На рисунке показано схемное изображение
Полевого транзистора с каналом p-типа
Полевого транзистора с каналом n-типа
Биполярного транзистора p-n-p типа
Биполярного транзистора n-p-n типа
На рисунке показано схемное изображение
Полевого транзистора с каналом p-типа
Полевого транзистора с каналом n-типа
Биполярного транзистора p-n-p типа
Биполярного транзистора n-p-n типа
В полевом транзисторе, электрод от которого начинают движение носители заряда, называется
эмиттер
исток
база
затвор
В полевом транзисторе, электрод к которому движутся носители заряда, называется
коллектор
база
затвор
сток
В полевом транзисторе, электрод которым регулируют движение носителей заряда, называется
затвор
база
коллектор
сток
Входной вольтамперной характеристикой полевого транзистора является зависимость
тока затвора от напряжения затвор-исток
тока затвора от напряжения сток-исток
тока истока от напряжения затвор-исток
тока истока от напряжения сток-исток
Выходной вольтамперной характеристикой полевого транзистора является зависимость
тока затвора от напряжения затвор-исток
тока затвора от напряжения сток-исток
тока истока от напряжения затвор-исток
тока истока от напряжения сток-исток
На рисунке показана структурная схема
биполярного транзистора
МДП-транзистора со встроенным каналом
полевого транзистора
МДП-транзистора с индуцированным каналом
На рисунке показано схемное изображение
МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа
Полевого транзистора с каналом n-типа
МДП-транзистора со встроенным каналом p-типа
МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа
На рисунке показано схемное изображение
МДП транзистора с индуцированным каналом p-типа
Полевого транзистора с каналом n-типа
МДП-транзистора со встроенным каналом p-типа
МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа
Входная вольтамперная характеристика полевого транзистора называется
истоковой характеристикой
стоковой характеристикой
затворной характеристикой
стоко-затворной характеристикой
Выходная вольтамперная характеристика полевого транзистора называется
истоковой характеристикой
стоковой характеристикой
затворной характеристикой
стоко-затворной характеристикой
Полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком, называется
диод
биполярный транзистор
тиристор
МДП-транзистор
Режим работы МДП-транзистора, при котором поле затвора оказывает отталкивающее действие на основные носители заряда в канале, называется
режим обогащения
режим инжекции
режим обеднения
режим экстракции
Режим работы МДП-транзистора, при котором поле затвора оказывает притягивающее действие на основные носители заряда в канале , называется
режим обогащения
режим инжекции
режим обеднения
режим экстракции