Второе поколение эвм.

На смену лампам в машинах второго поколения пришли транзисторы. Сначала лампы были заменены германиевыми диодами в оперативной памяти, затем в арифметическом и управляющем устройствах, позже в оперативной памяти стали применяться феррит-диодные ячейки, позволявшие реализовать логические функции управления памятью, а в арифметическом и управляющем устройствах – транзисторы.

В отличие от ламповых ЭВМ, транзисторные машины обладали большими быстродействием, емкостью оперативной памяти, надежностью. Существенно уменьшились размеры, масса и потребляемая мощность. Большим достижением явилось применение печатного монтажа, что повысило надежность электромеханических устройств ввода-вывода, удельный вес которых при этом увеличился. ЭВМ второго поколения выполняли последовательно - параллельный алгоритм и все еще обладали фиксированной логической структурой.

В период доминирования ЭВМ второго поколения:

· Появились машины для решения научно-технических и экономических задач, управления производственными процессами и различными объектами;

· стали внедряться АЛУ и УУ с более сложной структурой и функциональными возможностями;

· увеличение объема памяти привело к отказу от программирования в кодах машинных команд и широкому внедрению в практику программирования языков высокого уровня;

· стали развиваться методы и приемы программирования вычислений с минимальными затратами труда математиков-программистов;

· наряду с однопрограммными появились многопрограммные (мультипрограммные) ЭВМ. В отличие от однопрограммных машин, в многопрограммных ЭВМ стала возможной совместная реализация нескольких программ за счет организации параллельной работы основных устройств машины.

Третье поколение эвм.

Третье поколение ЭВМ характеризуется широким применением интегральных схем (ИС). Благодаря использованию ИС удалось существенно улучшить технические и эксплуатационные характеристики машин. Этому способствовало также применение многослойного печатного монтажа.

Технология производства интегральных микросхем основана на том, что все базовые электронные компоненты – транзисторы, резисторы и конденсаторы – изготавливаются из одного и того же полупроводникового материала, в качестве которого, как правило, используется кремний. С помощью специальной процедуры металлизации между сформированными компонентами на пластине кремния образуются электрические связи.

Третье поколение ЭВМ выполняло последовательно-параллельный алгоритм вычислений и позволяло вручную изменять структуру.

К третьему периоду развития ЭВМ относят:

1. Появление закона Мура. Гордон Мур подметил тенденцию, состоящую в том, что каждый год количество транзисторов в одном чипе (чип – одна из ячеек размером несколько миллиметров на размеченном монокристалле кремния) удваивается. Закон сохраняет свою силу и до настоящего времени;

2. Увеличение объема оперативной памяти и ее быстродействия; расширение набора различных электромеханических устройств для ввода и вывода информации;

3. Увеличение производительности за счет использования элементной базы с лучшими динамическими характеристиками;

4. Дальнейшее развитие программного обеспечения, особенно операционных систем;

5. Существенное расширение возможностей по обеспечению непосредственного доступа к ним со стороны абонентов, находящихся на различных, в том числе и значительных расстояниях;

6. Применение различных методов автоматизации проектирования при разработке машин третьего поколения. Основной объем документации, необходимой для монтажа, разрабатывается также с помощью ЭВМ.