
- •Конспект з дисципліни: «Електроніка та мікросхемотехніка»
- •Фізичні основи побудови напівпровідникових приладів. Електрофізичні властивості напівпровідників.
- •Енергетичні діаграми для провідників, напівпровідників, діелектриків.
- •Провідність напівпровідників
- •Властивості напівпровідникових матеріалів
- •Електронно-дірковий перехід, фізичні властивості
- •Властивості p-n переходів
- •Електронно-дірковий перехід при прикладені напруги зворотної полярності
- •P-n перехід при прикладені напруги прямої полярності
- •Температурна залежність вах p-n переходів
- •Порівняльна характеристика Si I Ge p-n переходів
- •Напівпровідникові діоди
- •Основні електричні параметри діодів
- •Спеціальні типи діодів
- •Системи позначень напівпровідникових діодів
- •Переходи метал – напівпровідник (мнп)
- •Активні напівпровідникові елементи. Біполярні транзистори
- •Основні режими роботи транзистора
- •Технологія виготовлення транзисторів
- •Основні параметри транзисторів
- •Системи позначень
- •Умова підсилення
- •Схеми ввімкнення транзисторів
- •Приблизні параметри активних схем ввімкнення
- •Статичні вах біполярних транзисторів
- •Транзистор як активний чотирьохполюсник
- •Уніполярні, або польові транзистори
- •Основні переваги
- •Вах польового транзистора
- •Польові транзистори з ізольованим заслоном
- •Інші підсилювальні структури
- •Бт з ізольованим заслоном
- •Тиристор (т)
- •Параметри тиристора
- •Технологія виготовлення інтегральних мікросхем
- •Стадії пленарно – дифузійної технологі
- •Семотехніка електронних пристроїв Електронні підсилювачі для пристроїв автоматики
- •Класифікація
- •Основні характеристики підсилювачів
- •Частотна і фазова характеристика підсилювачів
- •Складений транзистор (схема Дарвінгтона)
- •Аналогові мікросхеми (ам)
- •Класифікація ам
- •Операційні підсилювачі
- •Структурні схеми оп
- •Диференційні каскади підсилення
- •Балансні, або мостові схеми
- •Операційні підсилювачі. Структурні схеми оп. Основні характеристики оп
- •Позначення оп
Системи позначень
Для позначення застосовується букво – цифровий код
1.елемент – це буква, або цифра (буква – широкого застосування, цифра – спеціального, або промислового застосування)
Г, або 1 – Германій
К, або 2 – Кремній
А, або 3 – Арсенід Галію
І, або 4 – Індій, або сполуки
2.Т – біполярний транзистор
П – польовий транзистор
3.Цифра, яка визначає функціональні можливості по розсіювальній потужності і частоті. 4.Трьохзначна цифра – порядковий номер розробки
5.Класифікаційна літера, яка означає відмінність між основними параметрами в одному типі транзисторів
Найчастіше по β, або по UBR / Використовуються букви, які не похожі на цифри.
А=β=40 – 60
Б=β=60 – 100
В=β=100 – 120
Іноді є додаткові позначення
При нормальному режимі ввімкнення між емітером і базою прикладена напруга прямої полярності – опір емітерно базового переходу невеликий, спадок напруги малий (0.5 – 0.7 В) в емітерному колі буде протікати струм іе
Між колектором і базою прикладена напруга зворотної полярності, велини її порядку 10 ÷ 30 В, цей перехід закритий, опір його великий.
При протіканні прямого струму основні носії з емітерного шару (дірки) почнуть активно рухатися в шар бази, товщина шару бази є дуже мала, невеличка частина дірок рекомбінує з електронами за рахунок цього утвориться невеликий базовий струм Іб, а в самій базі виникає велика концентрація неосновних носіїв (дірок).
Далі шляхом дифузії дірки починають рухатися в різні бази і попадуть в шар колектора. Поле між базою і колектором.
Для них буде прискорюючим і всі дірки, котрі попали в шар колектора почнуть рухатися назустріч електронам, які туди поступають туди від колекторного джерела, вони рекомбінують і виникає колекторний струм Ік, який майже рівний емітерному струму.
Такий процес переходу дірок з шару емітера в шар колектора називається передачею струму з кола емітера в коло колектора для схеми зі спільною базою
Він характеризується коефіцієнтом передачі струму для схеми зі спільною базою
α або h21B
α – Вижчий, чим тонша база
Умова підсилення
Рвхк=UBE·IE
Рвихк=UCB·IC
UBE·IE << UCB·IC звідси слідує наступне Рвхк > Рвихк
Отже ми одержали піднесення потужності
Схема зі спільною базою дає підсилення тільки по напрузі підсилення по струму близьке до одиниці.
Є інші схеми ввімкнення, найбільш поширена схема зі загальним емітеро (ЗЕ) в ній керують підсиленням змінного базового струму.
Така схема дає підсилення як по струму так і по напрузі тому підсилення потужності для неї найбільше
Схеми ввімкнення транзисторів
В залежності від того, як прикладена напруга і як ввімкнене навантаження розділяють три схеми ввімкнення транзистора:
1.Схема зі спільною базою (СБ) – дає підсилення по напрузі, коефіцієнт підсилення по струму близький до одиниці. Вхідний опір такої схеми є малий, вихідний опір є дуже великий.
Схема зі спільною базою дуже мало застосовується.
2.Схема зі спільним емітером (СЕ) – дає підсилення як по струму, так і по напрузі, має відповідно найбільше підсилення по потужності , це є найбільш поширена схема.
Вхідний опір досить великий, а вихідний опір відносно невеликий
Вхідний сигнал подається між емітером і базою, а навантаження вмикається між емітером і колектором.
(h21E)
β=10÷1000
3.Схема зі спільним колектором – ця схема повністю охоплена від’ємним зв’язком по напрузі, коефіцієнт підсилення по напрузі для неї близький до одиниці, вона дає підсилення тільки по струму.
Схема має високий вхідний опір (найбільший) і дуже малий вихідний.
Її застосовують для узгодження у випадку коли джерело має високий вихідний опір, а наступний каскад має малий вхідний