Параметры туннельных диодов

Тип Диода	Материал	Пиковый ток I1, мА	IB, МА		U1, МВ	U2, В	Uз, В
ГИ 304А ГИ 305А АИ 301Г	Ge Ge GaAs	4,8 9,6 10	0,3 0,5 1,0	>5 >5 >8	< 75 < 85 180	0,250,35 0,250,350,40,5	> 0,44 > 0,45 > 0,8

Точечный диод

Точечные диоды имеют р-п переход в виде полусферы с очень малой площадью перехода (рис.4). Технология их изготовления сравнительно проста. Жесткая заостренная игла из сплава вольфрама с молибденом прижимается к базовой пластинке германия (или кремния) п-типа, помещается в корпус и герметизируется. После сборки и герметизации производится электроформовка - пропускание через прижимной контакт импульсов тока с большой амплитудой. Под действием этих импульсов под острием иглы образуется p-область (с очень малыми размерами) и р-п переход на границе с исходным полупроводником п‑типа. Точечные диоды изготовляются на сравнительно небольшие токи и обратные напряжения, но зато они дешевы и рабочие частоты их высоки.

Некоторые параметры точечных диодов

Тип прибора	Iпр, А	Uпр, В	Uобр, В	Iобр, мА
Д7А Д7Ж Д246А Д1008	0,3 0,3 10 0,05	0,5 0,5 1,0 11	50 400 400 10000	0,1 0,1 3,0 -

Импульсный диод

Импульсные диоды предназначены для работы в цепях с очень быстрым (импульсным) изменением тока по величине и по направлению. При быстром изменении напряжения (тока) на диоде ток (напряжение) через диод в соответствии со статической характеристикой (3.9) устанавливается не сразу, а через некоторое время, обусловленное инерционностью диода. Инерционность диода связана с конечной скоростью установления концентрации неравновесных носителей при внешнем смещении р-n перехода. Поэтому для импульсных диодов наряду с параметрами, определенными из статической вольт-амперной характеристики, вводят еще ряд параметров, характеризующих инерционность диода. Основные из них:

1. t_восст - время восстановления обратного сопротивления при переключении из прямого направления в обратное в момент t₁ (рис.5). В начальный момент после переключения U_a обратный ток намного больше установившегося (3.8) из-за высокой неравновесной концентрации неосновных носителей, оставшихся от прямого смещения. В течение t_восст концентрация неосновных носителей уменьшается, а обратный ток достигает заданного значения (несколько большего, чем из (3.8), как показано на рис.5).

Рис. 5

Рис.6

2. t_уст - время установления прямого сопротивления диода при переключении из обратного направления в прямое в момент t₁ (рис.6). В начальный момент включения прямого тока величина прямого напряжения (сопротивления) на p-n переходе больше, чем это следует из (3.7), так как концентрация инжектированных (неосновных) носителей еще мала. В течение t_уст концентрация инжектированных носителей достигает величины, близкой к установившейся, а прямое напряжение (сопротивление) уменьшается до 1,1 U_np , соответствующего статической вольт-амперной характеристике (3.7). Этот процесс еще характеризуют максимальным импульсным прямым напряжением U_{np.имп.max}.

3. С_д - емкость диода при заданном смещении. Часто С_д измеряется при U_обр= 5 В.

Импульсные диоды выполняются точечными и плоскостными с малой площадью перехода.