фоэ

Цель работы: исследовать свойства электронно-дырочного перехода.

Схема

1.Исследование свойств германиевого электронно-дырочного перехода.

Изменяя значение сопротивления переменного резистора R и, тем самым, изменяя значение напряжения, подаваемого на электронно-дырочный переход, снимаем зависимость прямого тока через переход (I пр) от прямого напряжения (U пр) при комнатной температуре 27 C. Аналогично проводим измерения при температуре 100 С.

При t =27°C

	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
U,mV	158.5	176.7	193.8	208.1	212.5	219.3	227.3	234.4	240	243	250
I,mA	0.290	0.434	0.637	0.872	0.961	1.1	1.32	1.5	1.7	1.8	2.1

12	13	14	15	16	17	18	19
258	262.7	274	281	289	312	330	358
2.5	2.7	3.4	3.9	4.5	6.7	8.9	13.2

При t =100° C

	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
U,mV	45	47	67	87	89	98	102	114	116	126	133
I,mA	0.299	0.317	0.553	0.883	0.910	1.1	1.2	1.5	1.6	1.9	2.2

12	13	14	15	16	17	18	19
138	148	154	161	178	190	225	257
2.4	2.85	3.2	3.5	4.7	5.6	9.2	13.7

2.Исследование свойств кремниевого электронно-дырочного перехода.

Проводится аналогичным образом.

При t =27° C

	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
U,mV	665	685	700	718	730	736	744	750	753	760	769
I,mA	0.235	0.367	0.522	0.760	0.986	1.1	1.3	1.5	1.6	1.9	2.2

12	13	14	15	16	17	18	19
774	780	787	795	805	834	862	918
2.5	2.8	3.2	3.7	4.4	7.2	11	21

При t =100° C

	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
U,mV	538	553	582	602	614	624	632	639	647	651	661
I,mA	0.247	0.326	0.549	0.773	0.954	1.1	1.3	1.5	1.7	1.8	2.1

12	13	14	15	16	17	18	19
666	680	688	698	709	724	776	841
2.3	2.9	3.3	3.8	4.6	5.7	11.1	21.6

Вывод: В ходе лабораторной работы исследовали ВАХ германиевого и кремниевого p-n переходов при 27° C и 100° C.Изменяя сопротивление резистора, получали значения тока и напряжения. Данные занесли в таблицу и построили график. По графику видно, что с увеличением температуры ВАХ p-n перехода ухудшается т.к.

Так же по графику получили, что ВАХ кремниевого p-n перехода лучше, чем у германиевого т.к.