АТ / Лабораторная работа 1

Лабораторная работа 1.2

Теоретический материал.

Температурная зависимость параметров в основном обусловливается изменением характера проводимости полупроводниковых материалов и соответственным изменением свойств электронно-дырочных переходов.

При заданном токовом режиме падение напряжения на прямосмещенном диоде будет уменьшаться с ростом температуры и увеличиваться при ее уменьшении.

Изменение характеристик транзисторов аналогична изменению характеристик диодов: с ростом температуры увеличивается тепловой потенциал, следовательно, возрастают токи эмиттера и коллектора.

Зависимости от температур подвижности и концентраций носителей приводят к тому, что в диапазоне от -60 до + 60 0С сопротивление базы транзисторов сначала возрастает, а затем падает. Сопротивление коллектора в диапазоне от -50 до + 50 0С растет, так как для этого диапазона характерно увеличение подвижности носителей. Температурная зависимость коэффициента передачи β связана в первую очередь с возрастанием времени жизни неосновных носителей заряда в базе транзистора с ростом температуры. Для большинства биполярных транзисторов коэффициент β увеличивается по степенному закону.

Для оценки влияния конкретных зависимостей на температурную стабильность стабилизатора напряжения необходимо рассмотреть зависимость выходного напряжения и тока стабилитрона от температуры.

Для проведения анализа температурной стабильности в Multisim

необходимо выполнить следующие шаги:

1. Выбрать пункт меню Simulate->Analyses->Temperature seep

2. Задать температурный диапазон (от минус 500С до 600С), количество

точек измерения (не менее 10) и тип анализа (DC operation point).

3. Задать выходные характеристики.

В зависимости от версии Multisim выходные данные могут быть представлены в виде графика, или виде таблицы. Если выходные данные представлены в виде таблицы, то их необходимо обработать в

Excel и представить в виде графика.

Задание.

1.Для схем из лабораторной работы 1 построить зависимость выходного напряжения от температуры.