
- •Глава 1
- •Глава 2
- •2.1 Идеальная вольт-амперная характеристика диода
- •2.2 Результаты изучения вах идеального диода
- •2.3 Отличие реальной вах диода от идеальной
- •2.3.1 Прямое включение (прямая ветвь)
- •2.3.2 Обратное включение (обратная ветвь)
- •2.4 Туннельный пробой
- •2.5 Лавинный пробой
- •2.6 Тепловой пробой
- •2.7 Ёмкости p-n-перехода
- •2.8 Разновидности диодов
- •2.8.1 Выпрямительные диоды
- •2.8.2 Импульсные диоды
- •2.8.3 Диоды с выпрямляющим контактом металл-полупроводник (диоды Шотки)
- •2.8.4 Стабилитроны и стабисторы
- •2.8.5 Варикапы
- •2.8.6 Туннельные диоды
- •2.8.7 Обращённые диоды
- •2.9 Маркировка диодов
- •Глава 3
- •3.1 Основные схемы включения транзисторов
- •3.2 Распределение потока носителей заряда в биполярном транзисторе
- •3.2.1 Активный режим работы
- •3.2.2 Режим насыщения
- •3.2.3 Режим отсечки
- •3.3 Статические характеристики транзистора
- •3.3.1 Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой
- •3.3.2 Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером
- •3.3.3 Отличия статических характеристик транзисторов в схеме с об от статических характеристик транзисторов в схеме с оэ
- •3.4 Пробой в транзисторе
- •3.5 Зависимость коэффициента усиления от режима работы транзистора
- •3.6 Малосигнальные параметры транзисторов (система “h-параметров”)
- •3.7 Частотные характеристики
- •3.9 Работа на импульс по схеме с оэ Этот пункт предназначен для домашнего рассмотрения.
- •Глава 4
- •4.1 Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •4.1.1 Принцип действия полевого транзистора с p-n-переходом
- •4.1.2 Статические характеристики полевого транзистора с p-n-переходом
- •4.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •4.2.1 Принцип действия транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом
- •4.2.2 Статические характеристики транзистора с изолированным затвором
- •4.2.3 Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом
- •4.3 Полевые транзисторы со статической индукцией (сит)
- •4.4 Частотные свойства полевых транзисторов
- •4.5 Работа полевых транзисторов на прямоугольный импульс
- •4.6 Полупроводниковые приборы с зарядовой связью
- •4.6.1 Основные характеристики (параметры) приборов с зарядовой связью
- •4.6.2 Разновидности приборов с зарядовой связью
- •Глава 5
- •5.1 Динистор
- •5.2 Тиристор с управляющим электродом (тринистор)
- •5.3 Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.4 Способы переключения. Процесс включения тиристора
- •5.5 Основные параметры и конструкция тиристоров
- •5.6 Icbt-транзисторы
- •Глава 6
- •6.1 Полупроводниковые приёмники излучения
- •6.1.1 Фоторезисторы
- •6.1.2 Фотодиоды
- •6.1.2.1 Спектральная характеристика фотодиодов
- •6.1.2.2 Фотодиоды на основе контакта металл-полупроводник
- •6.1.2.3 Фотодиоды на основе гетероперехода
- •6.1.3 Полупроводниковые фотоэлементы
- •6.1.4 Фототранзисторы
- •6.1.5 Фототиристоры
- •6.2 Полупроводниковые излучатели света
- •6.2.1 Светодиоды
- •6.2.1.1 Параметры светодиодов
- •6.2.1.2 Кпд или эффективность светодиодов
- •6.2.2 Полупроводниковые лазеры
- •6.2.2.1 Конструкция и принцип действия инжекционного лазера
- •6.2.2.2 Структура полупроводникового лазера
- •6.2.2.3 Основные отличия
- •6.2.3 Электролюминесцентные порошковые излучатели
- •6.2.4 Плёночные люминесцентные излучатели
- •6.3 Оптоэлектронные приборы
- •6.3.1 Оптроны
- •6.3.2 Варисторы
5.3 Симметричные тиристоры (симисторы)
Симистор (СТ) – тиристор, имеющий практически одинаковые характеристики при различных полярностях напряжения.
Могут быть двухвыводные симисторы и симисторы с управляющим электродом.
В зависимости от того, где расположен управляющий электрод, существуют различные способы управления этим СТ.
Крайние p-n-переходы (1-й и 4-й) зашунтированы объёмным сопротивлением соответствующих p-областей.
Если подать напряжение,
то 1-й p-n-переход
окажется включенным в обратном
направлении. За счёт шунтирования
-областью
этот переход полностью выкл. из работы.
В результате мы получаем структуру
обычного тиристора, гдеI
– катод, а II
– катод. 2 и 4 – прямое направление; 3 –
обратное направление смещения. Работа
ничем не отличается от работы тиристора.
Если подать обратную
полярность, то 4-й p-n-переход
оказывается под обратным смещением и
шунтирован зоной
.
При этом он полностью выкл. из работы.
В результате получаем тиристор, у
которогоI
– катод и II
– анод.
Если данную структуру сделать симметричной относительно зоны n, то получаем полностью симметричный прибор (одинаковое напряжение включения).
Данный прибор можно
сделать управляемым. Для этого нужно в
одну из зон поместить дополнительные
носители. Если вводить в
и
,
то управление будет несимметричным.
Поэтому делают выпрямляющийp-n-переход
в каждой из p-областей,
соединяемых между собой.
Можно подключить управляющий электрод к средней зоне n. В этом случае также можно управлять процессом включения-выключения.
При применении симистора необходимо разобраться, какие сигналы могут подаваться на управляющий электрод. Туда могут подаваться как положительные импульсы, так и разнознаковые.
Симистор можно заменить двумя тиристорами.
5.4 Способы переключения. Процесс включения тиристора
1. Включение путём увеличения анодного
напряжения до напряжения
.
В этом случае тиристор включается по своей естественной характеристике.
2. Включение с помощью тока управления.
При таком включении в одну из областей тиристора через управляющий электрод обеспечивают инжекцию неравновесных носителей заряда. В некоторой области появляется избыточный заряд, и при достижении некоторого критического значения происходит включение тиристора.
Этот процесс не может происходить мгновенно, поэтому нужно, чтобы управляющий импульс имел соответствующую амплитуду и длительность. Процесс включения тиристора можно представить в виде двух интервалов времени.
− время задержки, определяющееся
временем диффузии инжектированных
носителей.
Одновременно на тиристоре происходит
падение напряжения. Напряжение уменьшается
до 0,9.
В дальнейшем происходит накопление
избыточных носителей заряда и увеличение
тока.
В течение т. н. времени
нарастания происходит резкое падение
напряжения. Переход из точки 1 в точку
2, т. е. длительность импульса управления,
должен происходить дольше времени
,
чтобы прибор включился. Это времяt
не зависит от управляющего импульса.
Оно сильно зависит от сопротивления
нагрузки
и от анодного напряжения. Чем меньше
это время, тем меньше теряется мощности.
Чем выше частота коммутации, тем больше
вероятность перегрева тиристора.
3. Включение тиристора за
счёт быстрого изменения анодного
напряжения
.
Через тиристор будет проходить ёмкостный ток, обусловленный наличием барьерных ёмкостей p-n-перехода:
=
,
где
и
.
То:
.
Рассмотрим выключение тиристора:
1. Выключение тиристора путём разрыва анодной цепи.
Тиристор может оказаться
в выключенном состоянии только после
рассасывания заряда в базовых областях.
Если до полного рассасывания этого
заряда вновь подать напряжение, то
тиристор опять окажется во включённом
состоянии, т. е. для выключения необходимо
некоторое время
.
При выключении тиристора разрывом цепи
рассасывание носителей заряда происходит
только за счёт рекомбинации. Время
выключения зависит только от времени
жизни носителей заряда. У большинства
тиристоров
во много раз больше, чем
.
Время выключения задаёт частотные
характеристики тиристора.
2. Выключение тиристора за счёт подачи обратного напряжения.
Такой процесс выключения не влияет на время выключения. Происходят те же процессы, что и при обрыве анодной цепи. Это связано с тем, что для выключения тиристора необходимо уменьшить потенциал коллекторного перехода.
Тиристор – прибор с неполным управлением.