шпора ВОСП
.docВ ОЛТ ВОСП используется:
1. Частотно-импульсная модуляция оптической несущей;
2. Модуляция интенсивности оптического излучения;
3. Широтно-импульсная модуляция оптической несущей;
4. Фазовая модуляция оптической несущей;
5. Модуляция частоты оптического излучения;
6. Амлитудная модуляция оптической несущей
В качестве оптических ретронсляторов используются........................
1. оптические усилители;
2. оптические модуляторы;
3. оптические регенераторы;
4. электрические усилители;
5.электрические модуляторы;
6. электрические регенераторы;
В оптическом передатчике модуляция осуществляется по закону
1. Логарифмическому
2. Линейно-ломанному
3. Квадратичному
4. Нормальному
5. Линейному
В системах спектрального уплотнения используются усилители (МО):
1. полупроводниковые лазерные усилители
2. на основе легированных волокон
3. на базе волокон, использующих Рамановское рассеяние
4. на основе волокон, использующих рассеяние Мандельштама-Брилюена
5. параметрические оптические усилители
В системах CWDM используется разреженная сетка длин волн со стандартным фиксированным расстоянием между несущими
1. 0.8 нм 2. 20 нм 3. 10 нм 4. 0.4 нм
В системах CWDM максимальное число каналов равно:
1. 16 2. 8 3. 40 4. 18
В состав ОЛТ входят блоки:
1. КОО, ОПер, ОВ. ОР
2. ОР, ОВ, ОПер, ОПпр
3. ОПр, КОО, ОВ
4. ОС, ОПер, ОР
5. ОС, ОПер, ОВ, ОР
В цикле ПЦП канальных интервалов всего образуется
1. 16 2. 128 3. 64 4. 32 5. 30 6. 24
Вид излученя света, используемый в структурах СИД и ЛД
1Безизлучательная рекомбинация.
2.Рекомбинация на дефектах и примесях.
3. Ударная рекомбинация.
4. Излучательная рекомбинация.
Ватт-амперной характеристикой лазерного диода называется
1. зависимость мощности оптического излучения от величины тока накачки
2. зависимость потребляемой от источника питания мощности от величины тока накачки
3. зависимость мощности оптического излучения от толщины активного слоя
4. зависимость мощности оптического излучения от тока потребляемого лазерным диодом от источника питания
Вид излученя света, используемый в структурах СИД и ЛД
1.Безизлучательная рекомбинация.
2. Рекомбинация на дефектах и примесях.
3. Излучательная рекомбинация.
4. Ударная рекомбинация.
Для ВОСП используются источники оптического излучения
1. планарные
2. волоконные
3. планарные полупроводниковые
4. объемные микрооптические источники (микролазеры)
5. полупроводниковые
Для передачи оптических сигналов в ОЛТ применяется
1. Модуляция интенсивности оптического излучения.
2. Частотно - импульсная модуляция оптического излучения.
3. Модуляция угла плоскости поляризации оптического излучения.
4. Амплитудная модуляция оптического излучения
Для устойчивой синхронизации в ВОСП с ИКМ желательно:
1. Наличие переходов "0"->"1" "1"->"0"
2. Группирование "1"
3. Группирование "0"
Интенсивность оптического излучения это (называется):
1. Количество фотонов (квантов) света в единицу времени;
2. Кличество дырок в единицу времени;
3. Количество электронов и дырок в единицу времени;
4. Количество электронов в единицу времени;
5. Величина тока на выходе оптического передатчика;
Источниками оптического излучения в ВОСП являются........
1. полупроводниковые лазеры;
2. фотодиоды;
3. лавинные фотодиоды;
4. Светодиоды
5. рубиновые лазеры;
К линейным кодам не относятся требования (МО)
- спектр сигнала должен быть узким и иметь ограничение как сверху, так и снизу. Чем уже спектр сигнала, тем. меньше требуется полоса пропускания фотоприемника, а соответственно уменьшаются мощность шума н его влияние. Ограничение спектра сверху снижает уровень межсимвольной помехи, а ограничение снизу—флуктуации уровня принимаемого сигнала в электрической части фотоприемника, имеющего цепи развязки по посто янному току. Минимальное содержание низкочастотных составляющих позволяет также обеспечивать устойчивую работу цепи стабилизации выходной мощности оптического передатчика;
- код линейного сигнала должен обеспечивать возможность выделения колебания тактовой частоты, необходимой для нормальной работы тактовой синхронизации;
- код линейного сигнала должен обладать максимальной помехоустойчивостью, которая позволяет получать при прочих равных условиях максимальную длину участка регенерации;
- код линейного сигнала должен обладать избыточностью, которая позволяет по нарушениям правила образования кода судить о возникновении ошибок;
- код линейного сигнала должен быть простым для практической реализации преобразователей кода.
-код должен обладать большой последовательностью 1 для устойчивой работы тактовой синхронизации
-линейный код должен быть треполярным для уменьшения тактовой частоты
Ответы1. 3 2. 2 3. 5 4. 7 5. 6 6. 4 7. 1
КОО в тракт передачи ВОСП предназначено для
1. формирования стандартного П Ц К;
2. формирования стандартного В Ц К;
3. формирования стандартного Т Ц К;
4. формирования стандартного Ч Ц К;
5. формирования стандартного Т Ц К;
6. формирования стандартных цифровых потоков Е1, Е2, Е3, Е4, Е5;
Лазеры с полосковой геометрией используются с целью
1. Для увеличения мощности оптического излучения
2. Для сохранения омического контакта
3. Для уменьшения диаграммы направленности оптического излучения
4. Для уменньшения линии излучения лазера
5. Для увеличения срока службы лазера
Лазерный диод является источником ............
1. когерентного излучения;
2. спонтанного излучения
3. теплового излучения
Лазерный эффект в простейшем лазаре возникает при пороговом токе:
1. 100 А 2. 10 А 3. 100 мА 4. 10 мА
Линейному коду NRZ соответствует характеристика:
Ответы 1. г 2. а 3. д 4. в 5.б
Линейному коду RZ соответствует характеристика:
Ответы1.д 2. а 3. б 4. в 5. г
Линейному коду СMI соответствует характеристика:
Ответы 1. г 2. б 3. д 4. а 5.в
Линейному коду Миллера соответствует характеристика:
Ответы 1. а 2. г 3. д 4. в 5. б
Линейный усилитель работает в режиме:
Ответы1. В 2. А 3. С
МСЭ рекомендованы для освоения............... окон прозрачности ОВ
1. Два 2. Шесть 3. Пять 4. Три 5. Четыре 6. Одно
На данном рисунке показана
1. Структура СИД торцевого типа
2. Структурв лазера РБО
3. Стркктура СИД с повехностным излучением
4. Структура лазера РОС
На данном рисунке показан
1. Принцип построения одноволоконной однополосной однокабельной ВОСП
2. Принцип построения одноволоконной двухполосной однокабельной ВОСП
3. Принцип построения двухволоконной многополосной двухкабельной.
4. Принцип построения одноволоконной многополосной однокабельной ВОСП
5. Принцип построения двухволоконной однополосной однокабельной ВОСП
На данном рисунке показан
1. Принцип построения двухволоконной двухполосной двухкабельной.
2. Принцип построения одноволоконно однополосной однокабельной ВОСП
3. Принцип построения двухволоконной многополсной однокабельной.
4. Принцип построения одноволоконно двухполосной однокабельной ВОСП
5. Принцип построения двухволоконной однополосной однокабельной ВОСП
На данном рисунке показан:
1. Принцип построения двухволоконной многополсной двухкабельной ВОСП
2. Принцип построения одноволоконно однополосной однокабельной ВОСП
3. Принцип построения одноволоконно двухполосной однокабельной ВОСП
4. Принцип построения одноволоконно многополсной однокабельной ВОСП
5. Принцип построения двухволоконной многополсной однокабельной ВОСП
На рисунке диаграмма направлености ЛД (ПЛ) соотвествует:
Ответы 1. б 2. А
На рисунке показан:
1. Преобразователь линейного кода в станционный
2. Передаюший оптический модуль
3. Оптической ретротслятор
4. Регенератор в тракте приема ОЦТКС
5. Приемный оптический модуль
На рисунке показан:
1. магнитооптический амплитудный модулятор
2. электрооптический амплитудный модулятор
3. акустооптический амплитудный модулятор
На рисунке показан:
1. электрооптический амплитудный модулятор
2. акустооптический амплитудный модулятор
3. магнитооптический амплитудный модулятор
На рисунке показана
1. Гетероструктуры с ОГС
2. Простая структура
3. Гетероструктуры с ДГС
На рисунке показана
1. . Гетероструктуры с ОГС
2. Простая структура
3. . Гетероструктуры с ДГС
На рисунке показана структура
1. Одномодовый источник оптического излучения
2. Схема одномодового СИД
3. Схема светоизлучающего диода торцевого типа
4. Схема простейшего лазерного диода
На рисунке показана структура
1. Структура лазера РБО
2. Струтура лазера с внешней накачкой
3. Структура простейшего лазера
4. Структура РОС лазера
На данном рисунке показана схема
1. Светоизлучающий диод с поверхностным излучением
2. Полупроводниковый лазер с распределенным Бреговским отражением
3. Светоизлучающий диод торцевого типа
4. Светоизлучающий диод с поверхностным излучением и узкой диаграммой направленности
На рисунке показан механизм излучения
1. Вынужденного
2. Спонтанного
3. Индуцированного
4. Теплового
На рисунке показана струтктурная схема:
1. СИД 2. p-i-n-фотодиода 3. лавинного фотодиода
На рисунке показана структурная схема:
1. полупроводникового лазера
2. p-i-n-фотодиода
3. лавинного фотодиода
На рисунке показана схема:
1. полупроводниковый оптический усилитель
2. усилитель на основе оптических волокон, использующих рассеяние Мандельштама-Брилюена
3. параметрический оптический усилитель
4. усилитель на основе оптических волокон, использующих комбинационное рассеяние Рамана
5. эрбиевый волоконно оптические усилитель (EDFA)
На рисунке показана схема:
1. усилитель на основе оптических волокон, использующих рассеяние Мандельштама-Брилюена
2. параметрический оптический усилитель
3. полупроводниковый оптический усилитель
4. эрбиевый волоконно оптические усилитель (EDFA)
5. усилитель на основе оптических волокон, использующих комбинационное рассеяние Рамана
На рисунке показана схема
1. Схема стабилизации выходной мощности оптического передатчика
2. Передающий модуль с внешней модуляцией оптической несущей
3. Передающий модуль с внутренней модуляцией (непосредственной)
4. Оптический регенератор с обратной связью
На рисунке показана схема:
1.приемный оптический модуль
2. линейный усилитель
3. линейный регенератор
4. передающий оптический модуль
На рисунке показана типичная спектральная характеристика ЛД (ПЛ)
Ответы 1. а 2.б
На рисунке показана характеристика ? , по которой можно судит об искажениях:
1. о фазовых искажениях
2. фазочастотная характеристика
3. о линейных искажениях
4. частотная характеристика
5. амплитудная характеристика
6.о нелинейных искажениях
Оборудование сопряжения (ОС) в тракте передачи ВОСП предназначено:
1. для согласования выхода КОО со входом ОПер. по сопротивлению;
2. для преобразования линейного кода в стыковочный;
3. для преобразования станционного кода в стыковочный;
4. для преобразования линейного кода в станционный;
5. для преобразования станционного кода в линейный;
6. для согласования выхода КОО со входом ОПер. по уровню передачи;
Оптичекий передатчик в ВОСП предназначен:
1. Для преобразования электрического сигнала в оптический;
2. Для модуляции электрического сигнала оптическим;
3. Для согласования оборудования сопряжения с оптическим кабелем по уровню передачи;
Основной метод уплотнения ВОЛС:
1. Временное уплотнение (Times Division Multiplexing,TDM) - на уровне объединения электрических сигналов
2. Временное уплотнение (Times Division Multiplexing,TDM) на уровне оптических сигналов
3. Пространственное уплотнение
4. Спектральное уплотнение (Wavelength Division Multiplexing, WDM). (Frequency Division Multiplexing, FDM, ЧРК)
Основной принцип построения линейных трактов ВОСП -
1. Однополосная, двухволоконная, однокабельная.
2. Одноволоконная, двухполосная, однокабельная.
3. Однополосная, двухволоконная, двухкабельная.
4. Многополосная, многоволоконная, двухкабельная.
5. Однополосная, одноволоконная, однокабельная.
ПЛ (ЛД) соответствует ватт-амперная характеристика:
Ответы 1. а 2. б
Плотные WDM – системы DWDM это:
1. системы с частотным разнесением каналов порядка 50 и 25 ГГц , число каналов порядка 80 и 160
2. это системы с разнесением длин волн 20 нм и числом каналов не более 18
3. системы с номинальным частотным разнесением каналов, НЧР, не менее 200 ГГц, число каналов не более 8
4. системы с частотное разнесение каналов не менее 100 ГГц, число каналов не более 40
Полностью восстанавливает сигнал оптический ретранслятор:
1.2R-amplification and reshaping
2.1R-amplification
3.3R-regeneration, reshaping and re-timing
Предварительный усилитель работает в режиме:
1. С 2. А 3. В
Преимущества технологии спектрального уплотнения (МО):
1. существенное увеличение полосы пропускания оптического волокна (возможность организации в одном волокне до 160 спектральных каналов, каждый до 10 Гбит/с);
2. возможность использования различных длин волн для передачи разного рода трафика;
3. «прозрачность» оптических интерфейсов оборудования DWDM для передачи практически всех существующих на сегодняшний день протоколов физического уровня (Fast Ethernet, Gigabit Ethernet, PDH, ATM, Sonet / SDH, Fiber Channel и т.д.);
4. использование оптических усилителей (EDFA, Raman Amplifier) позволяет реализовать участки большой протяженности без регенерации цифровых каналов (до 1 500 км).
5. возможность использования светоилучающих диодов торцевого типа
6. возможность исползования лазерных диодов с шириной лиии излучения более 10 нм
Преимущества технологии спектрального уплотнения: (МО)
а - возможность использования различных длин волн для передачи разного рода трафика;
б - «прозрачность» оптических интерфейсов оборудования DWDM для передачи практически всех существующих на сегодняшний день протоколов физического уровня (Fast Ethernet, Gigabit Ethernet, PDH, ATM, Sonet / SDH, Fiber Channel и т.д.);
в - использование оптических усилителей (EDFA, Raman Amplifier) позволяет реализовать участки большой протяженности без регенерации цифровых каналов
г - существенное увеличение полосы пропускания оптического волокна (возможность организации в одном волокне до 160 спектральных каналов, каждый до 10 Гбит/с); (до 1 500 км).
д- возможность использования одновременно 1, 2, 3, 4 и 5 окна прозрачности для передачи информации.
Ответы 1. г 2. в 3. а 4. д 5. б
При использовании технологии СDWDM и организации 8 спектральных каналов ширина спектра равна:
Ответы 1. 40 нм 2. 16 нм 3. 340 нм 4. 160 нм 5. 8 нм
При использовании технологии СDWDM и организации 18 спектральных каналов ширина спектра равна:
1. 360 нм
2. 18 нм
3. 320 нм
4. 9 нм
5. 180 нм
Простые WDM – системы это:
1. системы с номинальным частотным разнесением каналов, НЧР, не менее 200 ГГц, число каналов не более 8
2. системы с частотным разнесением каналов порядка 50 и 25 ГГц , число каналов порядка 80 и 160
3. системы с частотное разнесение каналов не менее 100 ГГц, число каналов не более 40
4. это системы с разнесением длин волн 20 нм и числом каналов не более 18
Работа лавинного фотодиода основана
1. на сильном легировании р и n слоев фотодиода
2. на явлении ударной ионизации пары носителей заряда а области сильного поля обратносмещенного перехода
3. на явлении внешнего фотоэффекта
Регенераторы в ВОСП используются
1. Для восстановления сигнала.
2. Для формирования АИМ-1 сигнала.
3. Для формирования АИМ-11 сигнала.
4. Для усиления сигнала.
5. Для кодирования сигнала.
Регенератор ВОСП предназначен:
1. Для устранения искажений, вносимых участком регенерации.
2. Для усиления и коррекции оптического сигнала.
3. Для устранения искажений дискретизации.
4. Для восстановления двоичной последовательности импульсов.
Резонатор Фабри - Перо используется:
1. Для увеличения мощности оптическоко излучения
2. Для создания некогерентных источников оптического излучения
3. Для создания положительной обратной связи
4. Для коррекции дисперсионных искажений
Светоизлучающий диод является источником ................
1. теплового излучения
2. спонтанного излучения
3. когерентного излучения
Светоизлучающему диоду соответствует спектр оптического излучения.....
а
б
в
Ответы 1. б 2. а 3. в
Сверхплотные WDM – системы HDWDM это:
1. системы с частотным разнесением каналов порядка 50 и 25 ГГц , число каналов порядка 80 и 160
2. системы с номинальным частотным разнесением каналов, НЧР, не менее 200 ГГц, число каналов не более 8
3. это системы с разнесением длин волн 20 нм и числом каналов не более 18
4. системы с частотное разнесение каналов не менее 100 ГГц, число каналов не более 40
Сигнал в ОЛТ является.......
1. двухполярным;
2. одноплярным;
3. трехуровневым;
4. двухуровневым;
5. трехполярным;
СИД соответствует ватт-амперная характеристика:
Ответы 1.а 2. ______
Системы CWDM это:
1. системы с частотным разнесением каналов порядка 50 и 25 ГГц , число каналов порядка 80 и 160
2. системы с частотное разнесение каналов не менее 100 ГГц, число каналов не более 40
3. это системы с разнесением длин волн 20 нм и числом каналов не более 18
4. системы с номинальным частотным разнесением каналов, НЧР, не менее 200 ГГц, число каналов не более 8
Скорость передачи четверичного цифрового потока Е4
1. 139284 кБит/с 2. 8448 кБит/с 3. 34368 кБит/с 4. 2048 кБит/с
Современные ВОСП-WDM рассчитаны для работы в окнах прозрачности (МО):
1. 3 2. 2 3. 5 4. 1 5. 6 6. 4
Сущность внутреннего фотоэффекта в полупроводнике заключается
1. в поглощении фотона, энергия которого hf = hс/λ более ширины запрещенной зоны полупроводникового материала Еg
2. в том, что длина волны фотона не превышает критического значения λкр=1,24/Eg
3. в поглощении фотона, энергия которого hf = hс/λ менее ширины запрешенной зоны материала Eg
4. в том,что фотоны с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны, или длиной волны больше критической
Сущность WDM заключается в том, что сигналы от нескольких источников передаются
1. По одному ОВ на разных длинах волн
2. По двум ОВ на одной оптической несущей
3. По одному ОВ с задержкой по времени
4. По разным оптическим волокнам
Схема оптического усилителя с двумя лазерами накачки показана на рисунке:
Ответы 1. б 2. а 3. г 4. в
Схема оптического усилителя с одним лазером накачки показана на рисунке (МО):
1. а 2. г 3. в 4. б
Схема двух каскадного оптического усилителя с устройством компенсации хроматической дисперсии показана на рисунке:
1. в 2. а 3. б 4. г
Тактовая частота ВОСП находится по формуле
1. Fт = 1/Tg
2. Fт = 2 Fg x m
3. Fт = 2 Fвер.
4. Fт = Fg x m x Nки
Технология CWDM лучше всего подходит для построения каналов протяженностью до
Ответы 1. 160 км 2. 80 км 3. 40 км 4.120 км
Узкий спектр линейного сигнала в ОЛТ является.......
1. Недостатком
2. Не имеет значения
3. Узкий спектр линейного сигнала в ОЛТ является.......
Усилитель мощности (бустер) работает в режиме:
Ответы 1. В 2.С 3. А
Устройство выделения тактовой частоты устанавливается на:
1. На оконечной станции (тракт приема) и в пунктах регенерации сигнала.
2. На оконечной станции в тракте передачи.
3. На оконечной стации (тракт передачи и тракт приема) и в промежуточных
4. На оконечной стации (тракт передачи и тракт приема).
Частота оптического излучения полупроводника зависит:
1. от энергии зон проводимости Ес
2. от ширины запрещенной энергитической зоны, Е = Ес – Е
3. от энергии валентной зоны Е
Частота синхросигнала цикловой синхронизации первичной ВОСП равна
Ответы 1. 64 кГц 2. 32 кГц 3. 8 кГц 4. 4 кГц 5. 16 кГц
При использовании технологии СDWDM и организации 16 спектральных каналов ширина спектра равна:
1.320 нм 2. 8 нм 3. 160 нм 4. 32 нм 5. 16 нм
Лазерному диоду соответствует спектр излучения…
.
а 
б 
в
Ответы
1. а 2. в 3. Б
К источникам оптического излучения не относятся к требования (несколько ответов)
1 - длина волны оптического излучения должна совпадать с одним из окон прозрачности оптического волокна:
2 - достаточно большая мощность выходного излучения и эффективность его ввода в оптическое волокно;
3 - возможность модуляции оптического излучения различными способами; достаточно большой срок службы; минимальное потребление электрической энергии или высокая эффективность;
4 - минимальные габариты и вес; простота технологии производства, обеспечивающая невысокую стоимость и высокую воспроизводимость параметров и характеристик.
5 - ширина линии излучения должна совпадать с шириной окон прозрачности, в которых они работают
6 - ширина угла направленности оптического излучения источников должна быть большой, для облегчения ввода оптического излучения в оптическое волокно
Вторичный цифровой поток Е2
1. Это поток который передается со скоростью 8448 кБит/с и включает 120 ктч
2. Это поток который передается со скоростью 8448 кБит/с и включает 30 ктч
3. Это поток который передается со скоростью 2048 кБит/с и включает 120 ктч
Системы CWDM работают в окнах прозрачности:
1. 2 2. 4 3. 5 4. 1 5. 3
Линейному коду BIF соответствует характеристика:
1. г 2. д 3. а 4. б 5. В
Полностью восстанавливает сигнал оптический ретранслятор:
1. 3R-regeneration, reshaping and re-timing
2. 2R-amplification and reshaping
3. 1R-amplification
В основе работы фотодетекторов, применяемых в ВОСП лежит
1. внутренний фотоэффект в примесном полупроводнике
2. эффект фотопроводимости
3. принцип фотоэлектронной эмиссии или внешнего фотоэффекта
Лазерный эффектв простейшем лазаре возникает при пороговом токе:
1. 10 А
2. 100 мА
3. 10 мА
4. 100 А
На рисунке показана эквивалентная схема:
1.
1.ПЛ (ЛД)
2. фотодиода
3. СИД
Системы DWDM обычно ограничены по дальности участками усиления из-за шумов усиленного спонтанного излучения (ASE, Amplified Spontaneous Emissions) в EDFA,. при этом максимальное число усилителей на одном участке равно:
1. 4 2. 3 3. 2 4. 7 5. 5
Интенсивностью оптического излучения называется
1. Количество фотонов (квантов) света в единицу времени;
2. Количество электронов в единицу времени;
3. Величина тока на выходе оптического передатчика
4. Кличество дырок в единицу времени;