Технологии формирования канала транзистора.
Технологии формирования канала транзистора заключаются в создании профилей распределения примесей в канале, приводящих к изменению электрического поля и потенциалов, с целью минимизации токов утечки транзистора и увеличения токов в линейной области и в области насыщения. На сегодняшний день существуют несколько методов. Одним из перспективных- это технология ретроградного кармана c крутым профилем SSRW (Super Steep Retrograde Well). Использование этой технологии позволяет улучшить характеристики транзистора.
Ретроградный карманный профиль формируется с помощью примесей, имеющий низкий коэффициент диффузии, Для формирования кармана п-типа, в котором располагаются рМОП-транзисторы, используется мышьяк или сурьма. Для формирования областей кармана р-типа используется индий.. На рис.8 приведены вертикальные профили карманов п-типа, полученных с помощью традиционной и SSRW-технологии. Профили сформированы таким образом, что пороговые напряжения транзисторов, несмотря на более низкую поверхностную концентрацию примеси у SSRW-кармана, имеют равные значения.
традиционный карман; 2-SSRW-карман.
Рис.8
Заключение.
Миниатюризация МОП-транзисторов выполненная по традиционным правилам масштабирования, будет оставаться доминирующим фактором дальнейшего улучшения показателей КМОП ИС вплоть до 0,1 мкм литографических размеров. Однако уже в самое ближайшее будущее будут достигнуты фундаментальные пределы в уменьшении толщины подзатворного диэлектрика, связанные с туннельным током и в уменьшении глубины залегания исток/ стоков, связанные с увеличением внутреннего сопротивления транзисторов.
Разработка технологий, предполагающих использование альтернативных диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной в качестве подзатворного диэлектрика, и поиск технологических решений, позволяющих снизить сопротивления истоков/ стоков, по- видимому будут основными факторами, определяющими прогресс КМОП ИС на ближайшие годы.