testy_po_OEiIT

$При увеличении концентрации ширина запорного слоя уменьшается, а величина потенциального барьера увеличивается.

$$$245 Одинаковый ли ток в германии и кремнии при подаче на p-n переход одинаковых напряжений?

$$В германии больше, в кремнии меньше.

$Одинаковый при любом включении.

$В кремнии больше, в германии меньше.

$Напряжение не влияет на ток.

$$$246 Одинакова ли отрицательная температура для германиевых и кремниевых диодов?

$$Одинакова.

$Для германиевых больше, для кремниевых меньше.

$Для германиевых меньше, для кремниевых больше.

$При любых отрицательных температурах диоды могут работать.

$$$247 Как образуется потенциальный барьер?

$$За счёт инжекции электронов из p-области в n-область, а дырок из n-области в p-область.

$Путём инжекции электронов из n-области в p-область.

$Путём инжекции дырок из p-области в n-область.

$За счёт образования ( - ) ионов в p-области, а ( + ) в n-области.

$$$248 Как изменяется сопротивление запорного слоя при прямом и обратном включении p-n перехода.

$$В прямом – уменьшается, в обратном – увеличивается.

$Увеличивается

$Не изменится

$В прямом – уменьшается, в обратном –уменьшается.

$$$249 Какие п/п диоды кремниевые или германиевые могут работать при более высокой температуре?

$$Кремниевые.

$При определённых условиях германиевые.

$Германиевые.

$Оба не могут работать.

$$$250 Какие электроны в атоме находятся на более высоких энергетических уровнях?

$$Наиболее удаленные от ядра.

$Электроны внутренней оболочки.

$Наиболее быстрые электроны.

$Обладающие меньшей энергией.

$$$251 Какие носители являются основными в п/п n и p – типа.

$$p – дырки, n – электроны.

$n – с большими энергиями, в p – с малыми Энергиями.

$P – дырки и электроны, n – электроны.

$n – электроны и дырки, p – дырки.

$$$252 Что такое p-n переход?

$$Слой на границе раздела p и n – областей.

$Слой с не основными носителями.

$Слой, заполненный электронами и дырками.

$Скачёк потенциала на границе p и n – областей.

$$$253 Какие п/п диоды - точечные или плоскостные способны пропускать больше тока.

$$Плоскостные.

$Ни точечные, ни плоскостные.

$Только точечные, так как они мощнее.

$Плоскостные при использовании их в выпрямителях и детекторах.

$$$254 Как изменяются барьерная и диффузионная ёмкости при изменении напряжения, приложенного к p-n переходу в прямом направлении?

$$Барьерная уменьшается при увеличении прямого напряжения, диффузионная увеличивается.

$Не изменяется.

$При уменьшении напряжения барьерная – увеличивается, диффузионная – уменьшается.

$При увеличении напряжения обе ёмкости уменьшаются.

$$$255 Какими носителями тока обусловлена собственная проводимость полупроводника? $$Электронами.

$Электронами и дырками.

$Дырками.

$Электронами и ионами.

$$$256 Что такое инжекция?

$$Введение носителей заряда в область, где они являются неосновными носителями.

$Хаотическое движение зарядов.

$Введение носителей тока через p-n переход.

$Движение носителей тока под действием электрического поля.

$$$17 Какие диоды кремниевые или германиевые обладают большим напряжением пробоя?

$$Кремниевые.

$Германиевые.

$У обоих диодов одинаковое и большое.

$Для обоих диодов напряжение пробоя не имеет смысла.

$$$258 Изменяется ли проводимость полупроводников n и p типа при изменении температуры?

$$Увеличивается при увеличении температуры.

$Не изменяется.

$Уменьшается при увеличении температуры.

$При увеличении температуры, в n-типа увеличивается, в р-типа уменьшается.

$$$259 Как влияет электрическое поле запорного слоя на движение основных и не основных носителей тока?

$$Для основных – тормозящее, для не основных – ускоряющее.

$Для основных – ускоряющее, для не основных – тормозящее.

$Является ускоряющим.

$Является тормозящим.

$$$260 При одинаковом ли напряжении, приложенном к p-n переходу в прямом направлении, будет скомпенсирован потенциальный барьер в германии и кремнии?

$$В германии при меньшем, в кремнии при большем.

$В германии при большем, в кремнии при меньшем.

$При одинаковом.

$В германии может быть скомпенсирован, в кремнии нет.

$$$261 В каких диодах германиевых или кремниевых ток сильнее изменяется при изменении температуры.

$$В германиевых

$В кремниевых.

$В германиевых изменяется, в кремниевых – не изменяется.

$В кремниевых изменяется, в германиевых – не изменяется.

$$$262 В каких зонах происходит перемещение свободных электронов и дырок.?

$$Электроны в зоне проводимости, дырки в валентной зоне

$В зоне проводимости

$Дырки в зоне проводимости, электроны в валентной зоне

$Дырки в валентной зоне, электроны в запрещённой

$$$263 Как влияет обратное напряжение на движение основных и не основных носителей тока через p-n переход?

$$Основные тормозит, не основные ускоряет

$Тормозит движение носителей

$Ускоряет движение носителей

$Основные ускоряет, не основные тормозит

$$$264 Какие диоды, точечные или плоскостные способны работать на более высоких частотах?

$$Точечные

$Плоскостные

$На высоких частотах могут работать и точечные, и плоскостные диоды

$На высоких частотах могут работать только германиевые диоды

$$$265 Какие диоды, точечные или плоскостные способны работать на более низких частотах?

$$Плоскостные.

$На высоких частотах могут работать только германиевые диоды.

$Точечные.

$На высоких частотах могут работать и точечные, и плоскостные диоды.

$$$266 Влияет ли изменение температуры на величину допустимого обратного напряжения?

$$Влияет увеличение температуры.

$Величина допустимого обратного напряжения возрастает при увеличении температуры.

$Допустимое обратное напряжение уменьшается при уменьшении температуры.

$Уменьшение температуры не влияет на величину допустимого обратного напряжения.

$$$267 Какие условия должны быть выполнены, чтобы электрон мог перейти с более низкого энергетического уровня на более высокий?

$$Необходимо сообщить электрону дополнительную энергию

$Чтобы энергетический уровень был свободен

$Электрон должен обладать достаточной энергией и скоростью

$Необходимо сообщить электрону дополнительную энергию, и чтобы энергетический уровень был свободен

$$$268 Какие носители являются не основными в полупроводниках n и р типа?

$$В р – электроны, n – дырки

$В n – электроны, р – дырки

$В n – (+) ионы, в р- (-) ионы

$В n – с большими энергиями, в р – с малыми энергиями

$$$269 Что является характерным для запорного слоя?

$$Большое сопротивление

$Большая разность потенциалов

$Скопление дырок и электронов

$Занятие носителями высоких энергетических уровней

$$$270 Какими носителями обусловлен ток через р-n переход при прямом и обратном включении?

$$ При прямом – основными, обратном – не основными.

$ При прямом – дырками, при обратном – электронами.

$ При прямом – электронами, при обратном – дырками.

$ При прямом – не основными, при обратном – основными.

$$$271 Как изменяется собственная проводимость полупроводников при изменении температуры?

$$При повышении температуры увеличивается.

$При понижении температуры увеличивается.

$При повышении температуры уменьшается.

$Уменьшается при повышении и понижении температуры

$$$272 Что характерно для полупроводниковых материалов?

$$на внешней электронной оболочке вращаются четыре валентных электрона

$при повышении температуры не проводят электрический ток, т.е. являются диэлектриками

$при температуре абсолютного нуля их электропроводность велика, т.е. они являются проводниками

$на внешней электронной оболочке вращаются пять валентных электронов

$$$273 Как влияет прямое напряжение на движение основных и не основных носителей тока через p-n переход?

$$Основные ускоряет, неосновные тормозит.

$Ускоряет движение носителей через p-n переход.

$Неосновные ускоряет, основные тормозит.

$Тормозит движение носителей через p-n переход.

$$$274 Как изменяется барьерная и диффузионная ёмкости при включении p-n перехода в обратном направлении?

$$Диффузионная – уменьшается, барьерная – увеличивается.

$Уменьшается – барьерная, не имеет смысла – диффузионная.

$Не изменяется.

$Диффузионная – увеличивается, барьерная – уменьшается.

$$$275 Как изменяется барьерная и диффузионная ёмкости при включении р - n перехода при прямом направлении?

$$Диффузионная – увеличивается, барьерная – уменьшается.

$Диффузионная – уменьшается, барьерная – увеличивается.

$Не изменяется.

$Уменьшается – барьерная, не имеет смысла – диффузионная.

$$$276 Будет ли одинаковым обратный ток германиевого и кремниевого диодов при одинаковом обратном напряжении?

$$ У германиевого больше.

$ У кремниевого больше.

$ У обоих одинаковый.

$ Токи от величины напряжения не зависят.

$$$277 Что такое рекомбинация?

$$Процесс исчезновения пары электрон проводимости дырка проводимости

$Движение носителей через p-n переход

$Переход носителей в область, где они являются неосновными

$Столкновение основных и неосновных носителей

$$$278 Что такое генерация?

$$Процесс образования пары электрон проводимости дырка проводимости.

$Движение носителей через p-n переход.

$Столкновение основных и неосновных носителей.

$Переход носителей в область, где они являются неосновными.

$$$279 Какие заряды находятся на запорном слое?

$$Электроны и дырки.

$(-) ионы и (+) ионы.

$(-) ионы и дырки.

$(-) ионы и электроны.

$$$280 Как изменяется ширина запорного слоя при прямом и обратном его включении?

$$При прямом включении уменьшается, при обратном увеличивается

$Увеличивается

$Уменьшается

$ При прямом включении уменьшается, при обратном уменьшается

$$$281 Как изменится высота потенциального барьера?

$$При прямом включении уменьшается. , при обратном увеличивается

$При прямом включении уменьшается, при обратном уменьшается

$Увеличивается.

$Уменьшается

$$$282 При одинаковой температуре наступает электрический пробой в кремниевых и германиевых диодах?

$$В кремниевых при большой, в германиевых при меньшей.

$При одинаковой, когда приложено одинаковое напряжение.

$В германиевых при большой, в кремниевых при меньшей.

$При любой температуре пробоя не наступит.

$$$283 Примеси какой валентности обеспечивают получение п/п p и n типа?

$$n – 5 валентные, p – 3 валентные.

$n – 3 валентные, p – 5 валентные.

$n – 5 валентные, p – 5 валентные.

$n – 4 валентные, p – 3 валентные.

$$$284 Что такое диффузия носителей в проводнике?

$$Движение за счёт разности концентрации носителей.

$Хаотическое тепловое движение.

$Движение за счёт электрического поля.

$Упорядоченное движение носителей.

$$$45 Какое включение p-n перехода называемая прямым и обратным?

$$Прямое – плюс к источнику питания к p-области, минус к n-области; обратное – плюс к n, а минус к p-области.

$(+) к n и (-) к p – прямое; (+) к p и (-) к n – обратное.

$(-) к n и (-) p – прямое; (+) к p и (+) к n – обратное.

$(-) к n и (+) к p – обратное; (+) к n и (-) к p – прямое.

$$$286 Какие носители заряда являются не основными в полупроводниках n и р типа?

$$В р –электроны, n- дырки

$В n- большими энергиями

$В n – (+) ионы, р (-) ионы

$В р (+) ионы, n- (-) ионы

$$$287 Что такое р-n переход?

$$Слой на границе раздела р и n областей, обедненный основными носителями заряда

$Слой с не основными носителями.

$Слой заполненный электронами и дырами

$Слой на границе двух областей

$$$288 Какое включение р-n перехода называется прямым и обратным?

$$(-) к n – и (+) к р-области; обратное, (+) к n и (-) к р- прямым

$(+) к n, а (-) к р- прямое, (+) к-р, а (-) к-n обратное

$(-) к –n, и (-) к р- прямое, (+) к р, и(+) к n- обратное

$Прямое – плюс источника питания к р области, минус к n- области

$$$289 Каким носителями обусловлен ток через р-n переход при прямом и обратном его включении

$$При прямом – электронами, и обратном - дырками

$При прямом – основными носителями, при обратном – не основными носителями

$При прямом – дырками, обратном – электронами

$При прямом–не основными носителями ,при обратном – основными

$$$290 Как влияет прямое напряжение на движение носителей заряда?

$$Основные – ускоряет ,не основные – тормозит

$Ускоряет движение носителей через р-n переход

$Не сновные – ускоряет, основные тормозит

$Тормозит движение носителей через р – n переход

$$$291 Что такое база?

$$Средняя область транзистора, является основной для построения р-n переходов входа и выхода

$Область, основными носителями тока является (-) ионы

$Область, основными носителями тока являются (+) ионы

$Область, обедненная основными носителями тока

$$$292 Что такое эмиттер?

$$Крайняя область, примыкающая к р-n переходу, включаемому в прямом

направлении, и являющаяся источником носителей тока

$Область, основными носителями, которой являются (+) ионы

$Область, основными носителями являются (-) ионы

$Область, примыкающая к р-n переходу, включенному в обратном направлении

$$$293 Что такое коллектор?

$$Крайняя область, примыкающая к р-n переходу, включаемая в обратном направлении, и собирающая носители тока, выходящие из эмиттера

$Область, примыкающая к р-n переходу, включаемому в прямом направлении

$Область, с не основными носителями тока

$Область между р-n переходами

$$$294 В каком направлении включается эмиттерный и коллекторный переход транзистора в усилительном режиме?

$$Эмиттерный – в прямом, коллекторный – в обратном

$Эмиттерный - в прямом ,коллекторный- под напряжением не включается

$Оба перехода в прямом

$Оба перехода в обратном

$$$295 В каком направлении включается эмиттерный и коллекторный переход транзистора в режиме насыщения?

$$Оба перехода в прямом

$Эмиттерный – в прямом, коллекторный – в обратном

$Эмиттерный - в прямом ,коллекторный- под напряжением не включается

$Оба перехода в обратном

$$$296 Какая примесь называется донорной ?

$$Имеющая 5 свободных электронов

$Имеющая 4 свободных электронов

$ Имеющая 3 свободных электронов

$ Имеющая 2 свободных электронв

$$$297 В каком направлении включается эмиттерный и коллекторный переход транзистора в режиме отсечки?

$ Эмиттерный – в прямом, Коллекторный – в обратном

$ Эмиттерный - в прямом ,коллекторный- под напряжением не включается

$Оба перехода в прямом

$$ Оба перехода в обратном

$$$298 Какие полупроводниковые приборы работают в режиме пробоя

$$Стабилитроны.

$Выпрямительные.

$Туннельные.

$Светодиоды.

$$$299 Где больше концентрация носителей заряда, в области p-n – перехода или прилегающих к нему областях полупроводника?

$$Больше в прилегающих к p-n – переходу областях полупроводника

$Больше в области p-n – перехода

$Примерно одинакова

$По краям полупроводника

$$$300 Как изменится толщина p-n – перехода при обратном включении?

$Не изменится.

$$Увеличится.

$Уменьшится.

$Уменьшится, но сопротивление возрастёт.

$$$301 Как изменится толщина p-n – перехода при прямом включении?

$Не изменится

$Увеличится

$$Уменьшится

$Уменьшится, но сопротивление возрастёт

$$$302 Для чего применяются туннельные диоды?

$$Для генерации и усиления сигналов

$Для выпрямления переменного тока

$Для стабилизации тока

$Для стабилизации напряжения

$$$303Варикап – это …

$$полупроводниковый диод, у которого может изменяться емкость в зависимости от приложенного напряжения

$полупроводниковый диод, у которого не изменяется емкость

$вид транзистора

$стабилизатор

$$$304 Укажите, какие полупроводниковые диоды могут работать на более высоких частотах?

$$Точечные

$Плоскостные

$Рабочая частота от конструкции p-n – перехода не зависит

$Ни плоскостные, ни точечные на высокой частоте работать не могут

$$$305 Укажите, в какой схеме с ОБ или ОЭ больше Rвх. транзистора?

$$В схеме с ОБ

$Одинаковы и в схеме с ОБ и ОЭ

$В схеме с ОЭ

$В схеме с ОБ Rвх=0, с ОЭ – большое

$$$306 Граничная частота- fгр транзистора это …

$$Максимальная частота, на которой может работать транзистор

$Минимальная частота, на которой может работать транзистор

$Минимальная и максимальная рабочая частота

$Частота, при которой усиление транзистора падает до 0

$$$307 Укажите, в какой схеме с ОБ или ОЭ больше Rвых?

$$В схеме с ОБ

$В схеме ОБ Rвых=, ОЭ Rвых=0

$Одинаковы при равных условиях

$В схеме ОБ Rвых=0, ОЭ Rвых=

$$$308 Величины выходного сопротивления усилителя для получения наибольшего усиления сигнала по мощности с наименьшими искажениями должны быть …

$$Равными сопротивлению нагрузки

$Как можно большими.

$Средней величины

$Равными нулю

$$$309 Величины входного сопротивления усилителя для получения наибольшего усиления сигнала по мощности с наименьшими искажениями должны быть …

$$Равными сопротивлению источника сигнала

$Как можно меньшими

$Как можно большими

$Средней величины

$$$310 Правильная система уравнений для h- параметров транзистора с ОЭ

$$Ik = Iб h21+ Uk h22, Uб = Iб h11+ Uk h12

$Uб = Iб h12+ Ik h11, Uk = Iб h21+ Ik h22

$Uб = Iэ h11+ Iб h12, Uk = Ik h21+ Iб h22

$Iб = Uб h11+ Uk h12, Ik = Uб h21+ Uk h22

$$$311 Как изменится толщина p-n – перехода при прямом включении?

$$Уменьшится

$Не изменится

$Увеличится

$Уменьшится, но сопротивление возрастёт

$$$312 Для чего применяются туннельные диоды?

$$Для генерации и усиления сигналов.

$Для выпрямления переменного тока.

$Для стабилизации тока.

$Для стабилизации напряжения.

$$$313 Выходная проводимость и коэффициент ОС по напряжению

$$h22, h12

$h12, h21

$h11, h22

$h11, h12

$$$314 Как обозначается полевой транзистор?

$$КП103К

$КТ806А

$6Ж22П

$К140УД13А

$$$315 Полупроводниковым диодом называется …

$$электропреобразовательный прибор с одним переходом и двумя выводами

$6электропреобразовательный прибор с двумя переходами и тремя выводами

$электропреобразовательный прибор с одним переходом и тремя выводами

$ электропреобразовательный прибор с тремя переходами и тремя выводами

$$$316 Стабилитроном называют …

$$полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электронного пробоя слабо зависит от тока и который принимается для стабилизации напряжения

$полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электронного пробоя сильно зависит от тока

$полупроводниковый диод, который принимается для усиления напряжения

$полупроводниковый диод, который принимается для напряжения

$$$317 Укажите, даёт ли усиление по току транзистора схема с ОЭ?

$$Усиление по току и напряжению даёт

$Усиление по напряжению даёт

$Усиление по току и напряжению не дает

$Правильного ответа нет

$$$318 Правильная рабочая точка на выходных характеристиках транзистора с ОЭ, соответствующая рабочей точке «С» на входных характеристиках

$$С1

$С5

$С2

$С3

$$$319 Поясните, какие транзисторы n-p-n или p-n-p могут работать на более высокой частоте при прочих равных условиях

$$p-n-p и n-p-n могут работать

$только n-p-n

$n-n-p и p-n-p

$Правильного ответа нет

$$$320 Пояснике, как изменяется ток коллектора – Ik при изменении частоты усиливаемого сигнала f?

$$При увеличении f, Ik- уменьшается

$При увеличении и уменьшении f, Ik – увеличивается

$При увеличении и уменьшении f, Ik – уменьшается

$При увеличении f, Ik- увеличивается

$$$321 Полевой транзистор – это …?

$$Полупроводниковый прибор, у которого один p-n переход и три вывода

$Полупроводниковый прибор, у которого два p-n перехода и три вывода

$Полупроводниковый прибор, у которого три p-n перехода и два вывода

$Полупроводниковый прибор, у которого три p-n перехода и два вывода

$$$322 Затвором называется ….

$$Электрод, регулирующий поперечное сечение канала

$Электрод, через который н.з. втекают в канал

$Электрод, через который н.з. вытекают

$Электрод, по которому протекает ток коллектора э

$$$323 Как подаётся полярность на электроды полевого транзистора с управляющим p-n переходом с каналом n-типа?

$$ “-”на затвор, ”-” на исток.

$ “-” на затвор, “+” на исток.

$ “+” на затвор, “-” на исток.

$ “+” на затвор, “+” на исток.

$$$324 Укажите формулу для определения параметра: “КРУТИЗНА”

$$

$

$

$

$$$325 Для какого транзистора приведена характеристика?

$$Для полевого транзистора с управляющим p-n переходом, с каналом р-типа.

$Для полевого транзистора с управляющим p-n переходом, с каналом n-типа.

$Для биполярного транзистора.

$Для полевого транзистора со встроенным каналом n-типа.

$$$326 Какая из приведённых схем соответствует полевому транзистору с управляющим p-n переходом n-типа?

$$

$

$