лабы / по транзисторам / фом лаба3
.docПермский Государственный Технический Университет
Кафедра АТ
Лабораторная работа № 3
Исследование рабочих характеристик транзисторов.
Выполнил : студент группы
КТЭИ-00-2
Закурдаева Е. А.
Проверил : преподаватель
Суханов С. В.
Пермь 2001г.
Цель работы: изучение опытным путем входных и выходных характеристик для схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным эксперементальным характеристикам.
Схема ОЭ:
Выходные характеристики:
|
Uкэ,В |
Ik,мА |
||||
|
Iб=0 |
Iб=0.05 |
Iб=0.1 |
Iб=0.15 |
Iб=0.2 |
|
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
0.5 |
0.012 |
0.071 |
0.135 |
0.205 |
0.280 |
|
2 |
0.013 |
0.073 |
0.139 |
0.209 |
0.287 |
|
4 |
0.013 |
0.075 |
0.143 |
0.215 |
0.296 |
|
6 |
0.014 |
0.077 |
0.147 |
0.220 |
0.303 |
|
8 |
0.015 |
0.079 |
0.151 |
0.225 |
0.309 |
|
10 |
0.016 |
0.081 |
0.154 |
0.230 |
0.317 |
Входные характеристики:
|
Ukэ=0 В |
Ukэ=-5 В |
||
|
Iб, мА |
Uбэ, В |
Iб, мА |
Uбэ, В |
|
0 |
0.008 |
0 |
0.012 |
|
0.05 |
0.065 |
0.05 |
0.069 |
|
0.1 |
0.085 |
0.1 |
0.089 |
|
0.15 |
0.099 |
0.15 |
0.103 |
|
0.2 |
0.11 |
0.2 |
0.114 |
h11= Uбэ/
Iб(Uкэ
=const)=
Ом (при Ukэ=0
В) –входное сопротивление
h12= Uбэ
/Ukэ(Iб
=const)=
(при
Iб=0.2) – коэффициент
обратной связи
h21=Iк/Iб(Uкэ=const)=
(при Ukэ=10
В) – коэффициент передачи тока
h22= Iк/
Uкэ
(Iб =const)=
1/Ом (при Iб=0.2) –
выходная проводимость
Вывод:
2. (Для схемы ОЭ:) Выходные характеристики представляют собой зависимость тока коллектора Ik от напряжения между коллектором и эмиттером Ukэ при постоянном токе базы. Модуляция толщины базы обусловливает больший наклон выходных характеристик, чем в схеме ОБ, по причине взаимодействия с эмиттерным переходом.
Входные характеристики ОЭ представляют собой зависимость тока базы от напряжения между базой и эмиттером Uбэ при постоянном выходном напряжении Ukэ. Входное напряжение ОЭ по величине равно входному напряжению ОБ, но их полярности противоположны (Uбэ= - Uэб). При увеличении напряжения Ukэ входная характеристика смещается в сторону оси напряжений. Одной из причин этого смещения также является модуляция толщины базы.
Схема ОБ:
Выходные характеристики:
|
Uкб,В |
Ik,мА |
|||||
|
Iэ=0 |
Iэ=2 |
Iэ=4 |
Iэ=6 |
Iэ=8 |
Iэ=10 |
|
|
0 |
0.04 |
1.78 |
3.56 |
5.32 |
7.12 |
8.88 |
|
0.5 |
0.04 |
1.79 |
3.57 |
5.34 |
7.13 |
8.90 |
|
2 |
0.04 |
1.79 |
3.58 |
5.35 |
7.15 |
8.93 |
|
4 |
0.04 |
1.80 |
3.59 |
5.37 |
7.17 |
8.96 |
|
6 |
0.04 |
1.80 |
3.60 |
5.39 |
7.20 |
8.99 |
|
8 |
0.04 |
1.81 |
3.61 |
5.40 |
7.22 |
9.02 |
|
10 |
0.04 |
1.82 |
3.62 |
5.41 |
7.24 |
9.05 |
Входные характеристики:
|
Ukб=0 В |
Ukб=-5 В |
||
|
Iэ, мА |
Uэб, В |
Iэ, мА |
Uэб, В |
|
0 |
0.036 |
0 |
0.036 |
|
2 |
0.16 |
2 |
0.161 |
|
4 |
0.196 |
4 |
0.199 |
|
6 |
0.222 |
6 |
0.226 |
|
8 |
0.243 |
8 |
0.247 |
|
10 |
0.262 |
10 |
0.267 |
h11= Uэб/
Iэ(Uкб
=const)=
Ом (при Ukб=0
В) –входное сопротивление
h12= Uэб
/Ukб(Iэ
=const)=
(при Iэ=10 мА) –
коэффициент обратной связи
h21=Iк/Iэ(Uкб=const)=
(при Ukб=10
В) – коэффициент передачи тока
h22= Iк/
Uкб
(Iэ=const)=
1/Ом (при Iэ=10 мА) –
выходная проводимость
Вывод:
1. (Для схемы ОБ:) Ток на коллекторе Iк практически не зависит от напряжения Uкб (выходная характеристика). Незначительное увеличение Iк с ростом Uкб происходит из-за модуляции толщины базы (эффекта Эрли), т.е. уменьшения её толщины при увеличении напряжения на коллекторном переходе.
Ток эмиттера Iэ в зависимости от напряжения Uэб (входная характеристика) представляет собой прямую ветвь ВАХ эмиттерного перехода. При увеличении напряжения Ukб (по модулю) входные характеристики смещаются в сторону оси тока Iэ, причиной тому всё тот же эффект модуляции толщины базы