12.6 Классификация униполярных транзисторов

Классификация униполярных транзисторов проводится по следующим признакам:

1. По роду исходного материала – кремниевые, арсенидогаллиевые.

2. По типу управления каналом – с управляющим р-п переходом, с изолированным затвором и индуцированным каналом, с изолированным затвором и встроенным каналом.

3. По типу проводящего канала – п-канал или р-канал.

4. По технологическим особенностям – планарные, эпитаксиально-планарные, диффузионно-планарные и т.п.

5. По рассеиваемой мощности – маломощные (до 300 мВт), средней мощности (от 0,3 Вт до 1,5 Вт) и большой мощности (более 1,5 Вт).

6. По граничной частоте – низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (от 3 МГц до 30 МГц), высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) и сверхвысокочастотные (более 300 МГц).

12.7 Система обозначений униполярных транзисторов

В основу системы обозначений полупроводниковых биполярных транзисторов согласно ОСТ 11 336.038-77 положен семизначный буквенно-цифровой код, первый элемент которого (буква – для приборов широкого применения, цифра – для приборов специального назначения) обозначает исходный полупроводниковый материал. Второй элемент обозначения – буква, определяет подкласс приборов (для униполярных транзисторов буква П), третий элемент – цифра или буква, определяет один из основных характеризующих данный прибор признаков. Четвертый, пятый и шестой элемент – трехзначной число, обозначающее порядковый номер разработки. Седьмой элемент – буква, характеризует классификацию по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения материала (первый элемент) используют: К или 2 – кремний и его соединения; А или 3 – арсенид галлия.

Для обозначения подклассов приборов (второй элемент) используются букву П – биполярный транзистор.

Значение третьего элемента (цифра), характеризующего основной признак прибора, для биполярных транзисторов определяет рассеиваемую мощность транзистора и его граничную частоту:

1 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;

2,3 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;

4,5 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;

6,7 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;

8 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;

9 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;

Примеры обозначений:

КП103М – кремниевый диффузионно-планарный полевой транзистор с управляющим р-п переходом и каналом р-типа низкочастотный и маломощный, порядковый номер разработки 03, группа М.

2П9023В – кремниевый сверхвысокочастотный мощный транзистор с изолированным затвором и каналом п-типа, номер разработки 02, группа В.

13