- •Полимерные и композиционные материалы
- •Строительство. От простых домов до шедевров архитектуры
- •Колесо - 6000 лет истории
- •Полимерные материалы в судоходстве
- •Полимерные материалы в изготовлении одежды – от первобытных времен до современности
- •Первые полимерные материалы для записи и хранения информации
- •Полимерные материалы в информационных технологиях: От изобретения бумаги до кинематографа
- •Схема модели Максвелла
- •Схематическая презентация модели
- •Typical tensile strengths of some materials
- •Cast iron 4.5% C, ASTM A-48
- •Aluminium alloy 6061-T6
- •Human hair
- •Материал
- •При сдвиге модуль
- •Основы переработки полимерных материалов в изделия
- •Схема процесса «мокрого» формования монофиламентного полого волокна
- •Схема процесса «сухого» формования мультифиламентного волокна
- •polymer: wet-spinning of polymeric fibres
- •Polymer fiber melt spinning
- •Схема формования нановолокон методом электроспиннинга
- •Получение рукавной пленки литьем с раздувом
- •Изготовление изделий методом горячего прессования
- •Схематическое изображение формования деталей методом литья пол давлением (Injection molding)
- •Образцы изделий из пластиков
- •Формование полых изделий литьем с выдуванием
- •Композиты в железнодорожном и других видах транспорта
- •Cxeма установки технологии вакуумного трансферного литья компании TPI SCRIMP®.
- •Цельнокомпозитные вагоны поезда на магнитной подвеске American Maglev Technology
- •Компания TPI Composites (Scottsdale, AZ,
- •Изготовление цельнокомпозитного вагона методом намотки.
- •Трехярусный вагон компании Gunderson, изготовленный с использованием композиционных полимерных материалов
- •В 2008 году появились сообщения о создании полностью
- •Композитные рессоры ArvinMeritor для большегрузных автомобилей
- •Сравнительные характеристики стальных и композитных рессор
- •Снижение уровня шума при использования модификаторов трения
- •. Схематическое изображение первого цикла микролитографического процесса на основе позитивного (а) и негативного
- •Длина
- •- Critical Dimension – минимальная ширина линии
- •EUVL tool, Lawrence Livermore National Laboratory.
- •Основные требования к полимерному материалу фоторезиста
- •ФФС-НДА-резисты
- •Принцип химического «усиления» изображения
- •где R — H или фенил.
- •Chemical structures of some conductive polymers. polyacetylene; polyphenylene vinylene;
- •Applications
- •Schematic of a bilayer OLED:
- •Z-NH-CHR1-COOH Z-NH-CHR1-COX
- •BOC_NH_CHR1_COONa
- •а) бромциановый метод
- •Tissue Engineering Scaffolds
- •Мембранная фильтрация используется в процессах отделения от жидкости частиц, размер которых меньше 1
- •1.Биологические и биомиметические мембраны – все процессы обмена веществ в организмах и биомиметические
- •Схематическое представление структуры полого пористого волокна и модуля опреснения воды на его основе.
- •Схематическое изображение процессов осмоса (а) и обратного осмоса (б).
- •Treatment Choice:
- •Для газоразделительных мембран, позволяющих отделять молекулы одних газов от других используются однородные и
Длина |
|
Энергия |
|
волн |
Излучение фотонов |
||
эВ |
кКал/моль |
||
(нм) |
|||
|
кДж/моль |
||
1250 |
Инфракрасно |
1 |
23 |
96 |
|
125 |
е |
10 |
230 |
960 |
|
12,5 |
Ультрафиолет 100 |
2300 |
9600 |
||
1,25 |
Мягкий рентг. |
1000 |
2,3 . 104 |
9,6 |
. 104 |
0,125 |
“ |
10000 |
2,3 . 105 |
9,6 |
. 105 |
0,0125 |
“ |
105 |
2,3 . 106 |
9,6 |
. 106 |
0,001 |
Рентген |
1,2 . 106 |
2,9 . 107 |
12,1 . 107 |
|
|
γ-Лучи (60Со) |
|
|
|
|
- Critical Dimension – минимальная ширина линии
- фактор, характеризующий процесс. Обычно около 0,4.
- длина волны облучающего света
NA - т.н. числовая аппретура, характеризующая фокусирующие устройства.
- другой фактор, характеризующий процесс.
DF - глубина резкости
EUVL tool, Lawrence Livermore National Laboratory.
Основные требования к полимерному материалу фоторезиста
1)хорошая пленкообразующая способность при сравнительно невысоких значениях молекулярной массы;
2)хорошая адгезия к поверхности кремнезема;
3) способность претерпевать химические или физико-химические превращения, сопровождающиеся изменением свойств, либо непосредственно под действием излучения определенной энергии, либо под действием продуктов фотохимических превращений специальной фоточувствительной добавки в композиции резиста;
4)достаточная устойчивость по отношению к фтористому водороду или плазме, используемым в процессах травления;
5) теплостойкость, достаточная для сохранения формы элементов при высушивании пластины после проявления.
ФФС-НДА-резисты
OH |
OH |
OH |
|
CH2 |
|
|
+ CH2 O |
|
|
|
O |
|
|
O |
N2 |
h |
|
.. |
|
|
||
|
- N2 |
|
|
SO OR |
|
|
SO2OR |
2 |
|
O |
|
|
C |
COOH |
|
|
|
|
+H2O |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SO2OR |
|
SO OR |
|
||
2 |
|
|
|
Принцип химического «усиления» изображения
t-C4H9OC O |
|
OCO-t-C4H9 |
O |
|
O |
OH |
OH |
H+ |
OH |
||
CH2 |
|
CH2 |
HO |
OH |
+ 2CO2 + 2i-C4H8 + H+ + |
OH |
OH |
OH |
CH2 |
CH2 |
|
+
h
Ar3S+SbF6- [Ar3S+SbF6-]* Ar2S+ .SbF6- + Ar.
Ar S+ . SbF |
- + R - H Ar HS+SbF - |
+ R . |
||
2 |
6 |
2 |
6 |
|
Ar2S + HSbF6 ,
где R - H — растворитель или полимер.
где R — H или фенил.
[ |
CH CH2 |
|
CH CH ] |
|
|
O |
C |
C |
O |
|
|
|
N |
|
|
|
|
R |
|
|
O |
|
|
|
|
CO |
|
|
|
|
O |
|
|
|
CH3 |
C CH3 |
|
|
|
|
CH3 |
|
|
|
H+
_ CO2 ; i -C4H8
[ CH CH2 |
CH CH ] |
|
O C |
C |
O |
|
N |
|
|
R |
|
OH |
|
|
