Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

поле в веществе глава 6

.pdf
Скачиваний:
14
Добавлен:
26.07.2016
Размер:
905.71 Кб
Скачать

Глава 6

ПОЛЕ В ВЕЩЕСТВЕ Часть 1.

ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ В ДИЭЛЕКТРИКАХ

§ 50. Полярные и неполярные молекулы

Диэлектриками или изоляторами называются вещества, не способные проводить электрический ток. Диэлектрики проводят ток в 1015 - 10 20 раз хуже, чем проводники.

Если диэлектрик внесен в ЭП, то и поле и сам диэлектрик претерпевают существенные изменения. Почему это происходит? Каково строение диэлектриков?

Диэлектрик состоит из атомов и молекул. Положительный заряд сосредоточен в ядрах атомов ,а отрицательный в электронных оболочках атомов и молекул. Молекула в целом электрически нейтральна: положительный заряд всех ядер молекул равен суммарному заряду электронов. Если поместим заряд +Q в центр тяжести положительных зарядов, а

(-Q) -в центр тяжести отрицательных зарядов, тогда молекулу можно рассматривать как электрический диполь.

Электрический диполь- система состоящая из двух одинаковых по модулю разноименных точечных зарядов -q, +q, находящихся на расстоянии L друг от

друга:

 

 

 

pG =| Q | l

(49.1)

PG

 

где l -плечо диполя,

 

 

 

 

 

- направлен по оси диполя от -q к

+q. Различают

p

диэлектрики с полярными и неполярными молекулами.

 

 

Диэлектрики, молекулы которых имеют

симметричное строение,

а

центры

“тяжести“ (+Q) и (-Q) зарядов в отсутствие внешнего электрического поля

совпадают, имеют дипольный момент

молекулы

 

 

=0. Молекулы

таких

 

p

диэлектриков называют неполярными.

 

 

 

 

 

 

К таким диэлектрикам относят: N2 , H2 , O2 , CO2 , CH4 .

 

 

Ко 2-ой группе диэлектриков ( H2O ,

NH3 , SO2 ,

CO ) относятся

вещества,

молекулы которых имеют асимметричное строение, центры тяжести зарядов разных знаков сдвинуты относительно друг друга и эти молекулы в отсутствии внешнего эл. поля обладают дипольным моментом. Но в отсутствии внешнего электрического поля вследствие теплового движения дипольные моменты

1

полярных молекул хаотично ориентированы в пространстве и их результирующий момент равен 0.

При помещении диэлектрика с полярными молекулами во внешнее электрическое поле, силы поля стремятся повернуть диполи вдоль поля , что приводит к возникновению отличного от 0 результирующего момента .

Третья группа диэлектриков ( NCl , KCl , KBr ) -вещества, имеющие ионное строение. Ионные кристаллы представляют собой пространственные решетки с правильным чередованием ионов разных знаков. Эти кристаллы можно рассматривать как систему двух вдвинутых одна в другую ионных подрешеток. При внесении ионного кристалла во внешнее электрическое поле, кристаллическая решетка деформируется, возникает дипольный момент.

Итак: внесение всех 3 групп диэлектриков во внешнее электрическое поле приводит к возникновению отличного от 0 электрического момента диэлектрика.

Явление ориентации диполей, или появления под воздействием электрического поля ориентированных по полю диполей, называется

поляризацией диэлектрика.

Под действием внешнего электрического поля диэлектрик поляризуется , его результирующий дипольный момент становится отличным от 0 . Для характеристики степени поляризации диэлектрика возьмем дипольный момент единицы объема .Если поле или диэлектрик неоднороден , то степень поляризации в разных точках диэлектрика будет различна . Выделим заключающий в себе эту точку физически бесконечно малый обьем V , найдем сумму pv = pi -моментов ,заключенных в этом объеме молекул , и тогда

G

pG

 

pGi

(50.1)

P =

V

=

i

 

V

V

 

 

 

- векторная величина PG

,определяемая

формулой (50.1) называется

поляризованностью диэлектрика. Этот вектор численно равен дипольному моменту единицы объема вещества.

Если поле или диэлектрик однороден, то

P = (1/V )pGi

Из опыта следует, что для большого класса диэлектриков (исключая сегнетоэлектрики) поляризованность линейно зависит от напряженности поля: ( Е

не слишком велико, а диэлектрик изотропный.)

 

P = æε0 E

(50.2)

, где æ (каппа) - диэлектрическая восприимчивость диэлектрика ( безразмерная физ. вел.),

всегда æ >0. Для воды æ =80, для спирта æ = 25. æ - характеризует свойства самого диэлектрика.

[PG]= Кл 3 м = Кл2

м м

2

Рассмотрим, что произойдет, если внесем диэлектрик во внешнее эл. поле. Пусть однородное поле создается двумя бесконечными параллельными разноименными заряженными плоскостями. Под действием поля диэлектрик поляризуется.

Заряды входящие в состав молекул диэлектрика, называются связанными. Связанные заряды под действием поля могут лишь немного смещаться из своих положений равновесий.

Покинуть пределы молекулы в состав которых они входят связанные заряды не могут.

Заряды, находящиеся в пределах диэлектрика, но не входящие в состав его молекул, а так же заряды, расположенные за пределами диэлектрика, будем называть сторонними.

Под действием поля на грани диэлектрика, обращенной к отрицательной заряженной плоскости - будет избыток положительного заряда с поверх. плотностью +σ', а на другой грани - избыток отрицательного заряда с σ' .

+σ', σ' - поверх плотности связанных зарядов.

Тогда поле в диэлектрике является суперпозицией полей связанных и сторонних зарядов.

E = Eсвяз' + Eстор

(50.3)

Поверхностная плотность связанных зарядов σ' < σ , следовательно не все

поле Естор компенсируется полем зарядов диэлектрика: часть

линий

напряженности пройдет сквозь диэлектрик , а другая часть линий обрывается на связанных зарядах.

Поляризации диэлектрика вызывает в нем уменьшение напряженности результирующего поля по сравнению с внешним полем. Пусть поле вне диэлектрика имеет напряженность

Е0 = Естор

Появление связанных зарядов приводит к возникновению дополнительного электрического поля-

EGсвяз' ; EG'связ ↑↓ EG0

которое направлено против внешнего поляE0 (поля, создаваемого свободными зарядами) и ослабляет его. E - результирующее поле внутри диэлектрика:

3

E = Eсвяз' + Eстор

 

 

(50.3)

 

E = E0 E'

 

 

но E0

= σ

Е'

связ =

σ'

 

ε

0

 

 

ε

0

 

 

 

 

 

где σ' - поверхностная плотность связанного заряда.

Е = Е

0

σ '

(50.4)

ε

 

 

 

 

 

 

 

0

 

Определим поверхностную плотность связанных зарядов σ'. Полный дипольный момент пластинки диэлектрика

PG = pVV pGV = PGV = PGSd

где S- площадь грани пластины, d –ее толщина. С другой стороны, полный дипольный момент, равен произведению связанного заряда каждой грани на расстояние d между ними, т.е.

Q' =σ'S, pGV =σ'Sd

Таким образом

РSd =σ'Sd

или

σ' =

 

Р

 

(50.5)

 

 

т.е. поверхностная плотность связанных зарядов σ' равна поляризованности Р . Подставим выражение (50.5) в (50.4):

E = E

0

Р

= E

0

æε0 E

E

0

= (1+æ)E

ε

 

 

 

 

0

 

 

ε

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E =

 

 

E0

(50.6)

1

+ æ

 

 

 

- напряженность результирующего поля внутри диэлектрика.

1+æ =ε

(50.7)

Безразмерная величина ε - диэлектрическая проницательность среды, которая показывает во сколько раз поле в диэлектрике слабее поля в вакууме, и характеризует свойство диэлектрика поляризоваться во внешнем эл. поле.

E =

E0

(50.8)

ε

 

 

 

4

G
PG
P

§ 51. Теорема Гаусса для поля вектора Р.

Поле вектора обладает удивительным свойством.

Поток вектора сквозь произвольную замкнутую поверхность S равен

взятому с обратным знаком избыточному связанному заряду диэлектрика в объеме, охватываемом поверхностью S:

PGdS = −q'внутр.

(52.1)

Формулу (52.1) называют теоремой Гаусса для поля P , в интегральной форме записи. Докажем ее.

Рассмотрим произвольную замкнутую поверхность S, которая охватывает часть диэлектрика.

При включении внешнего электрического поля диэлектрик поляризуется, положительные заряды сместятся относительно отрицательных. Найдем заряд, который пройдет через элемент dS замкнутой поверхности S наружу. Обозначим через l+ и l- векторы смещения положительного и отрицательного связанных

зарядов в результате поляризации. Тогда через элемент поверхности dS

наружу

поверхности S выйдет положительный заряд dq' :

 

dq' = ρ'+l+dS cosα +

 

ρ

 

ldS cosα , а

 

ρ

 

= ρ+ , l+l+ = l .

 

 

 

 

 

 

Т.е.

 

dq'= ρ'+ ldS cosα

(52.2)

 

P = ρ'+l

(52.3)

dq' = PdS

(52.4)

Проинтегрировав (52.4) по всей поверхности получим величину заряда, который вышел из поверхности:

PdS = q'

(52.5)

S

 

Авнутри поверхности окажется избыточный связанный заряд q' ,

противоположный по знаку с вышедшим.

В дифференциальной форме записи получим:

 

divPG = −ρ' или P = −ρ'

(52.6)

Дивергенция поля вектора P равна взятой с обратным знаком

объемной плотности избыточного связанного заряда в той же точке.

5

§ 52. Электрическое смещение. Теорема Гаусса для ЭСП в диэлектрике

Итак, напряженность ЭСП в диэлектрике:

E = E0/(1+æ)

(51.1)

Вектор E проходя через границу диэлектриков, скачкообразно изменяется, что создает неудобства при расчете ЭСП. Для упрощения вычисления полей необходимо ввести вспомогательную величину, источниками которой явл. только сторонние заряды: этой величиной является вектор электрического смещения

(электрическая индукция)- D . По теореме Гаусса

G

G

=

q

EdS

ε0

S

 

 

домножим это выражение на ε0 , получим

ε0 EdS = q'связ. +qстор.

S

Источниками поля в диэлектрике служит не только сторонние, но и связанные заряды, тогда:

q = q'связ.

+ qстор. , а q'связ. = −РdS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тогда

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

qстор. = ε0 EdS + PdS = (ε0 E + P)dS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

S

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выражение, стоящее в скобках, обозначают D и называют электрическим

смещением (или электрической индукцией): D = ε0 E + P .

Но P = æε0 E ,

тогда

 

 

 

 

 

 

 

G

 

E

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D = ε0 E +æε0 E = ε0 (1+æ)E = ε0εE (

учитывая что 1+æ = ε ) или

D = ε0 εE , но E =

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε

тогда в СИ единицей изменения

электрического смещения является

[D]=1

В

 

Кл

 

=1

Кл

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

м

В м

 

м2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электрическое смещение поля точечного заряда в вакууме равно:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= ε0

 

0

 

(51.2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

q

G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

учтя, что Е =

 

er . Тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

4πε0r2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

q G

(51.3)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D =

 

 

 

 

 

 

er

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4π

 

r2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- вектор электрического смещения поля точечного заряда в вакууме.

 

Вектором

D

 

описывается поле (ЭСП) создаваемое сторонними

зарядами.

Аналогично, как и поле E , поле D изображается с помощью линий электрического смещения, направление и густота которых, определяется точно так же, как и для линий напряженности. Линии вектора E могут начинаться и заканчиваться на любых зарядах - сторонних и связанных, а линии вектора D

6

только на сторонних зарядах. Через области поля, где находятся связанные заряды, линии D проходят не прерываясь.

Для произвольной замкнутой поверхности S поток вектора D сквозь эту поверхность равен:

ФD = Dd S = DndS

s S

, где Dn - проекция вектора D на нормаль n к площадке dS или

N

ФD = qi стор i=1

В СИ [ ФD ] = 1 Кл.

 

 

N

(51.4)

DdS = Dn dS = qi

стор.

S

S

i=1

 

Поток вектора электрического смещения в диэлектрике сквозь произвольную замкнутую поверхность равен алгебраической сумме заключенных внутри этой поверхности сторонних электрических зарядов.

Для вакуума

G

G

G

(51.5)

P = 0,

и D =ε0 E

 

Формула (51.4) выражает теорему Гаусса для вектора D для ЭСП в диэлектрике.

Электрическое смещение равно поверхностной плотности сторонних зарядов.

Покажем это. Для вакуума ε =1, то D0 = ε0 E0 , тогда теорема Гаусса примет

вид

G

G

G

G

 

ε

0

q

стор. ,

 

 

 

S = qстор. , тогда

 

G

 

q

стор.

=σстор. .

 

 

 

 

 

 

D0dS

= ε0 E0dS

=

 

 

 

D0

 

 

D0

=

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

S

 

 

 

 

ε0

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D = ρ

 

 

 

 

(51.6)

- дивергенция поля вектора D равна объемной плотности сторонних зарядов

в этой же точке.

Это дифференциальная форма записи теоремы Гаусса для поля вектора D . В тех точках, где ρ>0 - истоки поля D , а где ρ<0 -стоки поля D .

Выразим E и E0 через σ и σ' :

 

 

 

 

σ

 

 

 

 

 

σ'

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

E

0

E0 =

 

 

 

;

 

E`=

 

 

; , E =

 

0

а E = E0 E'

, то E0

E' =

 

 

ε

 

 

ε

 

ε

ε

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Получаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

σ

 

σ '

=

σ

 

 

σ' =

σ

(1

1

) =

σ(ε 1)

. σ' =

ε 1

σ

 

 

 

ε

 

 

ε

 

ε

ε

ε

 

ε

ε

 

 

 

0

 

 

 

0

 

 

 

 

ε

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

Мы видим, что поверхностная плотность связанных зарядов в

(ε −1)

раз меньше

ε

поверхностной плотности сторонних зарядов.

 

 

 

§ 53. Граничные условия на границе раздела двух изотропных

диэлектриков

Рассмотрим поведение векторов E и D на границе раздела двух однородных

изотропных диэлектриков, диэлектрическая проницаемость которых ε1 и ε2 , при отсутствии на границе свободных зарядов. Построим внутри границы раздела диэлектриков 1 и 2 небольшой замкнутый прямоугольный контур АВСДА длины l, ориентировав его как показано на рис. n образует правовинтовую систему с направлением обхода по контуру. Условия на границе получим с помощью теоремы Гаусса и теоремы о циркуляции:

 

Edl = 0

(53.1)

 

АВСДА

 

и

G G

внутр.

(53.2)

DdS

= qстор.

 

 

S

 

 

Условие для вектора E :

Пусть напряженность поля вблизи границы раздела в диэлектрике 1 равна E1 , а в диэлектрике 2 равна E2 . Замкнутый контур возьмем в виде небольшого вытянутого прямоугольника, ориентируем его как показано. Сторона контура

должна иметь такую длину, чтобы в ее пределах поле было однородным, т.е.

можно было бы EG считать одинаковым.

 

Согласно теореме о циркуляции получаем:

E2τl + E1τl = 0 - знаки интегралов по

АВ и СД разные, т.к. пути интегрирования противоположны, а интегралы по

участкам ВС и ДА ничтожно малы. Поэтому:

E2τl E1τl = 0 или

 

E1τ = E2τ

(53.3)

Здесь E

- проекция вектора EG' на орт τ , направленный вдоль линии пересечения

1τ

 

 

плоскости раздела диэлектриков с плоскостью, в которой лежат векторы E1 и E2 .

Тангенциальная составляющая вектора E оказывается одинаковой по обе стороны границы раздела (т.е. не испытывает скачка при переходе через границу раздела).

8

Заменив проекции вектора E проекциями вектора D , деленными на εε0

получим: D = εε0 E

 

 

 

 

 

Т.к. ε1

≠ ε2

, то D1τ = ε1ε0 E1τ , получаем

 

 

 

D2τ = ε2ε0 E2τ

 

 

 

 

 

 

 

 

D1τ

=

ε1

(53.4)

 

 

 

D

ε

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2τ

 

 

 

 

Тангенциальная составляющая D при переходе границы раздела диэлектриков испытывает скачок.

G

 

Условие для вектора D .

 

Пусть на границе раздела двух диэлектриков имеются

 

сторонние заряды. Замкнутую поверхность выберем в виде

 

цилиндра очень малой высоты h, расположим его на границе

 

раздела двух диэлектриков так, чтобы одно основание было в

 

одном диэлектрике, а второе – во втором. Сечение цилиндра

 

возьмем таким, чтобы в пределах каждого его торца вектор

 

G

 

D был одинаков. Тогда по теореме Гаусса для вектора D

 

можно записать, учитывая что: Поток через боковую

 

поверхность можно представить в виде Dn Sбок. , где Dn -

 

значение Dn , усредненное по всей боковой поверхности,

 

Sбок. - величина этой поверхности. Тогда

 

ФDG = D1n S + D2n S + Dn Sбок. = σ S

(53.5)

Если устремить высоту цилиндра h к нулю, то Sбок. . так же будет стремиться к

нулю, то ФG

= D1n S + D2n S = σ S . Полученное выражение разделим на S , то

D

 

D1n + D2n = σ , где D1n - проекция вектора D в первом диэлектрике на нормаль n1 ,

 

 

G

Возьмем

D2n - проекция вектора D во втором диэлектрике на n2 . D2n + D1n = σ .

обе проекции вектора

 

на общую нормаль

 

, получим:

 

D

n

 

 

 

D2n D1n =σ

(53.6)

G

Из соотношения (53.6) видно, что нормальная составляющая вектора D вообще говоря претерпевает скачок при переходе границы раздела.

Но если σ =0, то

D1n = D2n

(53.7)

Составляющая (нормальная) вектора D не испытывает скачка, и оказывается одинаковой по обе стороны границы раздела диэлектриков, если сторонние заряды на границе раздела отсутствуют.

9

Заменив, согласно формуле D = εε0 E , проекции D , соответствующими

 

проекциями вектора EG , умноженными на εε0 , получим соотношение:

 

ε0ε1E1n = ε0ε2 E2n из которого следует, что

 

 

E1n

=

ε2

(53.8)

 

E2n

ε1

 

 

 

 

Итак:

Если на границе раздела двух однородных изотропных диэлектриков сторонних зарядов нет, то при переходе этой границы составляющие E и D n изменяются непрерывно, без скачка. А составляющие En и Dτ испытывают скачок.

Полученные нами условия для составляющих E и D означают, что линии этих векторов испытывают на границе излом, преломляются. На рис. показано поведение линий вектора Е при пересечении граница раздела двух диэлектриков. Обозначим углы между линиями Е и нормалью к поверхности раздела соответственно α1 и α2. Найдем соотношение между углами α1 и α2. Для этого разложим векторы Е1 и Е2 у границы раздела на тангенциальные и нормальные составляющие. Из рис. следует, что отношение тангенсов этих углов, если q=0, равно

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

E

2τ

 

 

(53.8)

 

 

 

 

 

tgα1

=

 

1τ

 

;tgα2 =

 

 

 

 

 

или

 

 

 

E1n

 

E2n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tgα2

=

ε2

 

E1n

 

=

ε2

при (ε2

> ε1 )

(53.9)

 

 

 

tgα1

ε1

 

E2n

 

ε1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Из (53.9) следует, что входя в диэлектрик с большей диэлектрической

 

проницаемостью ε2

> ε1 линииE иD

 

 

 

 

 

 

 

 

удаляются от нормали.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Линии E на границе раздела испытывают

 

 

 

 

 

разрыв и

преломление (т.к. есть связанные

 

 

 

 

 

G

испытывают только

 

 

 

 

 

 

 

заряды), а линии D

 

 

 

 

 

 

 

преломление. G Изобразим графически поля E и D , если

E2 = 2 , если на границе qстор.=0.

E1

10