 41.
- •Вопрос 42
- •Вопрос 48.
- •Вопрос 49
- •Вопрос 52.
- •Вопрос 53.
- •Вопрос 54.
- •Вопрос 55.
- •Вопрос 56.
- •Вопрос 57.
- •Вопрос 58.
- •Вопрос 59.
- •Вопрос 61.
- •Вопрос 62.
- •Вопрос 70.
- •Вопрос 71.
Вопрос 23.
Светоизлучающие диоды. При подаче прямого напряжения в . некоторых р-п переходах из-за интенсивной инжекции электро- ; нов в р-область, где они рекомбинируют с дырками, наблюдается ^ инжекционная электролюминесценция. Это явление используют в светоизлучающих диодах, преобразующих энергию электрического тока в энергию видимого или инфракрасного излучения. Процесс рекомбинации состоит в переходе электронов из зоны , проводимости в валентную зону и сопровождается выделением избыточной энергии. Часть этой энергии расходуется на нагревание кристалла, а остальная излучается в виде квантов света.
Вопрос 24.
Туннельные и обращенные диоды. Несмотря на то что туннельные диоды представляют собой двухполюсники, их используют для усиления и генерирования электрических колебаний. Туннельные диоды изготовляют из полупроводниковых материалов с высокой концентрацией примеси, называемых вырожденными полупроводниками. Запирающий слой в них уже, чем ) в обычных диодах (0,1—0,2 мкм), чем объясняется значительно большая напряженность электрического поля, обусловленная контактной разностью потенциалов (до 106 В/см0. Основными параметрами туннельных диодов я в л я ют с я: токи /п и /в и напряжения Ип и ИВ пика и впадины вольт-амперной характеристики; напряжение раствора 1!рр — прямое напряжение на второй восходящей ветви характеристики (точка 3 на рис. 55, а), при котором /Пр = /п;
Вопрос 25.
Фотодиоды. Принцип действия фотодиодов основан на внутреннем фотоэффекте, состоящем в генерации под действием света электронно-дырочных пар в р-п переходе, в результате чего увеличивается концентрация основных и не основных носителей заряда в его объеме. Обратный ток фотодиода определяется концентрацией не основных носителей и, следовательно, интенсивностью облучения. Такой режим работы прибора называют фотодиодным. Кроме того, используют фотогальванический режим, который состоит в том, что при освещении непосредственно р-п перехода образующиеся в нем электронно-дырочные пары разделяются электрическим полем, обусловленным контактной разностью потенциалов. В результате на выводах прибора появляется фотоэлектродвижущая сила, а при его включении в замкнутую цепь — электрический ток. Фотодиоды, работающие в фотогальваническом режиме, используют в преобразователях солнечной энергии в электрическую . Фототранзисторы. В отличие от фотодиодов, которые обладают невысокой чувствительностью, так как не усиливают фото-ток, фототранзисторы являются активными элементами цепи, поскольку не только образуют фототок, зависящий от освещенности, но и усиливают его.
Вопрос 26.
Оптроны (оптопары). Полупроводниковые приборы, состоящие из заключенных в общий корпус светоизлучающего диода и фотодиода, фототранзистора или фототиристора, называют оптронами. Основное назначение оптронов — гальваническая развязка электрических цепей, между которыми существует оптическая связь для передачи информации.
Вопрос 27.
Интегральные микросхемы (ИМС) представляют собой микроэлектронные изделия, имеющие высокую | плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов). Элементы интегральной микросхемы, реализующие функцию какого-либо электрорадиоэлемента (например, транзистора, диода, конденсатора), неотделимы от нее и поэтому их нельзя отдельно испытывать или эксплуатировать в других устройствах.