- •7.Применения интерференции:
- •8. Дифракция – явление отклонения света от прямолинейного направления распространения при прохождении вблизи препятствий.
- •9.Дифракция Фраунгофера на щели:
- •26. Гіпотеза де Бройля та її експериментальне підтвердження. Хвиля де Бройля.
- •27. Співвідношення невизначеностей Гейзенберга
- •28. Хвильова функція та її властивості. Фізичний зміст.
- •29.Рівняння Шредингера для стаціонарного стану
- •30. Частица в одномерной потенциальной яме.
- •31. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект.
- •1) Коэффициент прозрачности
- •2) Коэффициент отражения
- •33. Опыты Штерна и Герлаха. Спин. Спино-орбитальное взаимодействие.
- •35. Спонтанные и вынужденные переходы
- •37.Газові лазери. Властивості лазерного випромінювання.
- •42. Собственная проводимость полупроводников.
- •43. Примесная проводимость полупроводников.
- •44. Фотопроводимость полупроводников. Внутренний фотоэффект.
- •46. Принцип роботи напівпровідникового транзистора.
- •47. Контактна різниця потенціалів.
- •48. Явища Заєбека, Пельтьє, Томсона.
- •19. Явище зовнішнього фотоефекту. Рівняння Енштейна.
42. Собственная проводимость полупроводников.
При повышении температуры тепловые колебания решетки приводят к разрыву некоторых валентных связей. Часть электронов отрывается и становится свободными. На месте, где был электрон, образуется дырка., которая может быть заполнена электроном из соседней пары. При условии отсутствия электрического поля, движение электронов и дырок хаотическое. В электрическом поле электроны движется против поля, а дырки – по полю. Возникновение такого явления и определяет собственную проводимость.
43. Примесная проводимость полупроводников.
На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают донорные и акцепторные.
Донорная примесь — это примесь с большей, чем у кристалла, валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуются дополнительные свободные электроны. Именно поэтому примесь называется донорной. Преобладает электронная проводимость, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью n = 4 донорной примесью является мышьяк с валентностью n = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости.
Акцепторная примесь — это примесь с меньшей чем у кристалла валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Преобладает «дырочная» проводимость, а полупроводник называют полупроводником p-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью n = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».
44. Фотопроводимость полупроводников. Внутренний фотоэффект.
Фотопроводимость полупроводников — увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения — может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей. При поглощении фотонов, соответствующих собственной полосе поглощения полупроводника, т. е. когда энергия фотонов равна или больше ширины запрещенной зоны (h E), могут совершаться перебросы электронов из валентной зоны в зону проводимости, что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне). В результате возникает собственная фотопроводимость, обусловленная как электронами, так и дырками.
Внутренний фотоэффект - это вызванные электромагнитным излучением переходы электронов внутри полупроводника или диэлектрика из связанных состояний в свободные без вылета наружу. В результате концентрация свободных носителей заряда внутри тела увеличивается, что приводит к возникновению фотопроводимости (повышению электропроводности полупроводника или диэлектрика при его освещении) или к возникновению э.д.с.
45. р-n–переход.
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на свойствах р-n–перехода. При приведении в контакт двух полупроводниковых приборов р-типа и n-типа в месте контакта начинается диффузия электронов из n-области в p-область, а «дырок» — наоборот, из р- в n-область. Этот процесс будет не бесконечным во времени, так как образуется запирающий слой, который будет препятствовать дальнейшей диффузии электронов и «дырок».
р-n–контакт полупроводников, подобно вакуумному диоду, обладает односторонней проводимостью: если к р-области подключить «+» источника тока, а к n-области «-» источника тока, то запирающий слой разрушится и р—n-контакт будет проводить ток, электроны из n-области пойдут в p-область, а «дырки» из p-области в n-область. В первом случае ток не равен нулю, во втором — ток равен нулю. Это означает, что если к р-области подключить «-» источника, а к n-области — «+» источника тока, то запирающий слой расширится и тока не будет.