Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ОЭ лаб.pdf
Скачиваний:
69
Добавлен:
15.02.2016
Размер:
559.61 Кб
Скачать

28

Лабораторная работа № 8 3

Определение угловой расходимости луча и длины волны излучения полупроводникового лазера

Цель работы. Ознакомиться с принципом действия и конструкцией газового гелий-неонового лазера; оценить экспериментальную угловую расходимость луча лазера; измерить длину волны излучения гелийнеонового лазера с помощью дифракционной решетки.

Приборы и принадлежности. Полупроводниковый оптический квантовый генератор (лазерная указка); дифракционная решетка 100 штрихов на 1 мм, укрепленная на штативе; экран.

Описание экспериментальной установки

Схема экспериментальной установки приведена на рис. 18. Используется маломощный (2 мВт) полупроводниковый оптический квантовый генератор.

Луч света от лазера падает на экран непосредственно или, пройдя предварительно через дифракционную решетку. В первом случае луч используется для определения угловой расходимости луча лазера. Во втором для определения длины волны излучения на основе явления дифракции света.

Прошедший через дифракционную решетку луч, дает дифракционную картину – дифракционные максимумы нулевого, первого, второго и т.д. порядка. Угол ϕ между дифракционным максимумом нулевого и n-го порядка определяется из условия

d sin ϕ = n λ,

 

 

l

 

 

y

2

Кнопка включения

 

1

ДР

 

 

n=2 1

0

 

Лазер

 

 

D

Экран

L

Рис. 18. Схема экспериментальной установки