Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ кремниевой наноэлектроники.pdf
Скачиваний:
216
Добавлен:
15.02.2016
Размер:
5.66 Mб
Скачать

11.3. Транспорт носителей в узких каналах и квантование проводимости

Рассмотрим вырожденную электронную систему 2D канала. Двумерную плотность электронов в такой системе можно выразить через модуль импульса на поверхности Ферми

 

 

π

p2

 

p2

 

k

2

 

 

nS

= 2

 

 

F

=

F

=

 

F

.

(11.3.1)

(2

π h)2

2π h2

 

 

 

 

 

 

2π

 

Тогда кондактанс (т.е. обратное полное сопротивление) канала можно записать в следующей форме:

 

W q2n

τ

 

W q2τ

 

p2

 

 

W

2q2

k

l

 

(11.3.2)

G =

 

S

 

=

 

 

 

F

 

=

 

 

 

F

 

.

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

L m

 

L m

 

2π h

 

h

 

π

 

 

 

 

 

 

 

L

 

 

 

 

Перепишем (11.3.2) в несколько иной, но эквивалентной форме:

l

2q2

kFW

 

G =

 

 

 

 

 

.

(11.3.3)

 

h

 

 

L

 

π

 

 

Единственной размерной комбинацией параметров, входящей в

(11.3.3), является

 

 

 

 

G

= 2

q2

.

(11.3.4)

 

0

h

 

 

 

 

 

 

В системе единиц СИ эта величина имеет размерность обратного Ома (Сименс) и выражается через фундаментальные физические

константы (заряд электрона q и постоянную Планка h):

 

 

2q

2

= 77.48 нА/мВ, или

 

 

h

 

 

 

 

 

h

 

 

 

 

 

 

= 12 906 Ом.

(11.3.5)

 

 

 

 

2q 2

 

 

 

 

 

 

Последний сомножитель в (11.3.5) означает количество полуволн заполненных поперечных мод

M

k FW

=

2π W

=

W

 

.

(11.3.6)

 

 

 

 

 

 

π

λF π

λF

2

 

 

 

 

 

Это означает, что канал макроскопической ширины можно представить как параллельно соединенные узкие проводники с шириной порядка половины длины волны де Бройля электрона. Количество таких мини-проводников (количество поперечных мод) рав256

но ~ 2WλF . Количество поперечных мод наглядно иллюстрируется следующей картинкой (рис. 11.3).

Рис. 11.3. Поперечные моды 2D проводника с шириной W

Если на ширине канала укладывается одна стоячая полуволна, то говорят об одномерном проводнике (канале).

Каков же смысл множителя lL ? Оказывается, что в одномерных каналах величина

T =

l

(11.3.7)

L + l

 

 

есть не что иное, как средняя вероятность электрону пролететь из истока в сток без рассеяния. Аргументы в пользу этой формулы будут приведены ниже.

Взаимодействие с любым рассеивающим центром приводит в одномерном канале к обратному рассеиванию электрона в исток. Таким образом, вероятность любого рассеивания становится в одномерном проводнике эквивалентом вероятности туннелирования через некоторый потенциальный барьер.

В обычных широких каналах, когда М >> 1, картина является более сложной, поскольку рассеяние может проходить между разными поперечными модами, что дает выражение для полной проводимости

 

2q

2

Μ

 

G =

 

Tα,β ,

(11.3.8)

h

 

 

 

α,β

 

где Tn,m – вероятности переходов из m-й моды (m полуволн на ширине канала) у одного контакта в n-ю моду другого контакта.

Таким образом, полная проводимость канала выражается через вероятности прохождения носителя из одного контакта в другой. Такой подход носит название подхода Ландауэра (автора пионерской работы 1958 г.), и он принципиально отличается от описания

257

проводимости в объемных проводниках, в которых о контактах нет никакой речи.

Если рассеяние отсутствует, то прохождение носителей происходит по одной моде и вероятность прохождения равна единице:

Tn,m =δn,m .

(11.3.9)

Тогда суммарная проводимость складывается просто из полного

количества одномерных заполненных подзон

 

G =

2q2

M T ,

(11.3.10)

h

 

 

 

где М – количество заполненных мод.

Если эффективная ширина проводника уменьшается, то количество заполненных одномерных подзон М будет дискретным образом уменьшаться, что приведет к ступенчатому изменению полной проводимости и сопротивления.

Рис. 11.4. Иллюстративная зависимость проводимости от ширины канала

После заполнения моды кондактанс меняется скачком, и его зависимость от ширины канала должна иметь ступенчатый характер. Именно такой вид зависимости наблюдается экспериментально (рис. 11.4). Каждой ступеньке соответствует проводимость по одной моде.

258

11.4. Квантовый точечный контакт

При описании транспорта электрона в макроскопических металлических образцах естественным является подход, основанный на задании электрического поля внутри проводника. Такой подход оправдан при выполнении двух условий: во-первых, если размеры образца велики и контакты не играют существенной роли в задаче, во-вторых, концентрация свободных носителей в проводнике достаточно велика. Последнее условие обеспечивает отсутствие заметных областей с ненулевым объемным или поверхностным зарядом, что делает ненужным самосогласованное решение уравнения Пуассона. Указанные условия хорошо выполняются для металлов, но в полупроводниковых наноразмерных системах ситуация обычно иная. Размеры такой структуры малы, а экспериментально можно задавать только разность потенциалов между двумя (макро) контактами структуры.

Рассмотрим систему из двух массивных контактов (истока и стока), соединенных тонким проводящим перешейком (каналом). Такую систему часто называют квантовым точечным контактом (quantum point contact), имея в виду наличие квантование по ширине узкого соединения (constriction) между контактами. В вырожденном случае ток через одномерный канал можно вычислить как разность потоков, посылаемых истоком и стоком с соответствующими функциями распределения fS (ε) и fD (ε). Считаем, что ток

между контактами слабо влияет на сами контакты, и, следовательно, функции распределения можно представить в виде равновесных распределений Ферми-Дирака. Единственное отличие состоит в том, что уровень Ферми в стоке ниже уровня Ферми в стоке на величину qVDS (см. рис. 11.2)

 

 

f

 

(ε)

 

 

ε μ

1

 

 

 

 

 

S

= 1

+ exp

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f

 

(ε)

 

 

 

ε

μ + qV

 

 

 

1

(11.4.2)

D

= 1

+ exp

 

 

DS

 

.

 

 

 

 

 

 

kT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тогда, воспользовавшись представлением тока как разности между двумя потоками, посылаемыми истоком и стоком, можно записать ток через квантовый точечный контакт как

259