Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования «Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики»

Хабаровский институт инфокоммуникаций (филиал)

Кафедра «Многоканальных телекоммуникационных систем

и общепрофессиональных дисциплин»

ТЕМЫ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ И ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАДАНИЙ

по дисциплине ОП.02 Электронная техника

Лабораторные работы

1. Знакомство с оборудованием, измерительными приборами, правилами БТ, с программой «Electronic s Workbench»

2. Исследование выпрямительного диода

3. Исследование стабилитрона.

4. Исследование биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

5. Исследование биполярного транзистора в схеме с общей базой.

6. Работа усилительного элемента с нагрузкой.

7.Исследование полевого транзистора с управляющим PN-переходом.

8 Исследование тринистора.

9 Исследование резистивного каскада.

10. Исследование эмиттерного повторителя.

11. Исследование широкополосного усилителя с цепями коррекции амплитудно-частотной характеристики (АЧХ).

12. Исследование бестрансформаторного каскада.

13. Исследование многокаскадного усилителя.

14Исследование дифференциального усилителя

15. Исследование операционного усилителя.

Практические задания

1.Графический анализ работы транзистора.

2. Расчет параметров биполярных и полевых транзисторов по вольт-амперным характеристикам (ВАХ)

3. Работа со справочником по электронным приборам.

4. Расчет резистивного каскада.

5. Расчет широкополосного усилителя.

6. Расчет двухтактного бестрансформаторного каскада

7. Расчет дифференциального усилителя.

8. Составление и расчет схем на операционных усилителях ( ОУ).

9. Чтение схем усилителей с использованием интегральных микросхем.

10.Чтение схем многокаскадных усилителей с использованием отрицательных обратных связей ( ООС)

Критерии оценки:

- оценка «зачтено» выставляется обучающемуся, если выполнены все задания по содержанию работы в соответствии с требованиями

• оценка «не зачтено» выставляется обучающемуся, если требования по оформлению не выполнены, расчёты произведены с ошибками

Федеральное агентство связи

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования «Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики»

Хабаровский институт инфокоммуникаций (филиал)

Кафедра «Многоканальных телекоммуникационных систем

и общепрофессиональных дисциплин»

КОМПЛЕКТ ЗАДАНИЙ ДЛЯ РУБЕЖНОГО КОНТРОЛЯ

по дисциплине ОП.02 Электронная техника

РАЗДЕЛ 1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Тема 1.1 Физические основы полупроводниковых приборов

Тема 1.2 Полупроводниковые диоды

Тема 1.3 Биполярные транзисторы

ХИИК(филиал) ФГБОУ ВО «СибГУТИ» СПО

Председатель ПЦК_____________ «___»_______________ 2017

Вариант 1  по дисциплине ОП.02 Электронная техника Группа МТС-210,220, РРТ-210,220,  ССиСК 210,220. Семестр 3

1. Начертить схему включения биполярного транзистора типа NPN с ОБ. Пояснить свойства схемы.

2. Обозначить на схеме входное и выходное напряжение, полярность источников питания эмиттерного и коллекторного переходов.

3. Показать на схеме стрелками направления токов I_б, I_к, I_э. Записать какой ток является входным, какой выходным.

4. Объяснить, когда выпрямительные диоды включаются последовательно и почему.

5. Привести примерные характеристики транзистора и определить по ним входное сопротивление в схеме с ОЭ.

Преподаватель_______________И.Н. Набатникова

ХИИК(филиал) ФГБОУ ВО «СибГУТИ» СПО

Председатель ПЦК_____________ «___»_______________ 2017

Вариант 2  по дисциплине ОП.02 Электронная техника Группа МТС-210,220, РРТ-210,220,  ССиСК 210,220. Семестр 3

1. Начертите схему включения биполярного транзистора типа PNP с ОК. Пояснить свойства схемы.

2. Указать на схеме стрелками направление токов I_б, I_к, I_э. Записать баланс токов в транзисторе.

3. Обозначить на схеме входное и выходное напряжения, полярность источников питания эмиттерного и коллекторного переходов.

4. Дать понятие варикапа. Привести схему его включения. Какое свойство перехода используется в нем?

5. Привести примерные характеристики биполярного транзистора с ОБ и определить по ним h_12б.

Преподаватель_______________И.Н. Набатникова

ХИИК(филиал) ФГБОУ ВО «СибГУТИ» СПО

Председатель ПЦК_____________ «___»_______________ 2017

Вариант 3  по дисциплине ОП.02 Электронная техника Группа МТС-210,220, РРТ-210,220,  ССиСК 210,220. Семестр 3

1. Начертить схему включения биполярного транзистора типа NPN с ОЭ. Пояснить свойства схемы.

2. Указать на схеме стрелками направления токов I_б, I_к, I_э. Записать, какой ток является входным, какой выходным.

3. Обозначить на схеме входное и выходное напряжение, полярность источников питания эмиттерного и коллекторного переходов.

4. Привести примерные характеристики биполярного транзистора и определить по ним его выходную проводимость в схеме с ОЭ.

5. Дать понятие электрического пробоя. В каком полупроводниковом диоде используется это свойство. Зарисовать ВАХ и указать рабочий участок.

Преподаватель_______________И.Н. Набатникова

ХИИК(филиал) ФГБОУ ВО «СибГУТИ» СПО

Председатель ПЦК_____________ «___»_______________ 2017

Вариант 4  по дисциплине ОП.02 Электронная техника Группа МТС-210,220, РРТ-210,220,  ССиСК 210,220. Семестр 3

1. Начертить схему включения биполярного транзистора типа PNP с ОБ. Пояснить свойства схемы.

2. Указать на схеме стрелками токи I_б, I_к, I_э. Записать какой ток является входным, какой – выходным.

3. Обозначить на схеме входное и выходное напряжения, полярность источников питания эмиттерного и коллекторного переходов.

4. Дать понятие полупроводника типа Р и N. Назвать основные и неосновные носители заряда. Как называется примесь в таких полупроводниках. Где используются полупроводники Р и N типа.

5. Привести примерные характеристики транзистора с ОБ и определить по ним h_11б.

Преподаватель_______________И.Н. Набатникова

ХИИК(филиал) ФГБОУ ВО «СибГУТИ» СПО

Председатель ПЦК_____________ «___»_______________ 2017

Вариант 5  по дисциплине ОП.02 Электронная техника Группа МТС-210,220, РРТ-210,220,  ССиСК 210,220. Семестр 3

1. Начертить схему включения биполярного транзистора типа PNP с ОЭ. Пояснить свойства схемы.

2. Обозначить на схеме входное и выходное напряжения, полярность источников питания эмиттерного и коллекторного переходов.

3. Указать на схеме стрелками направления токов I_б, I_к, I_э. Записать, какой ток является входным, какой - выходным.

4. Зарисовать схему включения полупроводникового выпрямительного диода. Какое свойство перехода используется в нем?

5. Привести примерные характеристики биполярного транзистора и определить графически h_11э.

Преподаватель_______________И.Н. Набатникова

ХИИК(филиал) ФГБОУ ВО «СибГУТИ» СПО

Председатель ПЦК_____________ «___»_______________ 2017

Вариант 6  по дисциплине ОП.02 Электронная техника Группа МТС-210,220, РРТ-210,220,  ССиСК 210,220. Семестр 3

1. Начертить схему включения биполярного транзистора типа NPN с ОК. Пояснить свойства схемы.

2. Указать на схеме стрелками направление всех токов. Записать уравнение токов в транзисторе.

3. Обозначить на схеме полярность источников питания эмиттерного и коллекторного переходов, входное и выходное напряжения.

4. Зарисовать ВАХ туннельного диода. Указать рабочий участок. Назвать основные параметры.

5. Привести примерные характеристики биполярного транзистора и определить по ним коэффициент передачи по току в схеме с ОБ.

Преподаватель_______________И.Н. Набатникова

Критерии оценки:

• оценка «отлично» выставляется обучающемуся, если количество правильно выполненных заданий равно пяти

• оценка «хорошо» выставляется обучающемуся, если количество правильно выполненных заданий равно четырём

• оценка «удовлетворительно» выставляется обучающемуся, если количество правильно выполненных заданий равно трём

• оценка «неудовлетворительно» выставляется обучающемуся, если количество правильно выполненных заданий менее трёх.