- •Федеральное агентство по образованию и науке Российской Федерации
- •Лабораторная работа №1 Изучение технологии изготовления и основных параметров резисторов Цель работы:
- •Теоретические сведения.
- •Общие сведения о резисторах постоянного сопротивления Основные параметры резисторов постоянного сопротивления
- •Непроволочные резисторы
- •Проволочные резисторы
- •Основные сведения о технологиях изготовления постоянных резисторов
- •Резисторы переменного сопротивления
- •Основные параметры резисторов
- •Переменные регулировочные резисторы
- •Переменные подстроечные резисторы
- •Основные сведения о технологии изготовления переменных композиционных резисторов
- •Специальные резисторы Полупроводниковые терморезисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления терморезисторов
- •Полупроводниковые варисторы
- •Основные параметры и характеристики
- •Технология изготовления варисторов
- •Полупроводниковые фоторезисторы
- •Основные параметры фоторезисторов
- •Технология изготовления фоторезисторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Измерительные приборы, оснастка, образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Цветовая маркировка миниатюрных резисторов постоянного сопротивления
- •Маркировка буквенно-цифровая
- •Маркировка переменных резисторов
- •Система обозначений
- •Маркировка специальных резисторов Маркировка термисторов
- •Система обозначений термисторов
- •Система обозначений варисторов
- •Лабораторная работа № 2 Изучение конструкции и технологии изготовления дискретных конденсаторов и оценка их электрических параметров.
- •Теоретические сведения
- •Классификация конденсаторов
- •Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •Конденсаторы с неорганическим диэлектриком
- •Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •Конденсаторы с газообразным диэлектриком
- •Конструкции конденсаторов
- •Система условных обозначений и маркировка конденсаторов
- •Технология изготовления керамических конденсаторов Получение керамического шликера
- •Технология приготовления шликера
- •Технология литья пленки
- •Керамические материалы
- •Технология изготовления танталовых чип-конденсаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •100.(Сизм – Сном )/Сном.
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Основные параметры ки
- •Конструкции и технологии изготовления ки
- •Классификация магнитных материалов. Ферриты
- •Порядок расчета
- •Пример расчета
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Технологическое оборудование, оснастка, измерительные приборы и материалы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Соединители и прочие коммутационные устройства
- •Электрические соединители. Классификация электрических соединений по их применению включает:
- •Токосъем – или
- •Соединение –
- •Основные параметры соединителей
- •У электростатического реле (рис 6,г) принцип действия основан на использовании кулоновских сил, которые обеспечивают притяжение подвижного электрода с мембраной к неподвижному.
- •Электронные реле (рис.6,д) представляют собой обычный электронный ключ, например на транзисторах (на биполярных, либо на кмоп или моп структурах и др.) (рис.7).
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и прочие дискретные пассивные и активные эрк.
- •Общие сведения о корпусах дискретных полупроводниковых приборов
- •Общие сведения об устройствах индикации
- •Корпуса интегральных схем
- •Понятие о фильтрах и линиях задержки
- •Общие представления о резонаторах
- •Понятие о криоэлектронных приборах
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Инструменты приспособления и макетные образцы
- •Порядок выполнения работы
- •Результаты изучения компонентов в составе ячейки эвс
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №5 Изучение технологии изготовления жидкокристаллических индикаторов
- •Теоретические сведения
- •Общие сведения о жидких кристаллах и их свойствах
- •Принцип работы жки
- •Особенности конструкции жки и технология её изготовления
- •Сравнительные характеристики разных типов индикаторов
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Макетные образцы
- •Порядок выполнения работы.
- •Требования к отчёту
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение 1 Индикаторы на светоизлучающих диодах
- •Физические основы работы сид
- •Приложение 2 Индикаторы на электронно-лучевых трубках
- •Газоразрядные индикаторы
- •Вакуумные люминесцентные индикаторы
- •Приложение 5 Электролюминесцентные индикаторы
- •Накальные индикаторы
- •Электрохромные индикаторы
- •Электрофорезные индикаторы
- •Приложение 9 Электромеханические индикаторы
- •Лабораторная работа № 6
- •Линии передачи
- •Подложки и проводники мпл
- •Элементы, узлы и устройства
- •Фильтры
- •Генератор свч колебаний на лавинно-пролетном диоде (глпд)
- •Малошумящий усилитель (мшу)
- •Технология свч гис
- •Технология изготовления свч гис и мсб
- •Технологический маршрут изготовления свч гис и мсб
- •Аппаратура
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Технологические среды и материалы для изготовления кристаллодержателя на гибком носителе (гн).
- •Анализ способов и методов сборки и монтажа кристаллодержателя на гн и выбор наиболее целесообразного.
- •Последовательность в изготовлении кристаллодержателя на гибком носителе.
- •Структура полиимидных носителей.
- •Конструкционные материалы.
- •Конструкции ленточных носителей
- •Полиимидный носитель с алюминиевыми выводами
- •Домашнее задание.
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приготовление керамического шликера Состав керамического шликера
- •Минеральная составляющая
- •Растворители
- •Пластификаторы
- •Поверхностно-активное вещество (пав)
- •Этапы технологии приготовления шликер
- •Технология литья пленки
- •Изготовление заготовок слоев
- •Металлизация слоев
- •Изготовление основания кристаллодержателя
- •Герметизация корпусов
- •Материалы для производства керамических кристаллодержателей
- •Пасты для изготовления керамических кристаллодержателей
- •Требования к проводниковым пастам
- •Определение реологических требований к пасте
- •Реологические свойства пасты
- •Вязкость
- •Поверхностное натяжение
- •Исследования методов нанесения паст
- •Домашнее задание
- •Лабораторное задание
- •Материалы для выполнения лабораторной работы.
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература
- •Содержание
Элементы, узлы и устройства
СВЧ ГИС и МПЛ могут быть выполнены на элементах с распределенными и сосредоточенными параметрами. Элементы с сосредоточенными параметрами имеют максимальные размеры , значительно меньшей, чем длина волны λ (< 0,1λ). В этом случае можно пренебречь фазовым сдвигом по длине элемента. При большом объеме производства элементы с сосредоточенными параметрами дешевле, чем с распределенными, однако на частотах выше 10 ГГц, ввиду малых размеров, они имеют более высокие потери и низкую добротность. Поэтому на этих частотах применяют главным образом элементы с распределенными параметрами, хотя не исключена возможность комбинации тех и других элементов. Наиболее распространенные элементы с распределенными параметрами приведены на рис.6-11.
Отрезок МПЛ в электрической цепи проявляет себя как индуктивность или емкость.
Рис.
6. Эквивалентная схема последовательной
индуктивности (а) и ее топология (б)
Рис.
7. Эквивалентная схема параллельной
индуктивности (а) и ее топология в виде
короткозамкнутого (б) и разомкнутого
(в) шлейфов.
Последовательная индуктивность (рис.6) может выполняться в виде отрезка МПЛ длиной = λ/8 с высоким волновым сопротивлением. Значение индуктивности можно определить по формуле:
,
где Z1 – волновое сопротивление узкого отрезка МПЛ; ω – круговая частота.
Короткозамкнутый (соединенный с землей по постоянному току) на конце отрезок МПЛ (шлейф) длиной = λ/8 представляет собойпараллельную индуктивность (рис.7). Если нужно избежать короткого замыкания, применяют разомкнутый на конце шлейф длиной λ/4 < < λ/2. Малые индуктивности (единицы нГн.) могут быть представлены в виде отрезка МПЛ (рис.8) либо петли. Современная технология позволяет получать пленочные индуктивности от единиц до сотен мкГн (рис.9).
Рис. 8. Эквивалентная схема (а) и топология отрезка МПЛ (б) при l = λ/2; 1 – проводник МПЛ; 2 – элементы подстройки; 3 – подложка; 4 – экран.
Рис. 9. Преобразование спирали индуктивности (а) в виток индуктивности (б), в индуктивный элемент (в) и его эквивалентная схема (г). 1 – проводник МПЛ; 2 – спираль индуктивности; 3 – подстроечные элементы; 4 – индуктивный элемент.
Наибольшая последовательная емкость (единицы пФ.) может быть образована зазором в линии передачи (рис.10). Увеличение емкости (до 10 пФ.) можно получить на основе гребенчатой структуры.
Рис. 10. Эквивалентная
схема последовательной емкости (а) и
варианты ее реализации (б, в).
Рис. 11. Параллельная емкость (а) и примеры ее выполнения (б - г).
Параллельную емкость (рис.11а) можно реализовать в виде короткого отрезка МПЛ длиной = λ/8 с малым волновым сопротивлением (рис11.б), либо в виде шлейфа (рис11.в).
В общем случае емкость определяется по формуле:
При необходимости подстройки емкости применяются сетчатая структура из отдельных ячеек (рис.11г). Достоинствами таких элементов являются высокая добротность, большое пробивное напряжение, высокая точность.
Тонкопленочные конденсаторы (рис.12) обладают большой емкостью.
Рис.
12. Тонкопленочный конденсатор большой
емкости: 1 – основной конденсатор; 2 –
элементы подстройки.
Резисторы широко применяются в цепях питания, в схемах сумматоров и делителей в качестве согласованных нагрузок. Распределенные резисторы выполняют на основе МПЛ с большим вносимым затуханием, которое создается за счет высокого сопротивления. МПЛ изготавливают либо из материала с низкой проводимостью, либо малой толщины (меньше скин-слоя). Для уменьшения размеров такие линии сворачивают в меандр или спираль. Сосредоточенные резисторы, выполненные по тонкопленочной технологии, включают в качестве согласованной нагрузки между проводящей линией и короткозамыкателем для предотвращения отражения в линии. Им может быть разомкнутый шлейф длинной = λ/4 (рис.13). Короткое замыкание может осуществляться также через металлизированное отверстие в подложке или плоской перемычкой через торец подложки с экраном.
Рис.13. Согласованная нагрузка в виде резистора со шлейфом.
Резонаторы являются основными элементами фильтров, генераторов и т.д. Конструктивно резонатор может быть выполнен короткозамкнутым или разомкнутым на конце. Короткозамкнутый резонатор в виде отрезка МПЛ имеет малые потери и высокую добротность, но не всегда удобен в технологическом отношении. Существенным недостатком разомкнутого резонатора является наличие значительных потерь на излучение. Изгибая резонатор в виде подковы, потери излучение можно уменьшить сведением вместе противофазных концов резонатора (рис.14). Находят применение другие типы резонаторов, топология которых представлена на рис.15.
Рис. 14. Зависимость подковообразного резонатора от величины зазора.
Рис.15. Топология резонаторов в виде комбинации шлейфов.
Направленные ответвители являются наиболее распространенными элементами смесителей, модуляторов, усилителей и т.д.
По виду связи различают направленные ответвители с электромагнитной и шлейфной связью. На рис.16 показана топология направленного ответвителя на связных линиях с электромагнитной связью. Связь определяется величиной зазора между линиями.
Рис.16. Фрагмент топологии направленного ответвителя с электромагнитной связью.
Рис.17. Трехдецибельный встречно-штыревой направленный ответвитель (ответвитель Ланге).
Трехдецибельный направленный ответвитель. Для получения сильной связи в направленном ответвителе необходимо иметь очень малый зазор Ѕ, который технологически трудно реализуем. Поэтому предложено несколько модификаций данной конструкции, позволяющих получить сильную связь при увеличенном зазоре между линиями. К их числу относится показанная на рис.17 встречно-штыревая конструкция ответвителя на 3 дБ (ответвитель Ланге). Мощность, поступающая в плечо 1, делится поровну между плечами 2 и 3. Плечи 1 и 4 являются развязанными. В мосте Ланге на основе данного направленного ответвителя фазовый сдвиг между соответствующими плечами составляет π/2. Недостатком таких конструкций является наличие проволочных перемычек. Для уменьшения паразитных индуктивностей они образуются из нескольких проволочек.
Шлейфный направленный ответвитель представляет собой два отрезка линии передачи соединенных между собой шлейфами, длина которых равна четверти длины волн в линии.
Двухшлейфный направленный ответвитель (рис.18а) позволяет осуществить развязку плеч, которая заключается в следующем.
Рис. 18. Варианты топологии двухшлейфного направленного ответвителя.
При подаче сигнала в плечо А он частично попадает в плечо Б первичной линии (пунктир), где поглощается без отражения, а частично ответвляется в плечо В и Г вторичной линии (сплошная стрелка). Таким способом можно достичь высокой степени развязки генераторов, включенных на входы плеч А и Б первичной линии.
В длинноволновой части диапазона СВЧ, геометрическая длина отрезов линии передачи велика, для уменьшения размеров четвертьволновые линии выполняют в виде меандра (рис.18б). Возникающие при этом неоднородности в линии учитывают при расчете.