Параметры импульсных диодов

Тип диода	Iпр, мА	Uпр	Uпр.имп	Uобр	Iобр, мкА	tвосст, мкс	tуст, мкс	C (Uобр=5В), пФ
		В
Д18 Д219А КД503А	20 50 20	1 1 1	5,0 2,5 2,5	20 70 30	50 1 10	<0,1 0,5 0,01	<0,08 - -	0,5 15 5

По величине t_вост импульсные диоды подразделяются на:

скоростные, или микросекундные 1мкс< t_вост <0,1мс

сверхскоростные, или наносекундные t_вост <0,1мкс

Варикапы

Варикапы – это полупроводниковый диод, в котором используется зависимости барьерной емкости С_бар р-п перехода от обратного напряжения. Для большинства реальных р-п переходов зависимость С_бар(U_обр) можно представить в виде

С_бар(U_обр)=A^S(U_обр +₀)^-n пФ,

где A – постоянный коэффициент для данного перехода; S – площадь перехода, мм² ; U_обр – обратное напряжение, В; 1/2  n  1/3, ₀0,8 В.

Например, для сплавных переходов A=128, n=1/2:

Варикапы широко применяются в радиотехнических устройствах для электронной (дистанционной) перестройки колебательных контуров в диапазонах в диапазонах радиоволн – коротковолновом (КВ), ультракоротковолновом (УКВ) и дециметровом (ДЦВ). По сути варикап это полупроводниковый управляемый напряжением конденсатор. Он заменяет в радиоустройствах конденсаторы переменной емкости довольно внушительных габаритов. Особенно эффективно применение варикапов в микроэлектронных радиоустройствах.

Параметры варикапов.

C_н – номинальная емкость, измеренная между выводами при небольшом обратном напряжении U_обр =25 В. Для большинства варикапов C_н  10500 пФ.

K_c – коэффициент перекрытия по емкости, равный отношению C_{бар max} / C_{бар min}  520.

C_{бар max} = C_бар (U_{обр min}), C_{бар min} = C_бар (U_{обр max}).

Q – добротность, определяемая отношением реактивного сопротивления варикапа X_c к полному сопротивлению потерь r_s при заданном обратном напряжении на заданной частоте

Q = X_c/r_s  20500.

На высокой частоте X_c=1/ C_бар и Q_в =1/ r_s  C_бар

Диоды Шоттки

В последнее время достаточно широко в электронных приборах, особенно в микросхемах, используется барьер Шоттки, являющийся основой диода Шоттки (ДШ). Барьер Шоттки образуется в переходе металл – полупроводник. Возможны металло-дырочный или металло-электронный переходы. По свойствам ДШ аналогичен рассмотренным ранее диодам с электронно-дырочным переходом, но отличается от них параметрами. Переход металл – полупроводник часто называют «контакт металл – полупроводник».

Для изготовления ДШ в качестве основы используют низкоомный кремний n-типа (n⁺) с тонким слоем (плёнкой) высокоомного кремния того же типа (n). На поверхность высокоомной плёнки кремния (n-Si) наносят металлический электрод из золота методом напыления в вакууме. На границе плёнки золота и высокоомной плёнки n-Si образуется выпрямляющий контакт (переход).

Au

AПереходh_os

высокоомная

nпленкаSi-n

n⁺

основание Si-n⁺

Рис.7.

Прямое напряжение на ДШ меньше на 0,2-0,3 В, чем на кремниевом p-n переходе. Прямое напряжение не превышает 0,4 В. Это важное свойство ДШ позволяет существенно повысить быстродействие ключевых элементов в цифровой импульсной технике применением «ключей Шоттки».

Кроме сверхскоростных и сверхвысокочастотных диодов на базе барьера Шоттки можно создавать и мощные высокочастотные выпрямительные ДШ. Созданы ДШ, работающие на частоте 1 МГц при U_обр≥50 В и I_пр≥10 А.

ВАХ:

U_a

Рис.8.