На рисунке показано схемное изображение
МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа
Полевого транзистора с каналом n-типа
МДП-транзистора со встроенным каналом p-типа
МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа
На рисунке показано схемное изображение
МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа
Полевого транзистора с каналом n-типа
МДП-транзистора со встроенным каналом p-типа
МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа
На рисунке изображены статические вольтамперные характеристики
биполярного транзистора
полевого транзистора
МДП-транзистора со встроенным каналом
МДП-транзистора с индуцированным каналом
МДП-транзистор с индуцированным каналом работает в режиме
обогащения
инжекции
обеднения
активном
На рисунке изображена структурная схема
полевого транзистора
тиристора
биполярного транзистора
диода
На рисунке показано схемное изображение
биполярноготранзистора
полевого транзистора
тиристора
диода
На рисунке показано схемное изображени
биполярноготранзистора
полевого транзистора
тиристора
диода
На рисунке изображена вольтамперная характеристика
биполярноготранзистора
полевого транзистора
тиристора
диода
Четырехслойный полупроводниковый прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями, называется
диод
полевой транзистор
тиристор
биполярный транзистор
На рисунке показано схемное изображение
однооперационного тиристора
двухоперационного тиристора
симистора
динистора
На рисунке показано схемное изображение
однооперационного тиристора
двухоперационного тиристора
симистора
динистора
На рисунке показано схемное изображение
однооперационного тиристора
двухоперационного тиристора
симистора
динистора
На рисунке показано схемное изображение
светодиода
фотодиода
фототиристора
симистора
На рисунке показано схемное изображение
однооперационного тиристора
двухоперационного тиристора
симистора
динистора
Четырёхслойный полупроводниковый прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями, называется
биполярный транзистор
полевой транзистор
диод
тиристор
Тиристоры, в которых переход прибора из закрытого состояния в открытое происходит при достижении напряжения между анодом и катодом некоторой граничной величины, называются
динисторы
однооперационные тиристоры
двухоперационные тиристоры
симисторы
На рисунке изображена структурная схема
транзистора
диода
симистора
динистора
На рисунке изображена структурная схема
транзистора
диода
тиристора
симистора
Вывод, подсоединяемый к внешнему p-слою тиристора, называется
анод
катод
база
управляющий электрод
Вывод, подсоединяемый к внешнему n-слою тиристора, называется
анод
катод
база
управляющий электрод
Вывод, подсоединяемый к внутреннему p-слою (n-слою) тиристора, называется
анод
катод
база
управляющий электрод
Для того, чтобы открыть тиристор, необходимо подать следующие сигналы
плюс на катод, импульс на управляющий электрод
минус на анод, импульс на управляющий электрод
плюс на анод, минус на катод, импульс на управляющий электрод
плюс на анод, минус на катод
Ток, при котором происходит закрывание тиристора, называется
ток закрывания
ток уменьшения
ток удержания
ток восстановления
Напряжение между анодом и катодом, при котором открывается динистор, называется
напряжение открывания
напряжение включения
напряжение пробоя
напряжение инжекции
Тиристор 12 класса имеет максимальное обратное напряжение
12 В
120 В
1200 В
12000 В
Вольтамперной характеристикой тиристора называется зависимость
тока анода от напряжения анод-катод
тока управления от напряжения анод-катод
тока анода от напряжения управляющий электрод-катод
тока управления от напряжения управляющий электрод-катод