26.Электронно-дырочный переход и его основные св-а: вольтамперная хар-а перехода. Биполярные полупроводниковые приборы.

Электронно-дырочный переход возникает когда молекулы газа заряжены( тогда происходит свободная диффузия из n-проводников в р

Так как в области р с дырочной проводимостью подвижных электронов значительно меньше, чем в области nс элект­ронной проводимостью, то электроны из n-слоя начинают переходить в р-слой (у их границы), а дырки в то же время будут двигаться в обратном направлении. При этом элект­рическая нейтральность каждой области окажется нару­шенной. В пограничном слое с проводимостью типа а образуется положительный объемный заряд, а в р-области, то есть по другую сторону границы,— отрицательный. Таким образом, в тонком слое полупроводника у границы раздела р- и n-областей образуются две зоны объемных разноименных электрических зарядов. Этот слой и пред­ставляет собой собственно р-n-переход. Естественно, возникновение разноименных зарядов влечет за собой появле­ние электрического поля. Это поле препятствует проник­новению электронов в р-область, а дырок в «-область, причем настолько эффективно, что лишь отдельные элект­роны и дырки, обладающие повышенной энергией, могут преодолевать его тормозящее действие. Наступает стабиль­ное состояние р-n-перехода.

Если к полупроводнику приложить электрическое на­пряжение, то в зависимости от полярности этого напряже­ния р-n-переход проявляет совершенно различные свойства.

Когда отрицательный полюс источника подключен к n-области кристалла, а положительный — к р-об­ласти:

внешнее электрическое поле и поле р-n-перехода направлены в противоположные стороны. Поэтому электрическое поле р-n-перехода окажется в зна­чительной степени ослабленным, и теперь уже электроны из n-области смогут проникать в р-область, а дырки из р-области в n-область. Таким образом, в цепи источник питания — полупроводник возникает ток. Полярность приложенного напряжения, при которой через полупроводник протекает ток (как в описанном случае), получила назва­ние прямой полярности. Когда же отрицательный полюс источника питания подключен к р-области кристалла, а по­ложительный к n-области:

электрические поля источника и р-n-перехода совпадают. Суммарное поле возрастает и в еще большей степени (чем до присое­динения источника питания) будет препятствовать передвижению электрических зарядов через р-n-переход. Если рассматривать идеальный случай, то электрического тока через переход не будет. Такую полярность приложенного к кристаллу напряжения называют обратной.

Итак, с определенной долей приближения можно счи­тать, что электрический ток через р-n-переход проте­кает, если полярность напряжения источника питания прямая, и, напротив, тока нет, когда полярность обратная.

Однако в реальных условиях в полупроводнике, кроме основных носителей электрических зарядов — электронов и дырок, образующихся при введении примесей, имеются, как было показано, и неосновные носители зарядов (их значительно меньше) электроны п дырки, образующиеся вследствие теплового движения атомов в кристалле. Часть этих электронов и дырок способна проходить (дрейфовать) через р-n-переход даже при обратной полярности прило­женного к полупроводнику напряжения, создавая так называемый обратный ток, который, разумеется, несрав­нимо меньше прямого тока. Следовательно, р-n-переход полупроводника весьма определенно проявляет свойство односторонней проводимости, что дает возможность рас­сматривать кристалл в качестве вентиля. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода

показывает, что уже при сравнительно небольших прямых напряжениях сопротивление перехода падает, а прямой ток резко уве­личивается.

У полупроводников обратные напряжения U_обрзначи­тельно больше прямых U_пр, а обратные токи намного слабее прямых токов, однако при некотором возросшем значении обратного напряжения наступает явление так называемого пробоя р—п-перехода и обратный ток резко возрастает (точка А). В этом режиме напряжение на диоде изменяется очень мало, даже при изменении тока через прибор в весьма широких пределах, то есть полупроводник ведет себя как стабилитрон. Подобный режим, который будет аварийным для полупроводниковых выпрямителей, успешно исполь­зуется в устройствах стабилизации напряжения. Биполярный транзистор - электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзистор называется биполярный, поскольку в работе прибора одновременно участвуют два типа носителей заряда – электроны и дырки.

Режимы: 1) активный(усилительный),эмиттерный в прямом, коллекторный в обратном.

2)инверсный(наоборот)

3)режим насыщения(эмиттерный и коллекторный в прямом)

4)режим отсечки(эмиттерный и коллекторный в обратном)

Электроны инжиктируются в базу(т.е. выпрыскиваются).Входной сигнал- коллектора и выходной-эмиттера. Инжекция создает условия для увеличения тока коллектора:

,,(

27. Эмиссия электронов с поверхности проводящих тел: термоэлектронная, фотоэлектронная, вторичная электронная, автоэлектронная; физическая сущность и основные характеристики.

ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ – испускание электронов поверхностью твердого тела или жидкости.На поверхности металла создается электрический заряд. Тэрмоэлектронная работа вылета электрона из металла и концентрация будут увеличиваться.

Эмиссии бывают: 1)термоэлектронная эмиссия(энергия электронов будет увеличиваться),зависимость: f ; 2) фотоэлектронная эмиссия(облучаем поверхность проводника светом: ) – описывается ур-ем Эйнштейна:,<1

3)вторичная электронная эмиссия наблюдается при бомбардировке поверхности металла. Если >Ф ,то электрон может отдать энергию иону кристаллической решетки или электрону,который нах-я в металле для его вылета из него., подходит для усиления аппала.

4) холодная( автоэлектронная эмиссия)- испускание катода с заостренного катода.