3.4.2. Построение нагрузочной линии вс и входной характеристики км

Нагрузочная линия для переменного тока ВСна рис.3.7,а проводится через точкуВс координатамиI_{max 2}, U_{кэ min2} и точкуCс координатамиI_{max 3}, U_кэ min3. Для одинаковых транзисторов эти величины одинаковы, поэтому на рис.3.7,а они обозначены I_max, U_кэ min (без индексов) Эти величины определяются так же, как для однотактного УМ класса А. Индивидуальные нагрузочные линии для транзисторовVT2, VT3 проходят, как указано пунктиром, через точкиА'иА''. Поскольку магнитные потоки обмоток W₁' W₁''направлены встречно, а напряжения (ток) в нагрузке пропорциональны разности магнитных потоков, нагрузочная линияВСдля обоих транзисторов строится для разностного токаI_к2 –I_к3и проходит через точкуАна оси напряжений, в которой напряжениеU_кА2 = U_кА3  Е_п. По наклону линииВСопределяется оптимальное сопротивлениеR_{к опт}в коллекторной цепи:

, (3.32)

и вычисляется коэффициент трансформацииN для половины обмотки (W₁' илиW₁''):

(3.33)

Индивидуальные входные характеристики транзисторов VT2, VT3 указаны на рис.3.7,б пунктиром. Начальное смещениеI_бА2, I_бА3выбирается так, чтобы входная характеристика, построенная для разностного токаI_б2 –I_б3, была близка к прямой и проходила через 0 (I_бА2 = I_бА3). В этом случае устраняются нелинейные искажения типа «ступенька» во входной цепи (пунктирная кривая), особенно сильные около начала координат.

3.4.3. Энергетические соотношения в классе в

Эти соотношения имеют такое же важное значение, как и в классе А. Определяются и анализируются те же величины:

1. Мощность переменного тока Р_~ в коллекторных цепях транзисторовVT2 и VT3:

. (3.34)

Величина Р_~должна быть большеР_нна величину потерь:

(3.34' )

где _Тр–кпдтрансформатора Тр2 по табл.3.1.

2. Мощность потребления Р_потр:

. (3.35)

3. Коэффициент полезного действия ^Вв классе В:

. (3.36)

Максимального значения ^В = 0,78 кпддостигает при^В = 1, но это возможно только в схеме ОБ. В схеме ОЭ^В 0,9 и максимальныйкпдв схеме ОЭ не превышает 0,7 ÷ 0,65.

4. Мощность рассеяния:

(3.37' )

Однакозависит от величины^В, входящей вР_~ (3.34) и в ^В(3.36):

. (3.37)

Максимальная мощность рассеяния может быть найдена как экстремум функции (3.37). Для нахождения экстремума надо взять производную по^Ви приравнять ее к нулю:

. (3.38)

Решив (3.38), можно найти, что максимум мощности рассеяния получается не при максимальном сигнале, а при коэффициенте использования напряжения

(3.39)

и достигает величины

. (3.40' )

С учетом (3.34)

(3.40)

При всех других значениях ^Вмаксимальная мощность рассеяния уменьшается. Поскольку сигнал(U_m) все время изменяется от 0 доЕ_п, то средняя мощность рассеянияР_{расс.ср} будет меньше, чем в (3.40). Ориентировочно для выбора транзисторов можно считать, что

(3.41)

После получения остальных данных производится уточнение по формуле (3.37). Мощность, рассеиваемая одним транзистором, в два раза меньше, чем (3.41), и допустимая мощность рассеяния транзистораР_допвыбирается предварительно из следующего условия:

(3.42)

Величина в (3.41) и (3.42) определяется согласно (3.34'). Для транзисторовVT2 иVT3 должны выполняться условия (3.21).