Основные параметры:

1). Напряжение вкл. - напряжение при котором ток через прибор начинает резко возрастать.

2). Ток включения- ток при приложении напряжения включения.

3). Удерживающий ток – минимальный ток необходимый для удержа6ния тиристора в откр. Состоянии.

4). Напр. в открытом состоянии.

5). Ток в закрытом состоянии.

6). Пост. отпир. Ток УЭ- минимальный тоу УЭ, который по рекл. тиристор.

Однопереходный транзистор (двухбвзовый диод).

Однопереходный транзистор представляет собой монокристалическую пластинку кремния n-типа с высоким значением удельного сопротивления, на кондах которой расположены омические контакты Б1 и Б2, а на боковой стороне – один эмиттерный переход (рис1).

Участки кристалла длинной и() выполняют роль базы.

Эмиттерный контакт связан с внешним выводом эмиттера Э.

Рис. 15

Схема включения однопереходного транзистора показана на рис.2. К выводам баз Б1 и Б2 подключают напряжение питания U_{Б1 Б2}, причем Б2 имеет положительный потенциал относительно Б1. Под действием этого напряжения в кремневой пластинке возникает токI_{Б1 Б2}.

Участок между базами Б1 и Б2 однопереходного транзистора представляет собой омическое сопротивление в несколько КОМ с линейной вольт амперной характеристикой. Поэтому напряжение U_{Б1 Б2} распределяется по базам пропорционально их сопротивлениям. Эти напряжения соответственно равныU_ЭБ1 иU_ЭБ1. Полярность напряженияU_Б1 такова, что в исходном состоянии эмиттерныйпереход будет смещен в обратном направлении и через него пройдет только небольшой обратный токI_ЭБ0.

Рис. 16

Это же состояние сохранится при подаче на эмитттер отрицательного напряжения U_Э или положительного, но не превышающего величинуU_ЭБ1.Если же напряжениеU_Э превысит напряжениеU_ЭБ1 на величину, достаточную для отпиранияперехода (точка АНА рис.3.), то в кремнивую пластинку будут инжектироваться дырки. Под действием напряженияU_Б1Б2 дырки будут двигаться к выводу Б1, образуя эмиттерный ток, что приведет к увеличению проводимости на участке. В результате внутреннее напряжениеU_Б1 уменьшится, что приведет к дальнейшему ростуI_Э. Этот процесс будет протекать лавинообразно. С ростом эмиттерного тока, сопротивление эмиттерного перехода снижается, а напряжениеU_Э уменьшается.

Рис. 17

Благодаря простоте конструкции, стабильному напряжению срабатывания, малому потреблению тока в цепи управления хорошей повторяемости параметров от образца к образцу, возможности передачи мощных импульсов, однопереходные транзисторы с успехом используют в разнообразных импульсных схемах.

Фототранзисторы.

Фототранзистор представляет собой фото гальванический приемник излучения, фоточувствительный элемент которого содержит структуру транзистора, обеспечивающую внутреннее усиление. Конструктивно фото транзистор выполнен так, чтобы световой поток воздействовал на базовую область. Обычно фото транзистор включается по схеме с общим эмиттером и при отсутствии освещения через него протекает темновой ток I_КЭ0. При освещение базы в ней происходит генерация дополнительных пар электрон-дырка. Дырки являясь неосновными носителями зарядов в базе диффундируют к коллекторному переходу и втягиваются полем в коллектор, образуя первую составляющую фототокаI_ф1.