
литература / Пухальский Проектирование микропроцессорных систем 2001
.pdf200 |
Глава 3. Интерфейсные БИС |
INTRa = INTEa ■IBFa - |
Q pca ■IBFA— сигнал запроса прерывания для ввода из порта РА, |
INTRa = INTEa ■OBFA = Q m ■OBFA— сигнал запроса прерывания для вывода в порт РА,
lNTRg = INTEB ■1BFB ~ Qpci ■IBFB— сигнал запроса прерывания для ввода из порта РВ, 1NTRB - INTEB ■OBFB= Q pci ■ОВГв — сигнал запроса прерывания для вывода в порт РВ,
где <2/>с4> О р с ь 11 Q p c 2 — триггеры 4, 6 и 2 регистра памяти порта PC; INTRA, INTRB (Interrupt Request) — сигналы запроса прерывания, подаваемые на контроллер прерываний 8259; INTEA, INTEB (Interrupt Enable) — разрешение прерывания (разрешение генерации сигналов запроса прерывания INTRA и INTRB). ____ ____
Значения сигналов квитирования IBFA, OBFA, IBFB, OBFB и др. дублируются в регистре слова состояния SW (Status W ord), в качестве которого используется регистр памяти порта PC
(рис. 3.7).
Чтение микропроцессором слова состояния SW командой IN p o rt_ P C , где p o rt_ P C — ад рес порта PC, позволяет обеспечить квитирование ввода и вывода с помощью сигналов IBF и OBF. Значения сигналов INTE устанавливаются с помощью операции поразрядной установ ки/сброса триггеров регистра памяти порта PC . Незанятые под управляющую информацию разряды регистра памяти порта P C могут использоваться для ввода или вывода в режиме М0 (разряды ПО на рис. 3.7).
Временные диаграммы ввода и вывода в режиме М { показаны на рис. 3.8. Активный уро вень сигналов IBF = 1 устанавливается сигналами STB = 0, а сбрасываются эти флаги в 0 поло жительным фронтом сигнала RD . Активный уровень сигналов O BF = 0 устанавливается поло жительным фронтом сигнала WR, а неактивный уровень OBF = 1 — сигналами А С К = 0. Сиг налы квитирования IBF и OBF подаются на внешние устройства, подключенные к портам РА и РВ, для синхронизации операций ввода и вывода.
П ример 2. Пусть требуется производить ввод данных из порта РВ с квитированием, а по остальным портам — вывод в режиме М 0. Адреса портов принять равными СОh для порта РА, C lh для порта РВ, С 2h для порта P C и СЗh для порта регистра управления.
от У О
ка I/O
каВН59
от CPU
от I/O
от CPU
на I/O
на ВН59
от I/O
на I/O
Рис. 3.8. Временные диаграммы ввода-вывода в режиме М\
3.2. Программируемый периферийный интерфейс 8255А |
201 |
||||||||
D1 |
D6 |
D5 |
DA |
D3 т |
|
D 1 |
1-Ю |
|
|
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
* |
1 |
j |
0 |
|
|
|
М0 |
|
|
|
|
|
||
|
|
O ut |
O ut Mi |
|
In |
O ut |
|
||
|
|
GA |
РА P C h С В |
|
РВ PCI |
|
Рис. 3.9. Слово управления CW
Режимы работы устанавливаются словом управления CW, показанным на рис. 3.9 (GA — Group A, GB — G roup В). Программирование заданных режимов работы портов и ввод данных с квитированием можно реализовать в виде:
MVI |
А, 86/г |
OUT |
0СЗ/г |
CALL |
Cin |
Cin: IN |
0С2/hг |
ANI |
2 |
JZ |
Cin |
IN |
0C1 h |
RET |
|
I А <— CW = 86/z — слово управления для задания режимов работы
R G C W <— C W — программирование режимов работы Вызов подпрограммы ввода данных из порта РВ
; А <— SW — чтение регистра состояния |
Cin |
— подпрограмма |
Выделение флага IBFB (см. рис. 3.7) |
ввода |
данных из порта |
Переход, если IBFB = 0 |
РВ с квитированием |
|
А <— PBj t) — чтение данных из порта РВ |
|
|
Для ввода и вывода по прерыванию флаги INTE устанавливаются в 1 словами управления
CW при D-] = 0 и Do = |
1 с помощью команд OUT p o rt_ P C (рис. 3.10). Для сброса этих флагов |
||||||||
следует задать D t) = 0. |
|
|
|
|
|
|
|
||
C on trol W ord (Single Bit Set/R eset Feature) |
|
||||||||
D l |
Db |
D5 |
DA |
D3 |
D2 |
D] |
DO |
CW |
|
0 |
X |
X |
X |
1 |
0 |
0 |
1 |
= 09 |
— установка INTEA= 1 для ввода |
0 |
X |
X |
X |
1 |
0 |
0 |
0 |
= 08 |
— сброс INTEa для ввода в 0 |
0 |
X |
X |
X |
1 |
1 |
0 |
1 |
= 0D — установка INTEa = 1 для вывода |
|
0 |
X |
X |
X |
1 |
1 |
0 |
0 |
= ОС — сброс INTEa для вывода в 0 |
|
0 |
X |
X |
X |
0 |
1 |
0 |
1 |
= 05 |
— установка INTEB = 1 |
0 |
X |
X |
X |
0 |
1 |
0 |
0 |
= 04 — сброс INTEB в 0 |
Рис. 3.10. Управление разрешением прерываний
Пример 3. Пусть требуется производить вывод данных блоками по 64 байта из ячеек па мяти с начальным адресом 4000/2 в порт РА с квитированием по прерыванию при подключении выхода INTRa БИС 8255А к входу RST 7.5 МП 8085А. Остальные порты запрограммировать в режим М 0 на вывод. Адреса портов принять равными СОh для порта РА, C l h для порта РВ, С2h для порта P C и СЗh для порта регистра управления.
Режимы работы устанавливаются словом управления CW = 1010 0000 = АОЛ (см. рис. 3.3, а). Программирование заданных режимов работы портов и вывод данных с квитированием по прерыванию можно реализовать программой:
MVI |
А, ОАОh |
; А <— CW = АОh — слово управления для задания режимов работы |
OUT |
0C3h |
; RG C W <r- CW — программирование режимов работы |
MVI |
A, 0D h |
; А CW - ODh — слово управления для задания значения INTEA= 1 |
OUT |
ОСЗ/г |
; <2/’Cf, <— 1 — установка значения INTEA= 1 для вывода |
202 |
|
|
Глава 3. Интерфейсные БИС |
003С PUSH |
PSW |
; 003Сh — адрес вызова подпрограммы обслуживания прерываний |
|
PUSH |
H |
; |
по входу RST 7.5 |
PUSH В |
|
|
|
LXI |
H, 4000ft |
; r p H < - 4000h — начальный адрес памяти |
|
MVI |
B , 4 0 h |
; 40h — задание вывода 64 байт |
|
IN |
0C2h |
; Чтение регистра состояния SW |
|
ANI |
80h |
; Выделение флага OBFA (см. рис. 3.7) |
|
JZ |
COUT |
; Переход, если OBFA = 0 |
|
MOV |
A, M |
; А |
M (rp Н) |
OUT |
0C0h |
; РЛ7_о <— А — вывод данных в порт РА |
|
INX |
H |
|
|
DCR |
В |
|
|
JNZ |
COUT |
|
|
POP |
в |
; Восстановление состояния прерванной программы |
|
POP |
H |
|
|
POP |
PSW |
; Разрешение прерываний |
|
EI |
|
||
RET |
|
; Возврат из подпрограммы обработки прерывания |
Реж им М ъ п орта РА. Данный режим позволяет производить ввод и вывод по двунаправ ленной шине данных без перепрограммирования режимов работы PPI. Конфигурация порта РА
в режиме М 2 (и M ode 0 для порта РВ) показана на рис. 3.6, в , а временные диаграммы, пояс няющие работу порта — на рис. 3.11. Режим М 2 объединяет ввод в режиме Mj и вывод в режи ме М| Принципиальная схема подобного порта ввода-вывода (приемопередатчика с буферны ми регистрами) была приведена на рис. 2.17.
Назначение всех сигналов управления остается прежним (как в режиме Л/,). Сигнал запро са прерывания
INTRa —Qpc4 • IBFa v Qpc6 ' OBFA.
Форматы слов состояния SW для порта РА в режиме М 2 показаны на рис. 3.7. Этот режим используется для работы с внешними устройствами, имеющими двунаправленную шину дан ных.
Рис. 3.11. Временные диаграммы работы порта РА в режиме Мг
3.3. Программатор EPROM 573РФ2 и 573РФ 5 |
203 |
3.3.Программатор EPROM 573РФ2 и 573РФ5
Внастоящее время зарубежными фирмами выпускается несколько типов постоянных за поминающих устройств (ПЗУ), или энергонезависимых ЗУ (N on-volatile M em ories): R O M (R ead
Only M em ory) — масочное ПЗУ, программируемое при изготовлении; OTPROM , или PRO M (One Time P rogram m able ROM ) — однократно программируемое ПЗУ; EPROM (E rasable P ro grammable ROM ), или UV -EPROM ( U ltra-V iolet EPROM ) — стираемое ультрафиолетовыми лу
чами многократно программируемое ПЗУ (изобретение фирмы Intel)-, EEPROM (E lectrically Erasable Program m able ROM ) — электрически стираемое многократно программируемое ПЗУ; Flash M em ory — флэш -память с внутрисистемным электрическим стиранием и программиро ванием (прямо в оборудовании, в котором она установлена).
П ринцип р аб оты E P R O M . На рис. 3.12 изображена упрощенная модель одной ячейки памяти EPROM , поясняющая принцип ее работы. При программировании EPRO M в плаваю щий затвор инжектируются генерируемые в канале М ОП -транзистора электроны, которые под воздействием приложенного к управляющему затвору высокого напряжения разгоняются в канале, накапливая энергию, достаточную для прохождения сквозь тонкий слой затворного окисла. Накопленные в плавающем затворе электроны экранируют действие управляющего затвора, и М ОП -транзистор ток не проводит. При чтении такой ячейки на выходе ПЗУ будет получен логический 0. В исходном состоянии сигналы на всех выходах равны 1. В корпусе БИС имеется окно, закрытое кварцевым стеклом, через которое проходит ультрафиолетовое излучение. При воздействии ультрафиолетовых лучей электроны приобретают энергию и по кидают плавающий затвор. Длительность стирания равна примерно 30 мин при длине волны 400 нм и энергетической освещенности 100 Вт/м2. Для стирания обычно используются кварце вые лампы ДРТ-220 и ДРТ-375. Срок хранения информации составляет 15 000 ... 25 000 ч.
На рис. 3.13 изображены EPROM 2К х 8 бит |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
типа 2716 (573РФ 2, 573РФ 5) и 4К х 8 бит типа |
2716, 573РФ2, 573РФ5 |
|
2732А |
|
||||||
2732А фирмы Intel: |
|
|
|
|||||||
|
|
1 |
а — |
1Vcc |
|
|
13 |
|
||
Aj (A ddress) — разряды адреса; |
|
A i l |
24 |
a 7[ |
1 |
24 |
] V c c |
|||
|
А бС |
2 |
23 |
1Аг |
A&1 2 |
23 |
D-Ajj |
|||
О, = DO, (D ata Output) — разряды |
данных |
|||||||||
А , [ 3 |
22 |
1 а $ |
A sl 3 |
22 |
3 ^9 |
|||||
(при программировании эти выводы двунаправ |
||||||||||
а 4 [ |
4 |
21 |
IVpp |
A 4 [ |
4 |
21 |
D a и |
|||
ленные); |
|
|||||||||
|
а , [ |
5 |
20 |
l O E |
a , [ |
5 |
20 |
loE/Vp, |
||
|
|
|||||||||
П лаваю щ ий У правляю щ ий |
|
а Л 6 |
19 ^ А ц ) |
A 2l 6 |
19 |
] a ,„ |
||||
|
а , [ |
7 |
18 I c Eip g m |
A.[ 7 |
18 ] C £ |
|||||
затвор затвор |
|
|||||||||
|
|
А оС 8 |
17 |
] 0 7 |
A o t 8 |
17 |
] o 7 |
|||
SiO-t |
|
о 0 [ 9 |
16 l o t |
O oH 9 |
16 ] o « |
|||||
|
* ■ [ |
10 |
15 |
] * |
O l |
10 |
15 |
] * |
*+ / ” 7 1I— \ |
|
11 |
14 |
]04 |
Chi 11 |
14 |
] o 4 |
|
|
|
|
g n d I 12 |
13 |
] О з |
g n d I 12 |
13 |
] 0 3 |
И сток |
Канал |
С ток |
2К х 8 бит |
4К х 8 бит |
||||
Рис. 3.12. М одель ячейки памяти EPROM |
Рис. 3.13. EPRO M фирмы Intel |
|
||||||
СЕ/P G M (Chip Enable/Program Strobe) — выбор кристалла/строб программирования; |
||||||||
ОЕ (Output E nable) — разрешение выхода (О Е = MEMR при чтении). |
|
|
|
|||||
На рис. 3.14, а |
показаны |
временные диаграммы |
работы E PRO M 2716 |
в режиме |
чтения, |
а на рис. 3.14, б — в режиме программирования и контроля (* — время не более, остальные — не менее). При программировании на контакт 21 подается напряжение питания Vpp — 25 В, а на контакт 18 — программирующий импульс СЕ/P G M - 1 длительностью 50 мс. В режиме чтения
206 |
Глава 3. Интерфейсные БИС |
Рис. 3.17. Блок-схема алгоритма программирования E PR O M
следует выбрать режим работы М0для всех портов. Не следует забывать, что при перепрограм мировании режима работы порта P C на вывод и ввод регистры всех портов сбрасываются в 0.
По блок-схеме алгоритма, представленной на рис. 3.17, не составляет труда написать про грамму:
; Исходные параметры: гр Н = A beg, гр В = Aend, гр D = A pgm ,
; p o rt = 30, 31, 32, 33 — адреса портов РА, РВ, P C и R G C W соответственно
MOV |
A, С |
; Вычисление объема массива ДА программируемых ячеек памяти |
SUB |
L |
|
MOV |
C, A |
|
MOV |
A, В |
|
SBB |
H |
|
MOV |
B, A |
|
INX |
В |
; гр В = A beg - A end + 1 = Д/1 — объем массива данных для EPROM |
L3: PUSH |
В |
|
MVI |
A, 80ft |
; C W = 80h = 1000 0000 — режим вывод для портов РА, РВ и P C |
OUT |
33/i |
; R G C W <— CW, p o rt - 33h — адрес порта R G C W |
MOV |
A, D |
|
ANI |
7 |
|
MOV |
D, A |
; rp D = 0000 0aU)a9aHa 7a 6a 5a 4а-^а2а\а{}— l l -разрядный адрес EPROM |
ORI |
20 h |
|
OUT |
30 h |
; PA <r- 00 OEPG M 0a l0a9ag (О Ё = 1, PG M = 0) |
MOV |
A, E |
OUT |
31 ft |
MOV |
A, M |
OUT |
32ft |
MOV |
A, D |
ORI |
30ft |
OUT |
30ft |
LXI |
B, 1045ft |
L1: DCX |
В |
MOV |
A, В |
ORA |
С |
JNZ |
L l |
MOV |
A, D |
ORI |
20ft |
OUT |
30/7 |
MVI |
A, 89ft |
OUT |
33 ft |
MOV |
A, D |
OUT |
30ft |
MOV |
A, E |
OUT |
31ft |
IN |
32ft |
CMP |
M |
JNZ |
L2 |
INX |
D |
INX |
H |
POP |
В |
DCX |
В |
MOV |
А, В |
ORA |
С |
JNZ |
L3 |
JM P |
L4 |
L2: |
|
L4: HLT |
|
3.3. Программатор EPROM 573РФ 2 и 573РФ5 |
207 |
|
; PB ^— a^a^a^a^ a^a2a |
|
|
; A <— d - |
d-/d6d 5dAd^d2d{d0 — байт данных для EPROM , |
|
; P C <— d |
rp H — ad d r RAM |
|
; PA <h- OOOEPGMOaloa 9a 8 (O E = 1, PG M = 1) ; Задание длительности ТРСМ = 50 мс
; C W = 89h = 1000 1001 — режимы Mo/вывод для портов РА, РВ и ; Mo/ввод для порта P C
; РА <т- 00O EPG M 0a l0a 4a s {ОЕ = 0, PG M = 0)
; РВ t— (i~'(1( |
. а а -.а \а [\ |
; А <г- dpcM - |
(d-]d6d5d 4^3й?2йМо)ром — чтение байта данных из EPROM |
; Сравнение dPCM с d = d id f,did,x d-^dydQ
; Переход, если d PGM Ф d (ERROR)
; rp H <— a d d r + 1 ; rp В <— ДA
; rp В <— АЛ - 1
;Проверка: ad d r > A end ?
;Вывод на дисплей сообщения VALID
;Вывод на дисплей сообщения ERROR и адреса
;отказавшей ячейки памяти
Задать программирование можно от одной до 2048 ячеек памяти. При необходимости можно без стирания перепрограммировать любую ячейку памяти, если требуется значения 1 некоторых разрядов байта данных заменить значениями 0. Время программирования всех ячеек памяти с использованием этой программы составляет 108 с. Время программирования пропор ционально числу ячеек памяти и становится неприемлемо большим уже для EPRO M с объемом памяти 8К х 8 бит. Поэтому фирмой Intel были разработаны усовершенствованные (быстрые)
методы программирования Inteligent Program ming™ и Q uick-Pulse Program m ing™ . Естествен но, что и сами EPRO M должны быть спроектированы с поддержкой этих методов программи рования.
E P R O M ф и рм ы Intel. Дальнейшее усовершенствование EPRO M происходило с учетом требований: увеличение объема памяти и быстродействия, снижение напряжения программи рования (VPP = +12 В) и тока потребления 1СС от источника питания VCc = +5 В в расчете на
208 |
Глава 3. Интерфейсные БИС |
один бит информации. Данные требования привели, в частности, к разработке новой высоко качественной CMOS-технологии.
На рис. 3.18 представлены EPRO M фирмы Intel, широко используемые при проектирова нии М П-системах.
2764-2/573РФ4 |
|
27128 |
27256/573РФ8 |
|
27512 |
|
27513 |
|
|
||||||||||
2764/573РФ6, 27С64 |
|
27С128 |
|
27С256 |
|
|
27С512 |
|
|
|
|||||||||
|
— и |
|
-1 Vcc |
vFX |
та |
28 IV cc |
v„,C I |
О |
|
Л15 [ 1 |
KJ |
A S j t I |
TT' ■ |
" |
Vcc |
||||
VpX. I |
28 |
1 |
28 ] v Cc |
28 Iv'cc |
|
28 |
|
||||||||||||
А12[ 2 |
27 I p g m |
А12[ 2 |
27 I p g m |
A12C 2 |
27 За 14 |
A12[ 2 |
27 За 14 |
A12[ 2 |
|
27 |
|
wE |
|||||||
A ll. |
3 |
26 I n c |
A l l |
3 |
26 ]A13 |
A7[ 3 |
26 3a 13 |
|
A7[ 3 |
26 3a i 3 |
|
A7[ 3 |
|
26 |
|
A13 |
|||
Аб[ 4 |
25 ]А8 |
Аб[ 4 |
25 ] a 8 |
Аб[ 4 |
25 ]A8 |
|
Аб[ 4 |
25 ]A8 |
|
А б[ 4 |
|
25 |
AS |
||||||
А5[ 5 |
24 ]А9 |
А5[ 5 |
24 ]A9 |
A5[ 5 |
24 ]A9 |
|
A5[ 5 |
24 3A9 |
|
A 5[ 5 |
|
24 |
|
A9 |
|||||
А4[ 6 |
23 Па п |
А4[ 6 |
23 За п |
A4[ 6 |
23 Па п |
|
A4[ 6 |
23 3 a i 1 |
|
A 4[ 6 |
|
23 |
|
A ll |
|||||
АЗС 7 |
22 1 Ш |
А3[ 7 |
22 lO E |
A3[ 7 |
22 lo E |
|
А з[ 7 |
22 loE iv,, |
АЗ С 7 |
|
22 |
|
OEIVrr |
||||||
А2[ 8 |
21 |
]д ю |
А2[ 8 |
21 Заю |
A2[ 8 |
21 Паю |
|
A2[ 8 |
21 3aio |
|
A2[ 8 |
|
21 |
|
AlO |
||||
А1[ 9 |
20 1 с Ё |
А 1 [ |
9 |
20 IC E |
A lt 9 |
20 I |
c e |
|
AlC 9 |
20 3 c e |
|
AlC 9 |
|
20 |
|
CE |
|||
А0С 10 |
19 l o i |
А 0[ 10 |
19 ]0 7 |
A0[ 10 |
19 J 01 |
|
AOC 10 |
19 l o i |
|
АО С 10 |
19 |
|
0 1 |
||||||
00 [ |
11 |
18 Зоб |
о о [ |
11 |
18 Зоб |
oo[ |
il |
18 ]0 6 |
|
00 [ 11 |
18 Зоб |
DO/OOl 11 |
18 |
|
06 |
||||
oiC 12 |
17 305 |
Old 12 |
17 ]0 5 |
O il |
12 |
17 З 05 |
|
0 1 C 12 |
17 305 |
D l/O l[ 12 |
17 |
|
05 |
||||||
02С 13 |
16 1 0 4 |
02 [ |
13 |
16 ]0 4 |
0 2 1 13 |
16 ]0 4 |
|
02С 13 |
16 304 |
|
02С 13 |
16 |
|
04 |
|||||
g n d I |
14 |
15 Зоз |
g n d I |
14 |
15 З о з |
g n d I |
14 |
15 З оз |
g n d I 14 |
15 303 |
G N D l 14 |
15 |
|
03 |
|||||
87С64: 20 — ALE/CE |
|
|
|
87С256: 20 — ALE/CE |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
8К х 8 бит |
16К х 8 бит |
32К х 8 бит |
|
64К х 8 бит |
|
4 х (16К х 8) бит |
|||||||||||||
|
27010 |
|
|
27011 |
|
|
|
27210 |
|
№ 2 |
№ 1 |
Ш |
|
№ 1 |
№ 2 |
||||
128K x |
8 бит |
8 x (16K x 8) бит |
|
|
64K x 16 бит |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
и |
|
|
|
|
Lj |
|
|
|
О |
|
|
Vpp |
VppZ J |
32 l v cc |
Vcc |
|||
VpX. |
1 |
32 |
] Vcc |
Vpp/RSTС 1 |
28 ^Усс |
|
|
VpX. |
1 |
40 |
] V c c |
А16 |
A16L 2 |
31 |
1 PGM А18 |
||||
А 1 б [ |
2 |
3! |
I p g m |
A12[ 2 |
27 3 PGMIWE |
|
c e I |
2 |
39 |
I p g m |
А15 |
А15С 3 |
30 ЗА17 |
А17 |
|||||
Л 15II 3 |
30 |
I n c |
A7[ 3 |
26 Зд 13 |
|
|
015C 3 |
38 |
I n c |
AI2 |
А12Г 4 |
29 ]А14 |
А14 |
||||||
A12[ 4 |
29 |
]A14 |
Аб[ 4 |
25 ] a 8 |
|
|
014[ 4 |
37 |
] а 15 |
||||||||||
|
|
А7 А7С 5 |
28 За 1з |
А13 |
|||||||||||||||
A l l |
5 |
28 За 13 |
A5[ 5 |
24 3a 9 |
|
|
013C 5 |
36 |
За 14 |
А6 |
АбС 6 |
27 За8 |
А8 |
||||||
A 6 l |
6 |
27 |
3a 8 |
A4[ 6 |
23 3a u |
|
|
012C 6 |
35 |
За 13 |
А5 |
А5С 7 |
26 ЗА9 |
|
А9 |
||||
A 5 l 7 |
26 |
3a 9 |
А3[ 7 |
22 3 0 £ |
|
|
OllC 7 |
34 |
За 12 |
А4 |
А4[ 8 |
25 ] а 11 |
АП |
||||||
a a I |
8 |
25 |
] a ii |
A2[ 8 |
21 ]A10 |
|
|
o io [ 8 |
33 |
]А11 |
|||||||||
|
|
АЗ |
АЗС9 |
24 Зо£ |
Ш |
||||||||||||||
А3[ 9 |
24 |
3 o £ |
AlC 9 |
20 I c e |
|
|
09C 9 |
32 |
Заю |
А2 |
А2С 10 |
23 |
Заю |
А 10 |
|||||
A l l |
10 |
23 |
3aio |
AoC 10 |
19 l o i |
|
|
08 С 10 |
31 |
За 9 |
А1 |
AlC и |
22 |
ЗС£ |
СЕ |
||||
AlC 11 |
22 |
I c e |
DO/OOl II |
18 Зоб |
|
g n d I |
И |
30 |
Зсл® |
АО |
ДОС 12 |
21 |
307 |
|
D1 |
||||
AOl |
12 |
21 |
l o i |
Dl/OlC 12 |
17 З 05 |
|
|
o i l |
12 |
29 |
ЗА8 |
ОО |
оо С 13 |
20 |
Зоб |
|
Db |
||
o o l |
13 |
20 |
Зоб |
D2/02C 13 |
16 З 04 |
|
|
об С 13 |
28 |
За 7 |
DI |
0 1 С 14 |
19 305 |
|
DS |
||||
O i l |
14 |
19 |
305 |
g n d I 14 |
15 Зоз |
|
|
05 [ |
14 |
27 |
ЗА6 |
D2 |
02 С 15 |
18 304 |
|
D4 |
|||
0 2 1 |
15 |
18 |
3o4 |
|
|
|
|
|
04 С 15 |
26 |
ЗА5 |
GND |
g n d I |
J6 |
17 |
Зоз |
|
D3 |
|
g n d I 16 |
17 ] о з |
|
|
|
|
|
03 [ 16 |
25 |
]А4 |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
02 С 17 |
24 JA3 |
№ 1 — M27C2001-12F1 |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
o i С 18 |
23 |
За2 ’ |
256К х 8 бит (SGS-Thomson) |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ooC 19 |
22 3 ai |
№ 2 — MSM27C401K-15 |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ш с 20 |
21 З ао |
5 12К х 8 бит (Mitsubishi) |
Рис. 3.18. EPROM фирмы Intel
3.3. Программатор EPROM 573РФ2 и 573РФ 5 |
209 |
DqIOq - |
D |
о |
|
D C |
0 S G |
П |
—* 1 |
и —>Выбор страницы 0 |
|
D1I01 - |
|
|
|
1 —>Выбор страницы 1 |
|
|
|
|
|
CE |
>I |
|
_¥2 |
—*Выбор страницы 2 |
|
|
3 — »Выбор страницы 3 |
||
RST |
>R |
|
|
|
Рис. 3.19. Подключение E PRO M 87C256 |
Рис. 3.20. Схема выбора страниц |
|||
к микроконтроллеру 80C31 |
памяти в ЕРROM 27513 |
|||
В EPROM 87Сххх введены регистры хранения адреса: при обращении к этим БИС фронт 1 |
||||
сигнала выбора кристалла ALE/CE = U " записывает установленные |
значения разрядов адреса |
во внутренний регистр (разряды А |2_о — Для EPROM 87С64 и А и _0 — для EPRO M 87С256). Та кие EPROM позволяют уменьшить число ИС в МП-системах, построенных на основе МП и микроконтроллерах, имеющих мультиплексную шину адреса-данных (в частности, их удобно использовать совместно с М П 8085А). На рис. 3.19 изображена структурная схема подключе ния EPROM 87С256 к микроконтроллеру 80С31 в качестве внешней памяти программ.
В EPRO M 27513 заложены четыре страницы (банка) памяти, выбор которых производится программным способом — записью во внутренний двухразрядный регистр адреса страницы по линиям двух разрядов данных D J O { и D q /O q , т . е. EPROM дополнена функцией внешнего уст ройства (устройства вывода). Для управления страницами памяти используются сигналы WE
(Page-Select Write Enable) — разрешение записи для селекции страницы, R ST (Page 0 Reset) —
сброс на страницу 0, D k/O k (Input!Outputs) — задание номера страницы (рис. 3.20).
Таблица 3.4. П ар ам етр ы E P R O M ф ирм ы Intel
Параметр |
2732А-2 |
27С64-1 |
27128А-1 |
27С256-2 1 |
27512-2 |
|
|
87С64-1 |
|
87С256-2 |
|
VoJIob В/м А |
0,45/2,1 |
0,45/2,1 |
0,45/2,1 |
0,45/2,1 |
0,45/2,1 |
УоцНон* В/мА |
2,4/-0,4 |
3,5/—2,5 |
2,4/-0,4 |
3,5/—2,5 |
2,4/-0,4 |
1сс\Нсс2>МА |
100/100 |
20/30 |
100/100 |
30/30 |
125/125 |
Isb, мА |
35 |
1,0 |
40 |
1,0 |
40 |
Ipi>\/Ipp2, мА |
-/3 0 |
0,1/30 |
5/50 |
0,2/50 |
-/4 0 |
/се, не (m a x ) |
200 |
150 |
150 |
200 |
200 |
toE, не (m a x ) |
70 |
75 |
65 |
75 |
75 |
tDF, не (m a x ) |
60 |
35 |
55 |
55 |
55 |
ti’wltpcM>мс/с |
50/205 |
1/332 |
1/662 |
1/1322 |
1/2642 |
Ipwltl'GM, мкс/с |
— |
100/13 |
100/23 |
100/43 |
100/83 |
Технология |
H M O S-E |
Н С М OS II-Е |
H M OS 11-Е |
H CM O S 11-Е |
|
Объем памяти |
4 К х 8 |
8К X 8 |
16К х 8 |
32К х 8 |
64К х 8 |
27010-200 27210-150
0,45/2,1 |
0,45/2,1 |
2,4/-0,4 |
2.4/-0.4 |
150/150 |
150/160 |
50 |
40 |
0,001/50 |
0,001/50 |
200 |
150 |
85 |
65 |
60 |
50 |
— |
----- |
100/15 3 |
о о ОО |
H M O S 11-Е |
|
128К х 8 |
6 4 К х 16 |
Пр и ме ч а н и е : '/сл = 170 не, tot = 70 не, tDF = 55 не для 27С256-1; Inteligent Programming'гм; 3 Quick-Pulse
Programming™.
14 Г. И. Пухальский