ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Полупроводниковые приборы - электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках.
Типичные характеристики биполярных транзисторов
|
Материал, |
P |
, |
|
U |
|
, |
Uэб |
I |
, |
|
|
|
|
кэ пр |
|
|||||||
Тип прибора |
структура, |
|
k max |
Fгр, Мгц |
|
|
|
|
к max |
Ikбо, мкA |
|
мВт |
|
В |
|
обр, В |
мA |
||||||
|
технологии |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ315И |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(ОСТ 11.336.919- |
Si n-p-n |
150 |
250 |
60 |
|
6 |
50 |
0.6 (10 В) |
|||
81) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2N3904 (JEDEC) |
Si n-p-n |
310 |
300 |
60 |
|
6 |
200 |
10 (60 В) |
|||
BFX44 |
Si n-p-n |
ПЭ 360 |
300 |
40 |
|
4 |
125 |
0,1 (20 B) |
|||
(Pro Electron) |
|
(250*) |
|||||||||
2SC57 |
Si n-p-n |
ПЭ 360 |
200 |
40 |
|
5 |
200 |
0,1 (15 B) |
|||
(JIS-C-7012) |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
31
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Первый элемент. Первый элемент (буква или цифра) обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор.
Исходный материал |
Условные |
|
обозначения |
||
|
||
Германий или его соединения |
Г или 1 |
|
Кремний или его соединения |
К или 2 |
|
Соединения галлия (например, |
А или 3 |
|
арсенид галлия) |
||
|
||
Соединения индия (например, |
И или 4 |
|
фосфид индия) |
||
|
32
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Второй элемент. Второй элемент (буква) обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия .
Подкласс приборов
Выпрямительные,
универсальные,
импульсные
диоды 
Транзисторы биполярные
Транзисторы полевые
Варикапы
Тиристоры диодные
Тиристоры триодные Туннельные диоды
Условные
обозначен
ия
Д
Т
П
В
Н
У
И
|
Условные |
|
Подкласс приборов |
обозначен |
|
|
ия |
|
Стабилитроны |
С |
|
Выпрямительные столбы |
Ц |
|
Диоды Ганна |
Б |
|
Стабилизаторы тока |
К |
|
Сверхвысокочастотные |
А |
|
диоды |
||
|
||
Излучающие |
Л |
|
оптоэлектронные приборы |
||
|
||
Оптопары |
О |
33
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Третий элемент. Третий элемент (цифра) в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплутационные параметры (функциональные возможности) различные. Для транзисторов – это рабочая частота и рассеиваемая мощность, для выпрямительных диодов – максимальное значение прямого тока, для стабилитронов – напряжение стабилизации и рассеиваемая мощность, для тиристоров – значение тока в открытом состоянии.
Четвертый элемент. Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) означает порядковый номер технологической разработки и изменяется от 01 до 999.
Пятый элемент. Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я,
34
Графические обозначения полупроводниковых приборов
Наименование |
Обозначение |
Наименование |
Обозначение |
|
прибора |
прибора |
|||
|
|
Диод
выпрямительный,
столб
выпрямительный
Диод туннельный
Диод обращения
Варикап
Диод
светоизлучающий
Транзистор типа p n p
Транзистор типа n p n
Однопереходный транзистор с n базой
Полевой транзистор с каналом n типа
Полевой транзистор с каналом p типа
35
Графические обозначения полупроводниковых приборов
Наименование прибора |
Обозначение |
Наименование прибора |
Обозначение |
Односторонний
стабилитрон
Двусторонний стабилитрон
Диодный тиристор
Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с управлением по аноду
Триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с управлением по катоду
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с n каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с p каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с n каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с p каналом
36
МИКРОСХЕМЫ
Интегральная микросхема -
микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и (или) кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.
37
КЛАССИФИКАЦИЯ МИКРОСХЕМ
По технологии изготовления:
полупроводниковые, пленочные, гибридные.
По степени интеграции: малая (МИС), средняя (СИС), большая (БИС), сверхбольшая (СБИС)
По виду преобразования сигналов: цифровые, аналоговые, аналого-цифровые
По характеру выполняемых функций:
подгруппы - генераторы, усилители, коммутаторы, триггеры, преобразователи, фильтры и т. д.;
виды - например, усилители: высокой частоты (УВ), низкой частоты (УН), ОУ (УД), импульсные (УИ)
и т. п.).
38
38
ТИПОВЫЕ КОРПУСА МИКРОСХЕМ
DIP |
PLCC |
QFP |
SO8 |
TO100 |
TSOP |
SIP |
SOT223 |
|
39
СТРУКТУРА ТИПИЧНОЙ СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ И УПРАВЛЕНИЯ
|
|
|
ЛС |
|
|
|
|
|
ЛС |
||
ОР |
Д |
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
н |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
п |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
н |
|
|
||
ОБЪЕКТ |
|
|
|
|
|
п |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
н |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
п |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
ИП |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ИУ |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ИУ |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ИП
ИП
|
|
ЛС |
|
|
|
|
|
|
|
Д( |
|||
АОС |
|
|
|
|
И) |
|
|
|
|
|
|
|
|
(ПК) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ЛС |
Верхний |
||
|
|
|
||||
|
|
|
||||
|
|
|
уровень |
|||
ЛС |
|
|
|
|
||
40
40