Выход годных и «закон Мура».
«Закон Мура» был сформулирован на основе эмпирических данных. Позднее было установлено, что в обычном технологическом процессе плотность поражающих дефектов увеличивается обратно пропорционально квадрату минимального размера элементов.
D ~ 1/xmin2
Естественно, формула справедлива для технологического маршрута, обеспечивающего реализацию этих минимальных размеров. Площадь кристалла, чувствительная к поражающим дефектам, пропорциональна квадрату минимального размера.
S ~ xmin2
Таким образом, выход годных кристаллов по формуле Пуассона не зависит от минимального размера
D * S = const
С уменьшением размеров элементов увеличивается съем кристаллов с пластины, значит, они становятся дешевле.
Выход годных и надежность.
Отказы микросхем бывают катастрофические, параметрические и перемежающиеся. Катастрофические отказы происходят при развитии скрытых локальных дефектов. Снижение плотности скрытых дефектов достигается уменьшением коэффициента y2. Параметрические и перемежающиеся отказы являются следствием изменения параметров элементов микросхемы. В общем случае, уменьшение разброса параметров структуры и увеличение коэффициента y 1 повышает надежность. Однако в каждом конкретном случае параметрическая надежность определяется величиной конструктивно-технологических запасов. Это означает, что при изменении параметров конструктивных элементов в процессе эксплуатации параметры микросхемы останутся в пределах норм ТУ. Здесь используются два пути – это установление норм ТУ с запасом и контроль параметров изделий по более жестким нормам. При этом деградация параметров микросхем до их граничных значений будет происходить значительно дольше. Ослабление норм ТУ снижает потребительские качества изделий. Установление жестких норм на параметры микросхем понижает выход годных и повышает их стоимость. В ряде случаев используется отбор микросхем для применений, требующих повышенной надежности. Контролируемые микросхемы разделяются на две группы по уровню жесткости контроля параметров. Микросхемы, прошедшие контроль параметров по жестким нормам, затем подвергаются какому-либо стрессовому воздействию (например, перегрузке по питанию при максимальной температуре) и электротермотренировке с удвоенным сроком (две недели). После повторного контроля электрических параметров эти микросхемы попадут в дорогую группу А с повышенной надежностью. Оставшиеся микросхемы контролируются по обычному маршруту и образуют дешевую группу Б.