Вопросы теоретического минимума1
.pdfЗначения констант
1.Среднее число вторичных нейтронов в реакторе на тепловых нейтронах при делении ядер U-235 – 2,4; 239-Pu – 2,9.
2.Среднее число вторичных гамма квантов в реакторе на тепловых нейтронах при делении ядер U- 235 – 7,5; 239-Pu – 8,0.
3.Средняя энергия вторичных нейтронов при делении – 2 МэВ.
4.Средняя энергия вторичных гамма квантов при делении – 0,9 МэВ.
5.Средняя энергия, выделяющаяся при делении, - 200 МэВ.
6.Энергия максимума спектра нейтронов деления в реакторе на тепловых нейтронах – 1 МэВ.
7.Коэффициент перевода эВ в Дж – 1,6·10-19.
8.% доля запаздывающих нейтронов при делении ядер U-235 – 0,67%, Pu-239 – 0,21%.
9.Число Авогадро – 6,02·1023 1/моль.
10.Значение, принятое для предельно допустимой мощности дозы излучения, - 0,4 мЗв/нед.
Размерности и определения величин
1.Поток нейтронов – это среднестатистическое число нейтронов, энергия которых лежит в
единичном интервале E, направление полета – в единичном угловом диапазоне и которые в единицу времени пересекают воображаемую единичную площадку, расположенную в точке таким образом, что нормаль к площадке совпадает c . Ф = [нейтрон/м²·страд·эВ·с]
2.Микроскопическое сечения взаимодействия ядерной реакции х (характеристика ядра) – это
вероятность нейтрону испытать на бесконечно тонкой пластине взаимодействие типа х, отнесенная к поверхностной плотности ядер в данной пластине. σ = [см2]
3.Макроскопическое сечение взаимодействия с ядрами среды типа х (характеристика среды) – это вероятность нейтрону провзаимодействовать в среде, пройдя элементарный путь l, отнесенная к длине этого пути. ∑ = [1/см]
4.Микроскопический линейный коэффициент ослабления ядерной реакции типа х – это вероятность
гамма кванту испытать на бесконечно тонкой пластине взаимодействие типа х, отнесенная к поверхностной плотности ядер в данной пластине. µ = [см2]
5.Макроскопический линейный коэффициент ослабления с ядрами среды типа х – это вероятность гамма кванту провзаимодействовать в среде, пройдя элементарный путь l, отнесенная к длине этого пути. ∑ = [1/см]
6.Период полураспада радиоактивного изотопа – это время, за которое распадается половина ядер, первоначально находящихся в образце. Т1/2 = [лет]
7.Поглощенная доза излучения или доза – это энергия, переданная излучением защищаемому объекту, отнесенная к массе объекта. D=dW/dm; [Дж/кг]=Гр [1Гр=100рад]
8.Единица эквивалентной дозы излучения – 1 Зиверт=100бэр– эквивалентная доза, создаваемая биологической тканью образцовым (эталонным) излучением с поглощенной дозой 1 Грей. Образцовое (эталонное) излучение – рентгеновское излучение с Е>200кэВ
9.Сечение выведения материала – это некий коэффициент в экспоненте в формуле:
D D0 exp( remd ) , где:
D0 – эквивалентная доза нейтронов источника перед защитой с энергией больше 0,3 МэВ, распределенных по спектру деления; D – эквивалентная доза всех нейтронов за защитой;
d – толщина защиты. = [1/см] – характеристика защитной системы
Модель сечения выведения – это приближенный метод расчета дозы нейтронов за защитой от источника быстрых нейтронов
10.Дозовый фактор накопления защиты (безразмерная величина) – это отношение эквивалентной дозы гамма-квантов всех энергий за защитой (т.е. и рассеянных и нерассеянных гамма-квантов) (Dн/р+Dр) к эквивалентной дозе нерассеянных гамма-квантов за защитой (Dн/р).
ВD=Dполн / Dн/р = (Dн/р+Dр)/ Dн/р = 1+ Dр/ Dн/р ; ВD всегда > 1
11. Коэффициент качества излучения (безразмерная величина) – это отношение эквивалентных доз рассматриваемого и эталонного излучений, если их поглощенные дозы равны.
k= Dэкв рассм/Dэкв этал
Dэтал=Dрассм
Законы и соотношения
1.Закон радиоактивного распада. Скорость распада ядер радиоактивного изотопа в образце прямо пропорциональна числу ядер этого изотопа в образце.
dN (t) |
N (t) - дифференц. форма или |
N (t) N 0 |
exp( t) |
|||||
|
|
|
|
|
|
|||
|
T1|2 |
ln 2 |
|
- интегр.форма |
||||
dt |
||||||||
|
|
|||||||
N (0) N0 |
|
|
|
|
||||
|
1 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|||||
|
|
с |
|
|||||
|
|
|
|
2.Ядерная плотность (ρяд) через массовую плотность (ρмас) материала:
3.Макроскопическое сечение взаимодействия (Σ) через микроскопическое (σ):
4.Поглощенная доза излучения (D):
D=dW/dm, где W- энергия, переданная излучением защищаемому объекту, m – масса объекта
5.Эквивалентная доза излучения (Dэкв) через поглощенную дозу излучения (D): Справедливо только численно:
6.Эквивалентная доза излучения (Dэкв) через поток излучения (Ф):
S/m = µэн - коэффициент поглощения излучения; Ф = [1/см²·страд·эВ·с]
7.Сечение выведения материала – смотри 2.9.
Сечение выведения сложных по хим.составу сред - |
rem |
|
|
|
remi i |
, где |
ρ – ядерная |
|
|
|
|||||||
100 |
||||||||
|
|
|
i |
|
|
|||
плотность смеси [ядра/см3]; remi - микросечение выведение i-го изотопа; |
i - |
процентная |
доля i-го изотопа в смеси
8.Дозовый фактор накопления защиты – смотри 2.10.
9.Распределение потока нерассеянного излучения в однородной неразмножающей пластине. Задан моноэнергетический стационарный источник излучения на одной из поверхностей пластины, перпендикулярный этой поверхности.
d |
(x) tot (x) 0 |
(x) exp( |
|
x) |
|
dx |
|
||||
|
0 |
|
tot |
|
|
|
|
|
|
||
(0) 0 |
(x) 0 |
exp( tot d ) для левой границы |
|||
|
|
|
|
10.Распределение потока нерассеянного излучения в однородной неразмножающей пластине. Задан моноэнергетический источник излучения, равномерно распределенный по объему пластины, направленный перпендикулярно поверхностям пластины.
d |
(x) tot (x) Q |
(x) |
Q |
(1 |
exp(tot x)) |
|
|
tot |
|||||
dx |
||||||
|
|
|
||||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
||
(0) 0 |
(x) |
Q |
(1 exp(tot d )) для объема пластины |
|||
tot |
||||||
|
|
|
|
|
11. Групповое сечение:
t (E)S (E)dE
t g |
E g |
, где S(E) – спектр свертки (известная функция, «очень похожая» на |
|
S (E)dE |
|||
|
|
||
|
E g |
|
|
спектр нашей задачи) |
|
Сечение межгруппового рассеяния:
13. Представление угловой зависимости потока в методе сферических гармоник. где Pm(µ) – полином Лежандра
Стационарное уравнение переноса нейтронов для задач
(названия и зависимости от переменных входящих величин, граничные условия)
1.для задачи из п.III.9 – смотри 3.9.
2.для задачи из п.III.10 – смотри 3.10. Для всех последующих задач:
3.для надкритической системы, ограниченной поверхностью R и окруженной вакуумом:
4. для подкритической размножающей системы, ограниченной поверхностью R и окруженной вакуумом. Задан источник излучения на поверхности системы.
Задан источник излучения, распределенный по объему.
5. для неразмножающей системы, ограниченной поверхностью R и окруженной вакуумом. Задан источник излучения на поверхности системы.
Задан источник излучения, распределенный по объему системы.
6. |
для подкритической размножающей системы, ограниченной |
поверхностями |
|
и |
|
и |
|
R1 |
R2 |
||||||
|
окруженной вакуумом. Задан источник излучения на поверхности |
|
системы |
|
|
|
|
|
R1 |
|
|
|
|
Задан источник излучения, распределенный по объему системы.
7. |
для неразмножающей системы, ограниченной |
поверхностями |
|
и |
|
и окруженной |
|
R1 |
R2 |
||||||
|
вакуумом. Задан источник излучения на поверхности |
|
системы. |
|
|
|
|
|
R1 |
|
|
|
|
Задан источник излучения, распределенный по объему системы.