3. Форма вхідних даних
Вхідні дані вводяться в файл VAMZG.DAT :
__________VAMZG_______________________________________________
_CR0____CO0_____DR____DOk___ALF___ze____Est_____E1_____E2_____E3
0.1 0.1 0.5e-5 0.5e-5 0.5 2 -0.1 -0.1 -0.3 0.2
__EL___EP___DF___DI___V/s_____dV___I00_____dx0__Xk______dt_____Nx
-0.4 0.4 0.1 0.01 0.5 0.1 100 0.0002 0 0.003 60
Ind1____іnd2_____kpp
3 0 5
Далі у вхідному файлі наведені пояснення позначень, вказані в таблиці:
|
CR0 CO0 |
CR0, СO0 |
Концентрації відновленої та окисленої форми реагента на початок процесу, =0, Моль/л. Нулі заборонені, замість них при необхідності вводити малі числа типу 1е-9 (10-9) |
|
DR DOk |
DR DOk |
Коефіцієнти дифузії red– та ox –форм реагента, см2/с. |
|
ALF |
|
Коефіцієнт переносу в рівняннях кінетики. |
|
ze |
ze |
Кількість електронів, які приймають участь в реакції. |
|
E0 |
Е0 |
Стандартний потенціал реакції (1), В.
|
|
E1, E2, E3 |
E1,E2, E3 |
Потенціали прямого (Е1-Е2) і зворотного (Е2-Е3) ходу розгортки (за рисунком 1). Точку початку розгортки краще обрати як рівноважний потенціал Е1= Е0 . |
|
El, EP |
|
Потенціали лівої і правої межі графіка, В. |
|
DF |
|
Розмір однієї поділки шкали потенціалів на екрані. Кількість поділень залежить від вибору довжини шкали (EP–EL) |
|
DI |
|
Розмір однієї поділки шкали струмів на екрані.(передбачено по 5 інтервалів зверху і знизу (катодний і анодний струм). |
|
V/s |
|
Швидкість розгортки потенціалу, В/с. |
|
dV |
|
Крок зростання швидкості розгортки потенціалу в серії дослідів з різними швидкостями dE/dt |
|
I00 |
і00 |
Стандартна густина струму обміну реакції, А/см2 |
|
dx0 |
dx0 |
Початкове значення кроку сіті по товщині дифузійного шару, см. |
|
Xk |
x k |
Коефіцієнт, регулюючий зміну кроку dx в залежності від координати х: dx (k) =dx0[1 + k x k ]/Nx , де k- номер кроку на інтервалі 1.. Nx. При x k=0 крок dx має постійне значення dx0. Прийом призначений для того, щоб збільшити товщину розрахун- вого шару, не збільшуючи кількість кроків Nx . |
|
dt |
d |
Часовий крок на просторово-часовій сіті, с. |
|
Nx |
Nx<200 |
Кількість вузлів сіті по координаті товщини дифузійного шару. |
|
іnd1 |
Числовий індекс |
3- циклічна ВА-грама Е1Е2Е3 Е2Е1 ( ZWAG) 4-повтори ВА-грами Е1Е2Е3 з різними швидкостями розгортки ( GRUPdV/dt) |
|
іnd2 |
Числовий індекс |
Індекси: 0 - сховати всі графіки динаміки концентрацій СR, CO; Показати: 1- динаміку поверхневих концентрацій СR0, CO0; 2- динаміку концентраційних профілів С(х); 3- обидва динамічні графіки, вказані в пп. 1 та 2. ind2 =0,1,2,3 0- пусто 1-Cs(E), 2- C(x,t), 3-Сs(E)+C(x,t) |
|
kpp |
|
Кількість циклів розгортки потенціалу. Якщо kpp=1, тоді розраховується один цикл Е1Е2Е3. При kpp 1 виконується два варіанти розрахунку: 1-багаторазова циклічна поляризація, Е1Е2Е3Е2Е1 ( Ind1=3, рис. 1a). 2-дублі (повтори) трикутної розгортки Е1Е2Е3, з однаковими початковими умовами С(х,) , але з різними швидкостями розгортки dE/d (ind1=4). |
