Домашняя подготовка

1. Изучить раздел 3.1 данной работы. В качестве дополнительной литературы рекомендуется воспользоваться [4].

2. Привести статические и динамические параметры ключей на биполярных транзисторах.

3. Привести статические и динамические параметры ключей на MOSFET-транзисторах и IGBT-транзисторах.

4. Привести предельно допустимые параметры ключей на биполярных транзисторах.

5. Привести предельно допустимые параметры ключей на MOSFET-тран­зи­с­торах и IGBT-транзисторах.

6. Привести схему виртуальной установки для исследования биполярных транзисторных ключей.

Рабочее задание

1. Открыть виртуальную лабораторную работу «VT» в папке «Лаб. транз.» и ввести в состав установки (рис. 3.9) заданную преподавателем модель биполярного транзистора (табл. 3.5).

2. Выполнить настроечные операции в соответствии с п. 2 (с. 34). Результаты настройки привести в отчете в виде схемы (рис. 3.8) с полученными при настройке данными. Измеренные значения коэффициента усиления и степени насыщениязаписать в подрисуночной подписи к этой схеме.

Таблица 3.5

Исследуемые модели силовых транзисторов

Транзис­торы			Модели (по вариантам)
			1		2		3		4		5		6		7		8		9		10
Биполярные	Тип	ZTX651		ZTX1053A		ZTX1055A		ZTX653		ZTX651		ZTX692B		ZTX1051A		ZTX690B		ZTX849		ZTX650
		60		75		120		100		60		70		40		45		30		45
		2		3		3		2		3		2		4		2		5		2
Полевые MOSFET	Тип	IRF3205		IRF3710		IRF510		IRF520		IRF530N		IRF541		IRF830		IRF840		IRFF110		IRFI520N
		55		100		100		100		100		80		500		500		100		100
		110		57		5,6		9,2		17		28		4,5		8		3,5		7,6
Полевые IGBT	Тип	IRGPC 50M		IRGPC 40K		IRGPC 50K		IRGBC 30UD2		IRGBC 30K		IRGBC 20U		IRGPH 40K		IRGPC 40UD2		IRGPC 20F		IRGPC 20U
		600		600		600		600		600		600		1200		600		600		600
		60		42		52		23		23		13		18		40		16		13

3. Снять переходную характеристику включения биполярного транзисторного ключа в соответствии с методикой, изложенной в п. 3 (с. 35). Привести характеристику в отчете в виде рис. 3.9. Определить динамические параметры включения транзистора и записать их в табл. 3.6.

4. Снять переходную характеристику выключения биполярного транзисторного ключа в соответствии с методикой, изложенной в п. 4 (с. 36). Привести характеристику в отчете в виде рис. 3.10. Определить динамические параметры выключения транзистора и записать их в табл. 3.6.

5. Получить временную диаграмму коммутации транзисторного ключа в соответствии с методикой, приведенной в п. 6 (с. 37). Привести ее в отчете в виде рис. 3.11. Определить по диаграмме амплитуду импульсов напряжения и частоту коммутации. Эти данные привести в подрисуночной подписи к временной диаграмме.

6. Снять характеристику насыщения транзисторного ключа, определить его статические параметры в соответствии с методикой, приведенной в п. 7 (с. 37), и занести их в табл. 3.6. Используя выражения (3.1.) и (3.2), определить потери мощности в транзисторном ключах и его КПД при коммутации тока (табл. 3.5) с частотой 10 кГц. Значение КПД занести в табл. 3.6.

Таблица 3.6