
- •1. Общие сведения о полупроводниках. Собственная и примесная проводимость полупроводников.
- •2. Дрейфовые и диффузионные токи в полупроводниках.
- •3.Электронно-дырочный переход. Образование и свойства p-n перехода.
- •4. Неравновесное состояние p-n перехода.
- •6. Контакт металл-полупроводник.
- •7. Полупроводниковые диоды. Выпрямительные диоды. Основные характеристики.
- •8.Диоды. Выпрямительные диоды. Устройство, вах. Применение.
- •9. Полупроводниковые диоды. Туннельный диод. Основные характеристики.
- •10. Полупроводниковые диоды. Импульсные и точечные диоды. Основные характеристики.
- •11. Биполярный транзистор. Устройство, принцип действия.
- •12. Схемы включения транзистора. Сравнительный анализ.
- •13. Статические вольт-амперные характеристики транзистора.
- •14. Эквивалентная схема замещения транзистора.
- •15. Представление транзистора в виде четырехполюсника.
- •16. Составной транзистор.
- •17. Полевые транзисторы. Полевой транзистор с управляемым p-n переходом. Принцип действия, характеристики.
- •18. Полевые транзисторы. Мдп-транзистор. Принцип действия, характеристики.
- •19. Тиристор. Структура, принцип действия, вольт-амперная характеристика.
- •20. Частотные свойства биполярного транзистора.
- •II. Усилители. Генераторы.
- •1. Назначение и классификация усилителей.
- •2. Основные показатели работы усилителей (коэффициент усиления, коэффициент допустимых искажений, амплитудная и частотная характеристики, коэффициент полезного действия).
- •3. Классы усилителей. Задание точки покоя (режим по постоянному току).
- •4. Классы усилителей. Стабилизация точки покоя.
- •5. Каскад предварительного усилителя на биполярном транзисторе, включенном по схеме оэ. Схема замещения.
- •6. Каскад предварительного усилителя на биполярном транзисторе, включенном по схеме оэ. Анализ работы на средней частоте.
- •7. Каскад предварительного усилителя на биполярном транзисторе, включенном по схеме оэ. Анализ работы на нижней частоте.
- •8. Каскад предварительного усилителя на биполярном транзисторе, включенном по схеме оэ. Анализ работы на верхней частоте.
- •9. Каскад усилителя на биполярном транзисторе, включенном по схеме об. Схема замещения. Анализ работы.
- •10. Обратные связи в усилителях. Виды обратной связи (ос). Влияние ос на коэффициент усиления.
- •11. Обратные связи в усилителях. Виды обратной связи (ос). Влияние ос на входное и выходное сопротивление усилителя.
- •12. Усилительный каскад с оос (эммитерный повторитель).
- •18. Интегральные операционные усилители (оу).
- •24. Интегральные операционные усилители (оу). Антилогарифмирующее звено на оу.
- •25. Генераторы гармонических колебаний. Lc генераторы.
- •26. Генераторы гармонических колебаний. Rc генераторы. C- , r- в параллель.
- •27. Генераторы гармонических колебаний. Rc генераторы. Генератор с мостом Вина.
- •28. Мультивибратор на оу.
- •III. Цифровые и импульсные устройства
- •8. Регистры. Параллельные регистры.
- •9. Регистры. Сдвиговые регистры.
- •10. Счетчики. Последовательный суммирующий двоичный счетчик с непосредственными связями.
- •11. Счетчики. Последовательный вычитающий двоичный счетчик с непосредственными связями.
- •12. Последовательные счетчики со сквозным переносом.
- •13. Параллельные (синхронные) счетчики. Разновидности. Параллельные счетчики на синхронных триггерах.
- •14. Параллельные (синхронные) счетчики. Разновидности. Параллельные счетчики на асинхронных триггерах.
- •15. Реверсивные счетчики.
- •16. Кольцевые счетчики.
- •17. Комбинационные устройства. Шифраторы.
- •18. Комбинационные устройства. Дешифраторы.
- •19. Комбинационные устройства. Мультиплексоры.
- •20. Комбинационные устройства. Демультиплексоры.
- •20. Демультиплексоры.
- •21. Комбинационные устройства. Сумматоры.
- •22. Мультивибратор на дискретных элементах.
- •Мультивибраторы на дискретных элементах
- •23. Мультивибраторы на логических элементах.
12. Схемы включения транзистора. Сравнительный анализ.
Каскад
собщим
эмиттером
обладает высоким усилением по напряжению
и току. К недостаткам данной схемы
включения можно отнести невысокое
входное сопротивление каскада. К
преимуществам - высокий коэффициент
усиления.
Рассмотрим работу каскада
подробнее: при подаче на базу входного
напряжения - входной ток протекает через
переход "база-эмиттер" транзистора,
что вызывает открывание транзистора
и, в следствии этого, увеличение
коллекторного тока. В цепи эмиттера
транзистора протекает ток, равный сумме
тока базы и тока коллектора. На резисторе
в цепи коллектора, при прохождении через
него тока, возникает некоторое напряжение,
величиной значительно превышающей
входное. Таким образом происходит
усиление транзистора по напряжению.
Так как ток и напряжение в цепи - величины
взаимосвязанные, аналогично происходит
и усиление входного тока.
Схема с общим коллектором обладает высоким входным и низким выходным сопротивлениями. Коэффициент усиления по напряжению этой схемы всегда меньше 1. Данная схема используется для согласования каскадов, либо в случае использования источника входного сигнала с высоким входным сопротивлением
Схема включения транзистора с общей базой используется преимущественно в каскадах усилителей высоких частот. Данное включение транзистора позволяет более полно использовать частотные характеристики транзистора при минимальном уровне шумов. С повышением рабочей частоты, коэффициент усиления транзистора понижается. Если для построения усилителя использовать, например, схему с общим эмиттером, то при некоторой (граничной) частоте каскад перестает усиливать входной сигнал. Использование этого - же транзистора, но включенного по схеме с общей базой, позволяет значительно повысить граничную частоту усиления. Каскад, собранный по схеме с общей базой, обладает низким входным и невысоким выходным
13. Статические вольт-амперные характеристики транзистора.
Статические ВАХ устанавливают взаимосвязь четырёх величин: входного тока, входного напряжения, выходного тока и выходного напряжения. Эту взаимосвязь можно выразить 24 – мя семействами характеристик (т.к 4!=24), относящихся к шести системам. Наибольшее распространение получила система, устанавливающая зависимость: Uвх, Iвых = f(Uвх, Iвых).
Статические характеристики представляют собой семейство кривых. В качестве основных удобно выбирать семейство характеристик, связывающих токи и напряжения на входе – так называемые входные характеристики, и токи и напряжения на выходе – выходные характеристики. Другие два семейства характеристик являются следствием входных и выходных.
Семейство характеристик, которые связывают токи или напряжения на выходе с токами и напряжениями на входе, называются передаточными характеристиками. Семейство характеристик, которые связывают напряжения или токи на входе, стабилитрон токами или напряжениями на выходе, называются характеристиками обратной связи.
Статические ВАХ
транзистора, включённого по схеме с
общим эмиттером: Зависимость тока К от
Uкэ
– представляет выходные характеристики
транзистора, включённого по схеме с
общим эмиттером. В точке «В» К закрыт
и Uкэ = Епит, Ik = 0. В точке «А» Uкэ = 0,
транзистор полностью открыт. Семейство
входных характеристик можно представить
одной характеристикой т.к они мало
отличаются друг от друга. Входная
характеристика представляет собой
зависимость тока Б от Uбэ. т.е является
ВАХ эмиттерного р – n перехода, и поэтому
напоминает ВАХ обыкновенного диода. С
помощью этих двух характеристик можно
построить передаточную характеристику.