- •7.Применения интерференции:
- •8. Дифракция – явление отклонения света от прямолинейного направления распространения при прохождении вблизи препятствий.
- •9.Дифракция Фраунгофера на щели:
- •26. Гіпотеза де Бройля та її експериментальне підтвердження. Хвиля де Бройля.
- •27. Співвідношення невизначеностей Гейзенберга
- •28. Хвильова функція та її властивості. Фізичний зміст.
- •29.Рівняння Шредингера для стаціонарного стану
- •30. Частица в одномерной потенциальной яме.
- •31. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект.
- •1) Коэффициент прозрачности
- •2) Коэффициент отражения
- •33. Опыты Штерна и Герлаха. Спин. Спино-орбитальное взаимодействие.
- •35. Спонтанные и вынужденные переходы
- •37.Газові лазери. Властивості лазерного випромінювання.
- •42. Собственная проводимость полупроводников.
- •43. Примесная проводимость полупроводников.
- •44. Фотопроводимость полупроводников. Внутренний фотоэффект.
- •46. Принцип роботи напівпровідникового транзистора.
- •47. Контактна різниця потенціалів.
- •48. Явища Заєбека, Пельтьє, Томсона.
- •19. Явище зовнішнього фотоефекту. Рівняння Енштейна.
46. Принцип роботи напівпровідникового транзистора.
В отсутствие внешних напряжений, между слоями устанавливается разность потенциалов. На переходах устанавливаются потенциальные барьеры. Причем, если количество дырок в эмиттере и коллекторе одинаковое, тогда и потенциальные барьеры будут одинаковой ширины.
PNP переход. (Рисуйте эти рисунки, они объясняют всю суть)
.
Под действием напряжения Uэ, эмиттерный переход смещается в прямом направлении. При прямом смещении электронно-дырочного перехода, внешнее поле направлено противоположно полю перехода и поэтому уменьшает его. Через переход начинают проходить основные носители,. Так как количество дырок в эмиттере больше, чем электронов в базе, то эмиттерный ток обусловлен в основном ими, а также, самое главное, из двух PN-переходов.
47. Контактна різниця потенціалів.
Контактная разность потенциалов — это разность потенциалов, возникающая при соприкосновении двух различных твердыхпроводников, имеющих одинаковуютемпературу. Различают внутреннюю и внешнюю разности потенциалов в зависимости от того, рассматриваются ли потенциалы эквипотенциального объема контактирующих проводников или же потенциалы вблизи их поверхности.
Контактная разность потенциалов не может быть измерена вольтметромнапрямую, однако может проявляться навольт-амперных характеристикахконтакта.
48. Явища Заєбека, Пельтьє, Томсона.
Эфект Заебека: если спаи двух разнородных металлов, образующих замкнутую электрическую цепь, имеют неодинаковую температуру, то в цепи протекает электрический ток
где Тг – температура горячего спая и Тx – температура холодного спая.
- постоянная термопары.
Эффектом Пельтье - явление выделения или поглощения дополнительной теплоты, помимо джоулева тепла, в контакте двух различных проводников в зависимости от направления, по которому течет электрический ток.
где: Q — количество выделенного или поглощённого тепла;
I - сила тока;
t — время протекания тока;
- коэффициент Пельтье, (Альфа умножить на Т, Альфа- коэффициент термо-ЭДС)
Эффект Томсона состоит в том, что при прохождении тока по неравномерно нагретому проводнику происходит дополнительное выделение или поглощение теплоты, аналогично тому, как это имеет место в эффекте Пельтье.
Поскольку различные участки проводника нагреты неодинаково, то и их физические состояния различаются. Неравномерно нагретый проводник ведет себя как система находящихся в контакте физически разнородных участков.
где — коэффициент Томсона.
19. Явище зовнішнього фотоефекту. Рівняння Енштейна.
зовнішній фотоефект – виривання електронів з речовини під дією світла;
Якщо енергія фотона рівна або перевищує роботу виходу, то електрон вилітає з металу. При цьому частина енергії фотона витрачається на здійснення роботи виходу , а решта частини переходить в кінетичну енергію фотоелектрона:
20. Квантова природа світла. Маса, імпульс та енергія фотона.
Квантовая природа света выражается в том , что вся энергия , заключённая в кванте света , поглащается молекулой сразу и без остатка :
масса фотона:
импульс фотона:энергия фотона :
21. Тиск світла.
Давление электромагнитного излучения, давление света — давление, которое оказываетсветовое(и вообщеэлектромагнитное) излучение, падающее наповерхностьтела.Это можно объяснить передачей фотонами своего импульса атомам или молекулам на поверхность метала на которую падает свет .
N– число фотонов, падающих в единицу времени на единицу площади поверхности,– коэффициент отражения поверхности
22. Ефект Комптона.
Эффе́кт Ко́мптона (Ко́мптон-эффе́кт, ко́мптоновское рассе́яние) — некогерентное рассеяние электронов на свободных электронах, некогерентность означает, что фотоны до и после рассеяния не интерферируют. Эффект сопровождается изменением частоты фотонов, часть энергии которых после рассеяния передается электронам
масса покоя электрона
23) Модель атома Томсона и Резерфорда
Модель Томсона состояла из массивного ядра и внедренных в это ядро электронов.
Резерфорд представляет простейшую планетарную модель «атома водорода»
Опыт: прохождение альфа-частиц через металл.
Результат: большинство альфа-частиц проходили без отклонения, другие (1 из 20000) отклонялись от начального направления.
24) Спектр атома Водорода:
Присущие полностью устойчивой стационарное состояние с соответствующими значениями E1, E2, E3…Прибывая в котором атом не излучает и не поглощает электромагнитные волны.
25) Постулаты Бора:
Атомная система может находится только в особых стационарных или квантовых состояниях, каждому из которых соответствует определенная энергия En. В стационарных состояниях атом не излучает.
при переходе атома из одного стационарного состояния с энергией En в другое стационарное состояние с энергией Em излучается или поглощается квант, энергия которого равна разности энергий стационарных состояний: hνnm = En – Em