Большое количество отрицательных ионов

большое количество дырок

малое количество свободных электронов

малое количество

дырок

Таким образом, в результате двух процессов в таком полупроводнике носители заряда распределяются следующим образом: имеется большое количество дырок (ОНЗ) и малое количество свободных электронов (ННЗ).

Проводимость в данном случае будет дырочной, а полупроводник – акцепторный или полупроводник p-типа (буква «p» - первая буква слова positive – положительный).

2.2 Токи в полупроводниках

В полупроводнике электрический ток может быть вызван двумя причинами:

• электрическим полем;

• разностью концентраций носителей заряда.

2.2.1 Дрейфовый ток

Рассмотрим первую причину.

Направленное движение носителей заряда (НЗ) под действием электрического поля называется дрейфовым током.

Если к полупроводнику подключить источник постоянного напряжения, то под действием внешнего электрического поля электроны и дырки начнут перемещаться в противоположных направлениях (электроны будут двигаться к плюсовой клемме источника питания, т.е. в сторону, противоположную направлению поля, а дырки – к минусовой, т.е. по направлению поля) – возникнет дрейфовый ток. полупроводник

Ө

I_ДР Е

U_ПИТ

Е – напряженность электрического поля

За направление тока принято считать направление движения дырок.

2.2.2 Диффузионный ток

Диффузионный ток – это направленное движение НЗ, возникающее из-за разности их концентраций.

Если какую-то часть полупроводника нагреть, то в этой области возникнет повышенная концентрация зарядов (за счет термогенерации, т.е. генерации, вызванной тепловой энергией).

Но чем выше концентрация НЗ, тем больше вероятность столновения электронов друг с другом, в результате чего электроны будут как бы «выталкиваться» из области с повышенной концентрацией НЗ в область, где эта концентрация ниже.

Таким образом, НЗ стремятся к выравниванию концентраций.

Это явление получило название «диффузия» - проникновение.

3 Контактные явления

3.1 P-n переход

P-n переход – это контакт двух полупроводников с разной проводимостью.

Контакт нельзя создать простым соприкосновением двух полупроводников, т.к. при этом неизбежен слой воздуха, окислов, грязи. Для получения p-n перехода используется особая технология.

p n

d – толщина перехода

d (0,1÷1) мкМ (1мкМ=10^-6 М)

Заштрихованная область называется приконтактной областью.

3.1.1Обратное включение p-n перехода

Переход находится под обратным напряжением, если знаки клемм источника питания противоположны знакам ОНЗ соответствующих областей перехода.

p n

0НЗ

Ө

ОНЗ

Е_ВН I_ОБР

Е_ВНЕШН

о о

U_ОБР

–поле, вызванное потенциальным барьером перехода.

Потенциальный барьер – это разность потенциалов, возникающая за счет наличия отрицательных ионов примеси в полупроводнике p-типа и положительных ионов примеси в полупроводнике n-типа. всегда направлено из n-области в p-область.

–поле, вызванное внешним источником питания .

Эти поля совпадают по направлению (сонаправлены), поэтому суммарное поле будет равно: .

Под действие суммарного поля ОНЗ начнут оттягиваться от границ перехода вглубь полупроводников. При этом толщина перехода, а, следовательно, и его сопротивление увеличатся, ток через такой контакт будет протекать очень незначительный.

Причем, этот ток будет образован движением ННЗ, т.е. будет являться дрейфовым током. Ток диффузии в данном случае будет стремиться к нулю. Таким образом, ток, протекающий через обратно смещенный переход, будет равен: , где-тепловой ток (т.к. этот ток сильно зависит от температуры, с ростом температуры он резко возрастает.).

Тепловой ток мал по величине, т.к. сопротивление обратно смещенного перехода велико.