1.6. Обозначение резисторов и конденсаторов

На рис. 1.5 даны примеры обозначения резисторов и конденсаторов.

Обозначение постоянного резистора представлено на рис. 1.5, а. Величина номинальной мощности рассеяния от 0,05 до 5 Вт указывается внутри условного обозначения с помощью знаков: 5 Вт (V); 2 Вт (II); Вт (I); 0,5 Вт (–); 0,25 Вт (\); 0,125 (\\); 0,05 Вт (///).

Рис. 1.5. Резисторы, конденсаторы

На рис. 1.5, б показано обозначение переменного резистора: общее обозначение без разрыва цепи и с разрывом цепи. На рис. 1.5, в аналогично приведено обозначение резистора подстроечного. На рис. 1.5, г приведены резисторы, сопротивление которых зависит от давления р, температуры t, напряжения U. Размеры условных обозначений даны на рис. 1.5, д. Конденсаторы постоянной емкости имеют общее обозначение, представленное на рис. 1.5, е.

Для уточнения типа конденсатора применяются обозначения рис. 1.5, ж – полярный электролитический конденсатор, рис. 1.5, з – неполярный электролитический конденсатор.

Чтобы показать конденсатор переменной емкости, применяется соответствующий знак регулирования (рис. 1.5, и). Размеры условных обозначений конденсаторов даны на рис. 1.5, к.

1.7. Обозначение полупроводниковых приборов

В приборах автоматики находят применение элементы выпрямления, стабилизации, усиления сигналов. Условные обозначения полупроводниковых приборов даны на рис. 1.6.

Рис. 1.6. Приборы полупроводниковые

Общее обозначение полупроводникового диода представлено на рис. 1.6, а. Для уточнения физических свойств, лежащих в основе работы диода, применяются уточняющие знаки, так, на рис. 1.6, б показано обозначение одностороннего стабилизатора, на рис. 1.6, в – двухстороннего стабилизатора, на рис. 1.6, г – варикапа (управляемой полупроводниковой емкости). На рис. 1.6, е дано обозначение тиристора (динистора – диодного тиристора), на рис. 1.6, ж, з приведены триодные незапираемые тиристоры с управлением соответственно по аноду и катоду.

Триодный симметричный тиристор (симистор) показан на рис. 1.6, и. Размеры условных обозначений диодов и тиристоров даны на рис. 1.6, д, и. Для упрощения изображения тиристоры могут выполняться в зеркальном изображении. Согласно ГОСТ 2.730–73 зачернять изображение не следует.

Транзисторы типа p-n-p имеют обозначение, приведенное на рис. 1.6, л, а типа n-p-n – на рис. 1.6, м, при этом допускается обозначение без окружности. Линии электрической связи от эмиттера и коллектора проводятся в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно линии вывода базы (рис. 1.6, н). На рис. 1.6, н показано обозначение однопереходного транзистора (двухбазового диода) с n-базой. Полевые транзисторы имеют обозначение, приведенное на рис. 1.6, р – для транзистора с n-каналом, на рис. 1.6, e – транзистора с каналом р-типа. На рис. 1.6, м изображен полевой транзистор с двумя изолированными затворами объединенного типа с каналом и с выводом от подложки. Размеры условного обозначения полевого транзистора даны на рис. 1.6, о.

Наличие фотоэлектрического эффекта показывается стрелками, направленными к прибору-приемнику. Пример обозначения фоточувствительных приборов приведен на рис. 1.6, ф – фоторезистор, на рис. 1.6, д – фотодиод. Эффект оптического излучения обозначают стрелками, направленными от обозначения прибора-излучателя, например, обозначение светодиода, приведенного на рис. 1.6, ч. В оптоэлектронных приборах излучатель и приемник совмещаются в одном корпусе, как показано на рис. 1.6, ч для диодного оптрона. Размеры обозначений приведены на рис. 1.6, у.