Priemniki_infrakrasnogo_izlucheniya-pdf

81

Рис. П1 и П2. Статистические сведения о продукции, выпускаемой зарубежными фирмами.

82

Рис. П3 и П4. Статистические сведения о продукции, выпускаемой зарубежными фирмами.

83

Рис. П5. Основные направления развития микрофотоэлектроники

84

Рис. П6.Теоретические параметры идеального фотопримника.

85

Рис. П7. Основные характеристики типового фоторезистора на основе InSb.

86

Рис. П8. Основные характеристики типового фотодиода на основе InSb.

87

Рис. П9. Основные характеристики типового фотодиода на основе InAs.

88

Рис. П10. Основные характеристики типового фоторезистора на основе PbS.

89

Рис. П11. Основные характеристики типового фоторезистора на основе Ge:Hg.

90

Рис. П12. Основные характеристики типового фоторезистора на основе Ge:Cu.